中科院在锑化物纳粹线研究领域取得系列进展

中国科学院半导体研究所的研究人员在InAsSb（铟砷锑）纳米线制备及机理研究方面取得了系列进展，首次在Si（硅）衬底上制备出了高质量的垂直InAsSb纳米线，并详细研究了Sb（锑）组分对纳米线生长的影响。

碲镉汞高温红外探测器组件进展

高工作温度红外探测器组件是第三代红外探测器技术的重要发展方向,可用于高工作温度红外探测器的基础材料主要有锑基和碲镉汞两大类。介绍了昆明物理研究所在高工作温度红外焦平面探测器组件方面的最新研究进展,其中基于碲镉汞材料p-on-n技术研制的高工作温度中波640×512探测器组件在150 K温区性能优异,探测器的噪声等效温差(NETD)小于20 mK,配置了高效动磁式线性制冷机的高温探测器组件(IDDCA结构),质量小于270 g,探测器组件光轴方向长度小于70 mm(F4),室温环境下组件稳态功耗小于2.5 Wdc,降温时间小于80 s,声学噪声小于27 dB,探测器光轴方向自身振动力最大约1.1 N。目前正在进行环境适应性和可靠性验证,完成后就可实现商用量产。

非制冷型InAsSb光电探测器及其应用

InAsSb是1种窄禁带超晶格材料,也是1种性能优良的红外探测器材料。本文根据红外引信对目标识别的要求,首先将非制冷型InAsSb探测器与其它非制冷型探测器作一比较,然后具体分析4种InAsSb材料光电二极管的结构及性能,特别是各种因素对探测器性能的影响。

MBE生长的InAs_(1-x)Sb_x外延层Eg和x测量

MBE生长的外延三元化合物材料InAs1 xSbx/AlSb/GaAs等是研制红外光通讯探测器的重要材料 ,准确检测这些半导体的禁带宽度Eg和组份x是个重要课题。该文简要地提出与本研究有关的二维 (2D)体系态密度D2D和自由载流子面密度等物理量的数学表达式并采用变温Vander Pauw Hall实验对上述半导体样品进行测试 ,分别用 2D和 3D体系的理论对实验数据进行分析处理 ,实验结果表明 :2D理论得出的Eg和x比 3D理论处理有明显改善 。

液相外延制备的InAs0.94Sb0.06薄膜的光学性质

采用液相外延方法在In As衬底上制备了In As0.94Sb0.06外延薄膜.分别通过高分辨率X射线衍射谱和扫描电子显微镜测试对样品的结构特性和截面形貌进行表征分析,外延薄膜的晶体质量较好.利用样品在3 000-6 000 nm波段内的椭圆偏振光谱,结合介电函数模型,拟合得到了室温下In As衬底和In As0.94Sb0.06薄膜位于禁带位置附近的的折射率和消光系数光谱.由禁带位置附近的折射率能量增强效应确定In As0.94Sb0.06薄膜的禁带宽度为0.308 e V.

InAs/GaSb超晶格红外探测器台面湿法腐蚀研究

研究了不同腐蚀体系对InAs/GaSb超晶格材料台面的刻蚀,并从中选择了由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的酒石酸腐蚀体系。该体系较适合InAs/GaSb超晶格材料的刻蚀,刻蚀速率稳定,下切效应小。进一步研究发现当HF达到一定浓度后不再影响刻蚀速度;在较低的酒石酸和双氧水浓度下,刻蚀速度是由氧化过程控制,且反应速度和双氧水的浓度成正比。腐蚀液配比为酒石酸(3.5g)∶H2O2(4mL)∶HF(1mL)∶H2O(400mL),刻蚀速度约为0.5μm/min。

InAsSb势垒阻挡型红外探测器暗电流特性研究

计算了不同温度下由辐射复合和俄歇复合决定的InAsSb材料的载流子寿命,结果表明,低温下n型InAsSb材料的载流子寿命受限于辐射复合过程,而高温下InAsSb材料的载流子寿命取决于Auger 1复合过程。讨论了势垒阻挡型器件的暗电流解析模型及暗电流抑制机理,通过在nBn吸收层的另一侧增加重掺杂的n型电极层形成nBnn+结构对吸收区内的载流子进行耗尽,吸收区少数载流子浓度降低约两个数量级,从而进一步降低器件暗电流。成功制备了InAsSb-基nBnn+器件,150 K下器件暗电流低至3×10^(-6) A/cm^(2),采用势垒结构器件的暗电流解析模型对150 K下器件的暗电流进行拟合分析,结果表明由于势垒层为p型掺杂,在吸收层形成耗尽区,导致器件中的产生复合电流并没有完全被抑制,工作温度低于180 K,器件暗电流受限于产生复合电流,工作温度高于180 K,器件暗电流受限于扩散电流。

分子束外延生长InAsSb材料的组分控制（英文）

采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比As原子,Sb原子更易并入晶格中.利用该特性可较好实现InAsSb材料的组分控制.

2～4μm波长的InAsPSb异质结激光管材料的液相外延

采用液相外延方法，生长出外延层与衬底之间的失配度△α／α≤１．６×１０－３界面平直、组分恒定的ＩｎＡｓＰＳｂ／ＩｎＡｓ外延晶体．单异质结外延层，得到了３．０９μｍ波长的激光输出，双异质结外延片也得到了较好的伏－安特性曲线．

高分辨光谱用InAsSb／InAsSbP注入式激光器

高分辨光谱用ＩｎＡｓＳｂ／ＩｎＡｓＳｂＰ注入式激光器１．引吉建造在３～４μｍ光谱区振荡的、具有窄光谱线（Ａλ／λ≈１０－７）的频率平稳可调注入式激光器，在目前看来是必要的。主要是因为这一光谱区能开发很多重要的和实用的课题，例如：高分辨率分子光谱学、化...