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LP-MOCVD生长InGaAlP外延层In组分控制的动力学分析 被引量：1
1
作者 文尚胜 范广涵 +1 位作者 廖常俊 刘颂豪 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期175-178,共4页
本文分析了低压转盘ＭＯＣＶＤ生长室中气流的流动特征，首次提出了在高温（７００℃左右）下生长ＩｎＧａＡｌＰ外延层时，抑制Ｉｎ组分脱吸附的“动压力模型”．解释了托盘转速和生长压力等生长参数对Ｉｎ组分控制的影响．
关键词 低压有机金属化学气相外延 INGAALP 铟组分 控制 外延层生长 动力学分析
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