使用多量子阱有源层InGaAlP可见发光二极管的发射特性

研制出使用多量子阱有源层的可见ＩｎＧａＡｌＰ发光二极管。光致发光测试结果表明，与单纯衬底相比，在具有由（１００）面向「０１１」方向故意表面误取的ＧａＡｓ衬底上进行生长可以明显地改进多量子阱的质量。发光二极管的发射特性主要取决于多量子阱结构的参数变化，尤其是量子阱数量的变化。