铟锡合金真空蒸馏分离的研究

研究了真空蒸馏法分离铟锡合金,回收金属铟与锡的新工艺。从理论上分析了铟与锡分离的可能性和规律性,并进行工业化试验。工业化试验的结果表明,控制蒸馏温度1050℃,真空度3 Pa时,铟锡合金中的铟与锡能在较大程度上分离开,得到含铟量大于95%的粗铟,粗铟中的含锡量降至1%以下。铟的直收率达到92%,物料的总回收率达到99%。该方法是铟锡分离中流程短、无污染、低能耗的新工艺、新技术。

退火温度对铟锡合金薄膜结构和性能的影响

采用铟锡合金作为溅射源，通过直流反应磁控溅射和在大气环境下高温退火，制备出了性能优良的ＩＴＯ薄膜，其太阳光谱透射率大于９０％。在放电参数、工作气体压力、反应气体流量、沉积时间等工艺参数相同的条件下，研究了退火温度对薄膜表面形貌、化学成分、晶体结构、光学和电学性能的影响。

铟锡合金中铟的测定

研究建立了一种用于测定铟锡合金中铟含量的方法。该法利用萃取和反萃取将铟与锡及其它杂质分离 ,避免了锡对铟测定的干扰 ,反萃取的铟用EDTA标准溶液络合滴定 ,通过EDTA溶液消耗量测得合金中铟的含量。该法解决了含常量铟的铟合金中铟的测定问题。方法相对标准偏差小于 0 .14%,回收率为 99.79%,能满足铟锡合金的常规分析。

铟锡合金碱法分离的研究

以含铟 5 1 8 %、锡 4 8 1%的铟锡合金为原料进行碱法分离 ,以分别回收铟、锡。讨论了影响碱溶效果的三个主要因素。得出铟钨分离的最佳条件是 [NaOH]=2 .0mol/L ,温度 6 0～ 6 5℃ ,洗涤 2次。通过ICP分析 ,粗铟纯度达 99 9%以上 ,铟直收率达 95 %。

Bi-In-Sn合金熔化温坪优化方法探索

为了提高红外遥感高精度测量水平,研发适用于红外遥感测温范围的次级固定点已成为提高在轨温度标定精度的重要手段。针对红外遥感领域涉及的温度范围(190~350 K),研制了Bi-In-Sn三元合金固定点。为提高三元合金温坪复现水平,采用预熔方法对三元合金固定点进行预处理,分析不同热工况对三元合金温坪的影响,获得适用于该三元合金固定点复现方法。结果表明,适当地预热与预熔能够优化固定点温坪复现水平,优化后的Bi-In-Sn合金熔化温坪持续7 h以上,复现性优于1.3 mK;通过对Bi-In-Sn共晶点赋值获得其温度为333.7318 K,扩展不确定度为3.0 mK(k=2)。

近贴聚焦成像器件管体熔铟层气孔产生的因素分析

为解决成像器件管体熔铟层产生流散不均匀、熔层断裂、体内气泡造成的光电阴极与管体封接漏气问题,深入分析了产生根源,研究了一种管体注铟技术,使管体注铟合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到了98%。

熔盐电解法制备高纯铟

以还原ITO废料得到的铟锡合金为原料,氯化铟和氯化锌的混合盐为电解质,采用熔盐电解法经过两次电解,可以制备出纯度达到4N5的高纯铟,相对于湿法电解工艺,产率提高至少2倍,且工艺过程不产生废水。

响应面优化氢气还原ITO废靶的研究

研究了氢气还原ITO废靶工艺的条件,考察了温度、时间以及氢气流量对还原率的影响。通过响应曲面实验设计,建立了氢气还原ITO废靶过程的回归模型,此模型能较好的反映还原率与多个影响因素之间的关系。经过优化所获得的实验条件为:温度800℃、时间120min、氢气流量3L/min,在此工艺条件下的还原率达96.48%,与模型预测值相近。