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超高亮度蓝色铟镓氮单量子阱发光二极管
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作者 方志烈 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期89-91,共3页
介绍了InGaN单量子阱超高亮度蓝色LED的结构和性能,其发光强度、峰值波长和光谱半宽在正向电流为20mA时,分别为8cd、450nm和25nm。
关键词 发光二极管 铟镓 量子 蓝色发光二极管
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InGaN/GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响
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作者 李超荣 吕威 张泽 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期402-402,共1页
关键词 半导体材料 铟镓氮/氮化镓量子阱 超晶格结构 应变弛豫 临界厚度 透射电子显微镜 X射线衍射
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GaN基量子阱的激子跃迁和光学性质 被引量:2
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作者 熊飞 《物理实验》 北大核心 2004年第5期46-48,共3页
采用光致发光谱、光致发光激发谱以及拉曼光谱对GaN基量子阱材料进行了实验观察和分析 .实验结果表明样品中量子点结构不均匀及InGaN层中In成分分布不均匀 ,且其光致发光谱的波峰是由自由激子辐射复合发光引起的 .
关键词 氮化镓 半导体材料 量子 光致发光谱 光致发光激发谱 拉曼光谱 激子跃迁
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InGaN/GaN多量子阱纳米线发光二极管制备及研究 被引量:1
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作者 曹瑞华 殷垚 +4 位作者 陈鹏 万青 濮林 施毅 郑有炓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期24-28,共5页
用SiO2纳米图形层作为模板在以蓝宝石为衬底的n-GaN单晶层上制备了InGaN/GaN多量子阱纳米线,并成功实现了其发光二极管器件(LED)。场发射扫描电子显微镜(FESEM)的测量结果表明,InGaN/GaN多量子阱纳米线具有光滑的表面形貌和三角形的剖... 用SiO2纳米图形层作为模板在以蓝宝石为衬底的n-GaN单晶层上制备了InGaN/GaN多量子阱纳米线,并成功实现了其发光二极管器件(LED)。场发射扫描电子显微镜(FESEM)的测量结果表明,InGaN/GaN多量子阱纳米线具有光滑的表面形貌和三角形的剖面结构。室温下阴极射线荧光谱(CL)的测试发现了位于461 nm处的强发光峰,其峰位与多量子阱薄膜相比发生了明显的蓝移。I-V测量表明,多量子阱纳米线LED具有典型的p-n结伏安特性,在20 mA注入电流下,开启电压为4.28 V,且与多量子阱LED的绿色发光相比,其电致发光偏紫色。 展开更多
关键词 铟镓/氮化镓量子纳米线 阴极射线荧光谱 发光二极管
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InGaAsN量子阱的光致发光谱研究(英文) 被引量:2
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作者 林雪娇 蔡加法 吴正云 《光散射学报》 2004年第1期70-75,共6页
我们测量了低N组分的InGaAsN/InGaAs/GaAs量子阱材料的光致发光(PL)谱,测量温度范围从13K到300K。实验结果显示,InGaAsN的PL谱的主峰值的能量位置随温度的变化呈现出反常的S型温度依赖关系。用Varshni经验公式对实验数据进行拟合之后,... 我们测量了低N组分的InGaAsN/InGaAs/GaAs量子阱材料的光致发光(PL)谱,测量温度范围从13K到300K。实验结果显示,InGaAsN的PL谱的主峰值的能量位置随温度的变化呈现出反常的S型温度依赖关系。用Varshni经验公式对实验数据进行拟合之后,发现在低温下InGaAsN量子阱中的载流子是处于局域态的。此外,我们还测量了样品在不同的温度、不同的能量位置的瞬态谱,结果进一步证实了:在低温下,InGaAsN的PL谱谱峰主要是局域态激子的复合发光占据主导地位,而且InGaAsN中的载流子局域态主要是由N等电子缺陷造成的涨落势引起的。 展开更多
关键词 半导体材料 铟镓 光致发光谱 量子 数据拟合 载流子局域态
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InGaN量子点红光Micro-LED研究
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作者 余鹿鸣 汪莱 +9 位作者 王磊 杨沛珑 郝智彪 余佳东 罗毅 孙长征 熊兵 韩彦军 王健 李洪涛 《微纳电子与智能制造》 2021年第3期106-110,共5页
微型发光二极管被认为是下一代显示技术,但到目前为止,主流AlGaInP红光器件的微型化仍然存在瓶颈。InGaN量子点技术由于其独特的自组装生长机制,拥有较好的晶体质量、较高的In组分并入效率,对刻蚀损伤的耐受能力也更强,是提升红光微型... 微型发光二极管被认为是下一代显示技术,但到目前为止,主流AlGaInP红光器件的微型化仍然存在瓶颈。InGaN量子点技术由于其独特的自组装生长机制,拥有较好的晶体质量、较高的In组分并入效率,对刻蚀损伤的耐受能力也更强,是提升红光微型发光二极管性能的极具潜力的技术路线。通过使用渐变组分超晶格与掺杂蓝光量子阱的复合结构作为预应变层,拓展了InGaN量子点样品的发光波长,获得了芯片尺寸20~100μm的微型发光二极管器件,其峰值波长和外量子效率随电流密度的变化跟尺寸的依赖关系不明显。40~100μm的微型发光二极管在<1 A/cm^(2)的小注入电流密度下发光峰值波长在610~650 nm,验证了量子点技术作为红光微型发光二极管潜在技术路线的优势。 展开更多
关键词 量子 预应变层 量子 超晶格 氮化镓 铟镓 MOCVD
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LP-MOCVD生长InGaN及InGaN/GaN量子阱的研究 被引量:2
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作者 刘宝林 陈松岩 +3 位作者 吴正云 陈朝 陈丽蓉 黄美纯 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期997-1000,共4页
利用 MOCVD系统在 Al2 O3衬底上生长 In Ga N材料和 In Ga N/ Ga N量子阱结构材料。研究发现 ,In Ga N材料中 In组份几乎不受 TMG与 TMI的流量比的影响 ,而只与生长温度有关 ,生长温度由 80 0℃降低到 74 0℃ ,In组份的从 0 .2 2增加到 ... 利用 MOCVD系统在 Al2 O3衬底上生长 In Ga N材料和 In Ga N/ Ga N量子阱结构材料。研究发现 ,In Ga N材料中 In组份几乎不受 TMG与 TMI的流量比的影响 ,而只与生长温度有关 ,生长温度由 80 0℃降低到 74 0℃ ,In组份的从 0 .2 2增加到 0 .4 5 ;室温 In Ga N光致发光光谱 (PL)峰全半高宽 (FWH M)为 15 .5 nm;In Ga N/ Ga N量子阱区 In Ga N的厚度 2 nm,但光荧光的强度与 10 0 nm厚 In Ga N的体材料相当。 展开更多
关键词 LP-MOCVD INGAN INGAN/GAN 量子 Ⅲ-V基化合物 铟镓三元化合物
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InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构 被引量:1
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作者 刘祥林 董逊 黎大兵 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第1期5-9,共5页
研究了用MOCVD方法生长InGaAlN四元合金材料的生长规律,发现生长温度在800~880℃,其In组分随生长温度升高而降低。用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质。光致发光谱表明InGaAlN的发光强度随温度衰减规律与InGaN类似,... 研究了用MOCVD方法生长InGaAlN四元合金材料的生长规律,发现生长温度在800~880℃,其In组分随生长温度升高而降低。用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质。光致发光谱表明InGaAlN的发光强度随温度衰减规律与InGaN类似,但比GaN慢,室温下比GaN的发光强度大1个数量级以上。时间分辨光谱表明,在InGaAlN中存在低维结构的铟聚集区———在没有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子盘的二维铟聚集区;而在有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子点的零维铟聚集区。 展开更多
关键词 铟镓 四元合金 光学性质 低维结构 铟聚集 晶格常数 禁带宽度 量子 发光二极管 时间分辨光谱
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采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED 被引量:1
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作者 齐胜利 陈志忠 +8 位作者 潘尧波 郝茂盛 邓俊静 田朋飞 张国义 颜建锋 朱广敏 陈诚 李士涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期216-218,共3页
大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/GaN多量子阱(MQW)有源区之间插入p型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB... 大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/GaN多量子阱(MQW)有源区之间插入p型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB)电子阻挡层,利用多量子势垒对电子的量子反射作用,有效地解决了大注入下载流子泄漏问题。与未使用多量子势垒电子阻挡层的样品相比,MQB样品的光功率和外量子效率分别提高了约80%和100%。 展开更多
关键词 氮化镓 量子 发光二极管 铝镓/氮化镓 量子势垒 量子效率
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基于量子微扰的AlGaN/GaN异质结波函数半解析求解 被引量:4
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作者 李培咸 郝跃 +3 位作者 范隆 张进城 张金凤 张晓菊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期2985-2988,共4页
基于量子力学微扰理论的分析 ,得到AlGaN GaN异质结波函数的半解析模型 .给出了模型的理论分析和计算结果 .对于相同问题 ,给出了与差分算法的对照结果 .与传统的差分方法相比 ,半解析方法具有收敛性强、大规模问题计算效率高的特点 ,... 基于量子力学微扰理论的分析 ,得到AlGaN GaN异质结波函数的半解析模型 .给出了模型的理论分析和计算结果 .对于相同问题 ,给出了与差分算法的对照结果 .与传统的差分方法相比 ,半解析方法具有收敛性强、大规模问题计算效率高的特点 ,更适合作为AlGaN GaN异质结量子阱的求解算法 . 展开更多
关键词 镓铝 氮化镓 量子微扰 量子 薛定谔方程 异质结波函数 量子力学 差分算法 半导体材料
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