波长拓展型InGaAsBi近红外探测器

InGaAs光电探测器广泛应用于短波红外检测。在InGaAs中掺入Bi可以减小带隙,延长探测波长。通过控制In和Bi的组分可使In_(y)Ga_(1-y)As_(1-x)Bix与InP晶格匹配,同时,扩展探测波长至3μm以上。设计并研究了In_(0.394)Ga_(0.606)As_(0.913)Bi_(0.087)p-i-n光电探测器的光电性能。计算了不同温度、吸收层厚度和p(n)区掺杂浓度下的暗电流和响应率特性。获得了3μm的截止波长。该结构为拓展InP基晶格匹配的短波红外探测器的探测波长提供了一种可行的方法。