自发有序Ga_（0．5）In_（0．5）P合金的拉曼光谱研究

自发有序Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ合金的拉曼光谱研究李国华，刘振先，韩和相，汪兆平，董建荣（中国科学院半导体研究所，半导体扭晶格国家重点实验室北京１０００８３）（中国科学院半导体研究所，半导体材料科学实验室北京１０００８３））ＲａｍａｎＳｃａ...

自发有序Ga_（0．5）In_（0．5）P合金的喇曼光谱研究

在室温和非共振条件下测量了自发有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ合金的喇曼散射谱。测得的３８０，３６０和３３０ｃｍ－１附近的三个散射峰分别归结于合金中的类ＧａＰ的ＬＯ模、类ＩｎＰ的ＬＯ模和ＴＯＭ。发现有序合金的类ＧａＰ的ＬＯ模的声子频率随着合金的带隙能量的降低而增大。认为这与在有序合金中形成沿［１１１］方向的（ＧＳＰ）１／（ＩｎＰ）１单层超晶格有一定联系。在几种偏振配置下测得的有序合金的喇曼谱的偏振特性与通常的闪锌矿结构的半导体材料的偏振特性类似。

In_(0.5)(Ga_(1-x)Al_x)_(0.5)P合金的掺杂生长特性

利用LP MOCVD分别生长Zn和Si掺杂的In0 5(Ga1-xAlx) 0 5P外延层 ,研究生长温度、掺杂源流量、Ⅴ/Ⅲ比、Al组分以及衬底晶向偏离等生长条件对外延层掺杂浓度的影响。实验结果表明 :降低生长温度和Al含量、增加DEZn流量、选择由 (10 0 )向 (111)A偏 6～ 15°的衬底都有利于增加InGaAlP合金中Zn的掺杂浓度 ;提高生长温度和增加SiH4流量、减小Al含量和Ⅴ/Ⅲ比 ,都有助于增加Si掺杂浓度 。