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InGaAlP LED发光特性分析
被引量:
5
1
作者
郑智斌
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2003年第6期450-453,共4页
InGaAlPLED发光效率高,性能稳定,应用相当广泛。在InGaAlPLED的应用中,发光特性是相当重要的参数,而发光强度和半强度角是LED发光特性的两个主要参数。介绍了不同的InGaAlPLED芯片结构,分析了其发光特点及封装后的发光特性,讨论了不同...
InGaAlPLED发光效率高,性能稳定,应用相当广泛。在InGaAlPLED的应用中,发光特性是相当重要的参数,而发光强度和半强度角是LED发光特性的两个主要参数。介绍了不同的InGaAlPLED芯片结构,分析了其发光特点及封装后的发光特性,讨论了不同的反射式支架结构对其发光特性产生的不同影响。
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关键词
发光
二极管
发光
效率
发光
强度
铟镓铝磷发光二极管
芯片结构
下载PDF
职称材料
题名
InGaAlP LED发光特性分析
被引量:
5
1
作者
郑智斌
机构
厦门华联电子有限公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2003年第6期450-453,共4页
文摘
InGaAlPLED发光效率高,性能稳定,应用相当广泛。在InGaAlPLED的应用中,发光特性是相当重要的参数,而发光强度和半强度角是LED发光特性的两个主要参数。介绍了不同的InGaAlPLED芯片结构,分析了其发光特点及封装后的发光特性,讨论了不同的反射式支架结构对其发光特性产生的不同影响。
关键词
发光
二极管
发光
效率
发光
强度
铟镓铝磷发光二极管
芯片结构
Keywords
LED
InGaAlP
luminous characteristics
luminous intensity
half-intensity angle
lead frame
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
TN383 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
InGaAlP LED发光特性分析
郑智斌
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2003
5
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职称材料
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