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NEA GaAs光电阴极激活工艺研究
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作者 张书明 孙长印 +5 位作者 朱李安 赛小峰 程昭 何益民 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第8期745-748,共4页
本文报道了 GaAs 反射式光电阴极的激活工艺过程和结果.通过实验确定了 GaAs表面的热清洁温度,利用钼丝热辐射加热方法达到了比较理想的清洁效果,采用铯分子源和高纯氧作氧源获得了高于1000μA/1m 的激活积分灵敏度.
关键词 光电阴极 热清洁 激活 砷化镓 铯分子源
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