铯溅射型负离子源中Cs~+离子产额的实验研究

通过电离表面的痕量分析和Ｃｓ＾＋离子产额的测量，研究了功函数、表面温度及铯通量等因素对铯溅型负离子源表面电离效率的影响。结合Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｓａｈａ表面电离理论，提示Ｃｓ＾＋离子产额饱和的原因。提出一项改进措施－－透射型表面电离源，就其性能进行了讨论。

超灵敏小型回旋加速器质谱计的Cs溅射负离子源的研制和性能

一台用于超灵敏质谱（AMS）的带有多靶机构的强流溅射负离子源己经研制完成,为了满足AMS的特殊要求,源的设计着重解决提高流强、降低记忆效应及改善发射度等方面的问题,并且十分注意性能的可靠性与稳定性。样机在试验台架上进行了一年多的调试并进一步作了改进,迄今已引出了10μA Be0、5μA Al、4.5μA Fe、350μA C-以及其他十余个离子品种,100μA以下测得的归一化发射度为（2-4）πmm.mrad.MeV1/2,对记忆效应与电离效率也进行了初步测定。

^129 I 加速器质谱分析研究

通过对129I加速器质谱(AMS)分析中影响敏度和准确度各种参数的研究,如靶电极制备、压样、靶样中辅助介质(Matrix)的选择及使用比例等,优化了用于3 MV加速器质谱仪的SO-110型离子源的条件参数,确定129I-AMS测量的最佳靶电极材料为Cu,最佳的辅助介质为Nb粉末,Nb与AgI样品的最佳体积比为3∶1。在此条件下可以获得稳定且持续的I-束流进行测量129I/127I原子比值,实验测得西安加速器质谱仪的129I/127I本底值为1.52×10-14。