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GaAs阴极激活铯源质量对成像器件性能的影响
1
作者
徐江涛
徐珂
《真空电子技术》
2010年第6期68-70,共3页
为了解决三代微光器件研究中出现的阴极灵敏度低、光电发射不均匀、稳定性差等问题,重点开展了铯源质量对阴极性能产生影响的试验研究。结果表明,激活铯源纯度、装配结构、铯源与阴极距离对阴极光电发射灵敏度、均匀性影响最大。铯源出...
为了解决三代微光器件研究中出现的阴极灵敏度低、光电发射不均匀、稳定性差等问题,重点开展了铯源质量对阴极性能产生影响的试验研究。结果表明,激活铯源纯度、装配结构、铯源与阴极距离对阴极光电发射灵敏度、均匀性影响最大。铯源出口孔径多少大小及射出方向是阴极产生暗班的主要原因。在铯源材料成分结构与阴极距离确定之后,阴极灵敏度的高低主要决定于对铯源的除气工艺,通过对铯源除气工艺进行优化,制备出了阴极灵敏度大于1700μA/lm三代微光器件。
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关键词
GaAs阴极
铯源质量
成像
器件
光电发射
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职称材料
题名
GaAs阴极激活铯源质量对成像器件性能的影响
1
作者
徐江涛
徐珂
机构
北方夜视技术集团股份有限公司
西安应用光学研究所
出处
《真空电子技术》
2010年第6期68-70,共3页
文摘
为了解决三代微光器件研究中出现的阴极灵敏度低、光电发射不均匀、稳定性差等问题,重点开展了铯源质量对阴极性能产生影响的试验研究。结果表明,激活铯源纯度、装配结构、铯源与阴极距离对阴极光电发射灵敏度、均匀性影响最大。铯源出口孔径多少大小及射出方向是阴极产生暗班的主要原因。在铯源材料成分结构与阴极距离确定之后,阴极灵敏度的高低主要决定于对铯源的除气工艺,通过对铯源除气工艺进行优化,制备出了阴极灵敏度大于1700μA/lm三代微光器件。
关键词
GaAs阴极
铯源质量
成像
器件
光电发射
Keywords
GaAs cathode
Cesium mass
Imaging
Device
Photoemission
分类号
TN383 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs阴极激活铯源质量对成像器件性能的影响
徐江涛
徐珂
《真空电子技术》
2010
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