高熔点单晶生长用铱坩埚制备技术及应用

铱坩埚作为高熔点单晶生长容器具备高温性能优异、耐持久性、温度场均匀、抗氧化中毒、良好的抗热震性等性能。采用高频熔炼热浇铸和热加工制备了大直径铱坩埚，具有材料纯度高、晶粒细小、组织均匀、致密度高、加工性能优异等特点，其高温力学性能、热稳定性和服役寿命等均有明显提高。在不同温度进行退火处理，并进行了显微组织分析和显微硬度测试。结果表明，适当的退火温度和加工率可以降低铱板材的硬度，改善材料的塑性变形及加工能力。获得了适合大直径铱坩埚热加工制度为：退火温度在1300～1500℃，道次加工率为10％～15％。

废铱坩埚提纯铱工艺研究

以含Ir～70%的废铱坩埚为原料,经铝熔炼碎化、酸浸预除铝、过氧化钠熔融、王水浸出、铱溶液提纯、母液回收等工序,获得纯度大于99.95%的铱粉,产品质量符合GB/T1422-2004SMIr-99.95要求。铱直收率大于85%,总回收率大于95%。

Lu_2SiO_5∶Ce晶体生长中存在的主要问题

用提拉法生长了40mm×60mm的Lu2SiO5∶Ce(LSO∶Ce)晶体,讨论了晶体生长中存在的3个主要问题:(1)偏组分;(2)铱金坩埚的被熔蚀和挥发;(3)LSO晶体中的包裹体。生长LSO晶体过程中SiO2容易挥发,在籽晶夹和炉膛内结晶成方石英相,造成组分偏析;在高温下铱金坩埚会被熔蚀,铱则会直接挥发,熔体中出现铱金碎片,严重影响接种、缩颈工艺等,所生长晶体表面也会粘附很多铱金颗粒,采用双抽双充气的办法减弱了铱金的挥发,基本上克服了铱金的干扰;LSO晶体中出现的包裹物主要是Lu2O3,也有极少量的气孔,Lu2O3主要是由于固相反应不彻底和SiO2挥发引起的。

5英寸钽酸锂晶体生长工艺技术研究

本文着重介绍了用铱坩埚提拉法生长5英寸钽酸锂(LT)晶体的工艺过程,该工艺使用超大尺寸铱坩埚生长LT晶体;设计了稳定并可调节纵向及径向温度梯度的温场;采用了大量程、高灵敏度的上称重技术;运用逆向模拟法的模拟体设计。这些技术的集成,是5英寸晶体生长成功的必要保证。

使用TDL-J75型单晶炉生长大直径YAG晶体工艺

本文结合作者生产、实验工作 ,介绍了使用TDL J75型单晶炉 ,采用中频感应加热、铱坩埚引上法生长直径 5 0～ 75mm、单晶重量 36 0 0g左右的YAG晶体工艺。用该工艺生长直径 5 0mm晶体的合格率可达 85 %以上 ,生长直径75mm晶体的合格率达 75 %以上 。