电沉积铱镍薄膜电催化剂及其析氢性能

采用电沉积技术在泡沫铜上制备了铱镍(Ir-Ni)合金薄膜,并利用泡沫铜(CF)的三维多孔结构和Ir-Ni合金的优良催化及抗腐蚀性来提升薄膜的电催化析氢反应(HER)性能。本文在恒电流条件下通过电沉积技术在泡沫铜上制备了Ir-Ni薄膜,并与泡沫铜上电沉积制备的纯Ir和纯Ni薄膜进行了比较。通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和X射线光电子能谱仪(XPS)分析了薄膜的表面形貌和化学成分,采用线性扫描伏安法(LSV)测试了其电催化性能。结果表明:Ir-Ni薄膜成功附着在具有多孔结构和空心形貌的泡沫铜上,其表面比纯Ni薄膜粗糙。薄膜主要由金属态Ir组成,含量为(80.0±1.2)at.%。Ir-Ni/CF表现出出色的HER性能,仅需要60 mV的过电位就能获得10 mA·cm^(–2)电流密度,塔菲尔斜率(Tafel)低至40 mV·dec^(–1),交换电流密度j0为0.657 mA·cm^(–2),达到了商用Pt/C催化剂的87.6%。并且在碱性溶液中,长时间的析氢实验显示Ir-Ni/CF具有良好的电催化稳定性。相比于Ir/CF和Ni/CF,Ir-Ni/CF的电催化活性显著提升,这主要归因于两方面的因素:一方面是薄膜相对粗糙的表面增加了活性中心的表面积,另一方面是Ir与Ni在析氢反应中的协同效应。

氧化铱薄膜的制备及其导电机理研究

采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了高导电的IrO2薄膜,重点研究了退火前后其电学性能和微观结构的变化规律。采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光电子能谱(XPS)和四探针法对退火前后IrO2薄膜的结构和电性能进行了表征,并利用霍尔效应研究了IrO2薄膜的导电机理。结果表明:IrO2薄膜在空气中退火后,导电性能得到提高,其中在750℃退火的电阻率达到最小值37μΩ.cm。在25～500℃范围内,IrO2薄膜的高温电阻率随着温度的升高呈线性关系逐渐增大,呈现出类似金属的导电特征。在250～400℃沉积的IrO2薄膜载流子的类型为p型;沉积温度较高(500℃)或在更高温度退火处理后,IrO2薄膜载流子的类型为n型,其导电机理以电子导电为主。

一种新的β二酮铱MOCVD前驱体的制备及成膜性能

从铱盐和配体2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮(thd)出发合成了一种新的β二酮前驱体Ir(thd)3,通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱等手段对合成的前驱体进行了结构表征。热重分析表明,当温度升到290℃,前驱体基本挥发完全。使用合成的前驱体通过MOCVD沉积制备铱薄膜,利用XRD和AFM分析手段对薄膜的结构和表面形貌进行了表征。结果表明,所得到的薄膜的物相为铱晶相,无其它的杂质峰存在,薄膜表面连续、致密。

脉冲激光沉积技术制备IrO_2薄膜的研究

利用脉冲激光沉积（PLD）技术，在Si（100）衬底上制得了导电氧化铱（IrO2）薄膜。讨论了沉积参数（O2分压、衬底温度）对IrO2薄膜的结构、表面形貌和导电性的影响。结果表明：20Pa为最佳O2分压、400℃～500℃为适宜的沉积温度，此条件下制得的IrO2薄膜结晶完整，组织均匀、形状一致，排列致密，其最低电阻率约为42μΩ·cm。

Ir薄膜的化学气相沉积制备及SEM研究

以乙酰丙酮铱为沉积源物质，采用化学气相沉积法在金属钼基体上制备铱薄膜，研究基体加热温度对铱薄膜沉积速率的影响。发现铱在钼基体的生长规律不符合Arrhenius公式，当Tsub低于750℃时，Dr随Tsub的上升而直线增加；而当Tsub高于750℃，Dr则随Tsub的上升而呈直线降低，Dr值在750℃时达到最大。SEM研究表明，铱薄膜以约0．1μm的颗粒沉积生长，表面形貌与钼基体表面加工痕迹相对应，铱薄膜中的氧含量与沉积过程通入的氧气流量有关。

铱的纳米氧化物作为神经电极(英文)

厚度为30nm和60nm的铱薄膜应用电子束蒸发硅(Si)和商用纯钛(CP)Ti的薄片而制成 铱薄膜的性能表明它与大片的由Ir和Ir氧化物培育的成纤维细胞Ir.Swiss3T3具有相同的电荷注射性能,并且没有细胞毒性 也表明。