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银基汞膜微电极测定痕量亚硝酸根的研究 被引量:1
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作者 匡云飞 邹建陵 +1 位作者 邓培红 冯泳兰 《化学世界》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期521-523,共3页
基于甲基橙亚硝化产物在银基汞膜电极上的吸附行为,提出了一种测定痕量亚硝酸根的新方法。该法在0.5mol/L H2SO4介质中,甲基橙与NO^- 2的亚硝化反应产物在银基汞膜电极上于-0.262V(vs.SCE)处可获得灵敏的吸附波。其二阶导数峰... 基于甲基橙亚硝化产物在银基汞膜电极上的吸附行为,提出了一种测定痕量亚硝酸根的新方法。该法在0.5mol/L H2SO4介质中,甲基橙与NO^- 2的亚硝化反应产物在银基汞膜电极上于-0.262V(vs.SCE)处可获得灵敏的吸附波。其二阶导数峰值与亚硝酸根浓度在1.4×10^-9~8.6×10^-7mol/L范围内成正比,检出限为8.0×10^-10mol/L。利用该法测定了水样中的亚硝酸根,结果令人满意。并研究了吸附溶出波行为及反应机理。 展开更多
关键词 银基汞膜微电极 吸附伏安法 亚硝酸根 甲基橙
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