低辐射薄膜中Ag层前后介质对膜层电学性能的影响

银在低辐射镀膜玻璃中起着举足轻重的作用,银层的生长质量也决定了低辐射镀膜玻璃产品电学性能的差异。通过研究银层前后材料,在保证银层厚度不变的前提下研究材料变化对膜层整体电学性能的影响,从而反应银层生长质量的好坏。结果表明,结构为ZnSnO/ZnO/Ag/ZnO/ZnSnO时,其膜层的电学性质最为优异。

ZnO工艺对主体结构为ZnO/Ag/ZnO的低辐射薄膜膜层电学性能的影响

对低辐射薄膜电学性能的研究可以反应出功能层银的生长质量,而银的生长质量也决定了低辐射薄膜的性能。通过改变主体结构为ZnO/Ag/ZnO的低辐射薄膜中ZnO的氧气含量、工艺气压及厚度,研究其对薄膜的电学性能的影响。结果表明,当氧化锌氧气含量大于76%,工艺气压在0.62 Pa左右,前氧化锌厚度为10 nm,后氧化锌厚度大于等于5 nm时,膜层的电学性质最为优异。

薄膜中ZnO/Ag的相对厚度对电学性能的影响

银作为低辐射镀膜玻璃的功能层,保证了低辐射镀膜玻璃具有优异的热力学性能。截至目前,银在低辐射镀膜玻璃中仍然起着不可替代的作用。而银层生长质量的好坏则决定了低辐射镀膜玻璃产品性能的好坏。通过对膜层结构中ZnO/Ag的相对厚度对电学性能的研究,当同时满足ZnO的厚度为4 nm,Ag的厚度为10 nm时,膜层的电学性质最为优异。