银氧化镉材料退火状态对氧化物聚集改善效果的研究

通过试验验证内氧化法银氧化镉材料冲制形变前不同退火温度和时间对其晶粒再结晶程度、材料硬度和表层氧化层厚度等的影响以及在不同晶粒再结晶状态和硬度下产品冲制形变和内氧化后对其晶界氧化物聚集改善效果的影响,分析得出内氧化法银氧化镉材料成型前选择合适的退火温度和时间可明显改善其晶界氧化物聚集的结论。

固相扩散提升化学包覆银氧化锡材料的电性能试验

采用固相扩散工艺对化学包覆后的银氧化锡粉末进行处理,用等静压、烧结、挤压、拉丝等加工工艺对材料进行加工,将其与未经过固相扩散工艺的化学包覆银氧化锡材料的物理性能、力学性能以及电性能进行对比。结果表明:固相扩散银氧化锡材料组织的均匀性以及电性能均有显著提升。

直流条件下不同银氧化锡电接触材料电性能研究

采用合金内氧化法制备了不同AgSnO_(2)In_(2)O_(3)材料及铆钉,在DC 13.5 V/25 A、阻性负载条件下进行模拟电性能试验。比较了3种丝材的力学性能与显微组织,研究了不同AgSnO_(2)In_(2)O_(3)材料的电性能影响作用机理。得出结论:随着Sb_(2)O_(3)含量的增加,丝材密度、硬度、抗拉强度呈现出逐渐降低的趋势;当Sb_(2)O_(3)含量较低时,以材料转移机理为主,随着Sb_(2)O_(3)含量的增加,触点以消耗机理为主;当Sb_(2)O_(3)含量为1%时,抗熔焊性能最优;适量的Sb_(2)O_(3)通过增加熔桥的脆性从而提高触点材料的抗熔焊性能。

替代银氧化镉和银氧化锡的银镍稀土新型电接触材料

采用快速凝固制粉及挤压技术制造新型银基电接触材料－银镍稀土合金。通过与银氧化镉、银氧化锡材料比较，银镍稀土新材料具有优异的物理机械性能，抗熔焊、抗电磨损性能和较长电寿命，是取代银氧化镉和银氧化锡的新一代无毒无公害电接触材料。

银氧化锡电触头材料检测技术现状分析

介绍了我国银氧化锡电触头材料的检测分析方法,并与国外检测技术进行了对比分析。指出了我国在银氧化锡检测技术领域存在的主要问题。

反应合成银氧化锡电接触材料导电性能研究

采用反应合成技术和传统粉末冶金技术制备银氧化锡(AgSnO2)电接触材料。对AgSnO2块体材料进行导电率测试和X射线衍射分析,对块体材料及冷拉拔的AgSnO2线材进行显微组织分析(扫描电镜、透射电镜)。研究结果表明:采用反应合成技术可以在银基体中合成尺寸细小、界面新鲜的SnO2颗粒,制备AgSnO2电接触材料;反应合成法制备的AgSnO2材料中,微米级的SnO2颗粒系由纳米级的SnO2颗粒聚集而成;反应合成法制备的AgSnO2电接触材料较传统粉末冶金法制备的AgSnO2电接触材料具有更高的导电性;采用反应合成法制备的AgSnO2电接触材料由于改变了Ag和SnO2的结合状态使材料的加工性能和导电性能同时得到改善和提高。

银氧化锡电触头材料研究现状及发展趋势

作为最有希望代替银氧化镉材料的材料,银氧化锡成了国内外研究的重点,目前取得了许多成果。文章总结了银氧化锡的性能、制造工艺及其添加元素的种类和作用并简单介绍了国内外的研究现状及发展趋势。

新型银氧化锡电接触材料

研究了1 种新型的纳米AgSnO2 触头材料。通过采用掺杂、SnO2 粒子的纳米化及化学镀的方法,改善了氧化物和银的浸润性,从而提高了触头材料的导电性、机械强度和加工性能。通过机械混合法和溶胶凝胶法2 种工艺的对比,证明用机械混合法在SnO2 中掺杂TiO2,反而使电导率升高;用溶胶凝胶法在SnO2中掺杂TiO2,Ti4+能够很好的进入SnO2的晶格,能够明显改善触头的电性能。微观组织分析表明:纳米触头中SnO2的分布明显的比非纳米触头中SnO2分布的要均匀,从而可以避免因SnO2的富集导致电导率降低,提高AgSnO2触头的电性能和电寿命。

银氧化锡触点材料的水热制备及组织分析

利用水热法制备AgSnO2粉体,压制烧结后制得AgSnO2块体样品.对AgSnO2粉体样品进行X射线衍射、扫描电镜和能谱分析,结果表明:通过在溶液体系中实现银和二氧化锡的共沉积,水热法能制得颗粒细小均匀的球形AgSnO2复合粉体.块体样品X射线衍射谱表明,水热法制备的AgSnO2粉体由于改变了Ag和SnO2的结合状态,烧结时二氧化锡晶体在(110)晶面上表现出一定的择优取向.对块体样品的显微组织分析表明,AgSnO2块体样品能够克服氧化物的聚集,二氧化锡颗粒在银基体中均匀弥散分布.

银氧化镉材料的欧盟限制政策与其它银金属氧化物电接触材料的发展

本文介绍了欧盟对含镉物质及产品的限制政策 ,评述了银氧化镉替代材料的发展。建议制定我国的相关政策与标准 ,以应对发达国家对有关银基电接触材料及相关产品的限制措施。

不同体系水热制备银氧化锡复合粉体的研究

分别采用氨水和柠檬酸作为溶液中银离子的配体,草酸、亚硫酸钠和柠檬酸作为还原剂,水热制备Ag-SnO2复合粉体。对Ag-SnO2复合粉体进行了差热分析、X射线衍射、扫描电镜和元素面扫描分析。结果表明:不同体系均可水热制备银氧化锡复合粉体。在以氨水为配体,分别以亚硫酸钠和草酸为还原剂的体系中,银和二氧化锡沉积完全。以亚硫酸钠为还原剂的体系中所得复合粉体为片状结构,厚度约为300nm,而以草酸为还原剂所得复合粉体为球形结构,粒径约为100nm。以柠檬酸为配合剂和还原剂的水热体系中二氧化锡沉积不完全,所得复合粉体为不规则球形,粒径较小,约为30nm。

低分子碳氢化合物分离锰银氧化矿工艺研究

研究了低分子碳氢化合物分离锰银氧化矿工艺原理及主要影响因素,当控制锰浸出率96%时,银的浸出损失率小于2%;浸锰渣采用氰化法提银,NaCN用量1 kg/t渣、浸出时间3 h时,银浸出率大于93.41%;浸锰-氰化两步浸出银的回收率大于91.54%;锰与银被有效分离。

某含金、银氧化铜矿选矿试验研究

针对某含金、银氧化铜矿,原矿铜品位0.96%、金品位1.53g/t、银品位49.90g/t,试验采用硫化浮选法进行回收铜并富集金银,取得了较好的经济技术指标。最终获得了铜精矿产率3.80%,含Cu19.06%、Cu回收率75.82%,含Au35.98g/t、Au回收率89.31%,含Ag1280g/t、Ag回收率87.83%的良好选别指标。本试验研究为回收铜并富集金银提供了借鉴。

锰银氧化矿湿法分离技术进展及评述

本文介绍了锰银氧化矿湿法分离技术的研究进展,对相关工艺技术应用可行性进行了简要评价,提出了硫酸盐系还原分离锰银氧化矿技术产业化应用的发展方向。

反应合成银氧化锡电接触材料抗熔蚀性研究

采用反应合成技术和传统粉末冶金技术制备银氧化锡 (AgSnO2 )电接触材料 ,利用千瓦级CO2 激光器模仿电弧作用在试样表面产生局部熔化。对AgSnO2 块体材料进行抗熔蚀性测试 ,对块体材料及冷拉拔的AgSnO2 线材进行显微组织分析 (扫描电镜、透射电镜 )。研究结果表明 ,采用反应合成技术可以在银基体中合成尺寸细小、界面新鲜的SnO2 颗粒 ,制备AgSnO2 电接触材料 ;用反应合成法制备的AgSnO2 材料中 ,微米级的SnO2 颗粒系由纳米级的SnO2 颗粒聚集而成 ;用反应合成法制备的AgSnO2 电接触材料由于改变了银和SnO2 的结合状态使材料的抗熔蚀性得到改善和提高。

银氧化锡复合粉体的制备及粒径分析

近年来随着制备技术的发展和性能的改进,对银氧化锡的研究方兴未艾.本文对银氧化锡复合粉体的水热制备方法进行了综述,并与传统的银氧化锡复合粉体的制备方法如粉末冶金法等进行了比较.通过以H2C2O4为还原剂,以银氨络离子和锡酸钠为原料制备银氧化锡,并针对制备条件的差异对粉体粒径的影响进行了分析,指出了水热制备方法的优点和不足,对以后进一步的研究进行了展望.

银氧化铜复合材料的反应合成判据

进行了反应合成法制备AgCuO材料的热力学计算和数据分析 .结果表明 ,当反应温度小于 5 0 0K时 ,合成反应属于固 -固间的置换反应 ;当反应温度大于 5 0 0K时 ,合成反应属于固 -气间的氧化反应 .通过计算 5 0 0～ 1 2 0 0K范围内Ag2 O的分解氧分压、Cu的氧分压 ,确定Ag -Cu合金氧化反应的最终产物为AgCuO ,而不存AgCu2 O相 .氧分压的分析为制定反应合成法制备AgCuO材料的工艺参数提供了理论依据 。

复杂锰银氧化矿湿法分离技术研究进展

介绍了硫酸同无机、有机、高分子物质组合的还原体系用于复杂锰银氧化矿湿法分离技术的研究进展,指出产业化应用的改进方向。

银氧化膜的分形研究

在银氧铯光电阴极的制备过程中，初始两步是蒸积银膜和辉光放电氧化。报道了氧化银膜的电子显微镜观察结果的实例，它显示出纹理结构和分形特性。利用计算机对照片进行了分形维数D的计算，得出D＝1．80±0.01。

反应合成法制备银氧化锡电接触材料

采用反应合成技术 ,原位合成银氧化锡电接触材料。对材料的相组成、力学和物理性能以及电接触寿命进行了分析研究 ,结果表明 ,采用新技术制备的电接触材料具有接触电阻低、电接触寿命高的特点 ,并且原材料准备简单、制备工艺流程短、便于材料的后续加工 。