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光交联聚乙烯醇/银纳米线复合透明导电薄膜的稳定性研究
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作者 郭沛怡 季书林 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期10013-10021,共9页
通过简单的溶液工艺将水溶性光交联聚乙烯醇-苯乙烯基吡啶盐(SbQ-PVA)溶液涂敷至银纳米线(AgNWs)薄膜上形成SbQ-PVA/AgNWs复合薄膜,分析了不同面密度的AgNWs薄膜在涂敷SbQ-PVA前后的光电性能和形貌,对比了AgNWs裸膜和SbQ-PVA/AgNWs复合... 通过简单的溶液工艺将水溶性光交联聚乙烯醇-苯乙烯基吡啶盐(SbQ-PVA)溶液涂敷至银纳米线(AgNWs)薄膜上形成SbQ-PVA/AgNWs复合薄膜,分析了不同面密度的AgNWs薄膜在涂敷SbQ-PVA前后的光电性能和形貌,对比了AgNWs裸膜和SbQ-PVA/AgNWs复合薄膜的机械和环境稳定性。结果表明,SbQ-PVA涂层不影响银纳米线网络的导电性,还能起到减小光散射和减反增透的作用,复合薄膜方阻低至约20Ω/sq时,也具有约90%的高透过率。同时,相比于AgNWs薄膜,SbQ-PVA/AgNWs复合薄膜具有更优异的稳定性,其对外部刺激(5000次弯曲、3B铅笔刮擦、空气老化、酸碱盐溶液腐蚀)的抵抗力显著提升。此外,SbQ-PVA/AgNWs复合薄膜能够在去离子水超声处理中保持稳定,利用此特点配合光掩模进一步实现了银纳米线薄膜的图案化。 展开更多
关键词 纳米线透明导电薄膜 表面保护涂层 机械稳定性 环境稳定性 图案化
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溶剂蒸发退火对银纳米线薄膜性能的增强
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作者 万慧军 魏优 +1 位作者 钟远聪 章勇 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2018年第5期431-437,共7页
利用旋涂技术制备了银纳米线(AgNW)薄膜,对该AgNW薄膜进行了溶剂蒸发退火处理。研究了所制备的AgNW薄膜的方块电阻、光学透光率、微结构及表面形貌,分析了以退火处理的AgNW薄膜作为阳极的聚合物太阳能电池的电流-电压特性。结果表明,经... 利用旋涂技术制备了银纳米线(AgNW)薄膜,对该AgNW薄膜进行了溶剂蒸发退火处理。研究了所制备的AgNW薄膜的方块电阻、光学透光率、微结构及表面形貌,分析了以退火处理的AgNW薄膜作为阳极的聚合物太阳能电池的电流-电压特性。结果表明,经过3h的甲醇退火处理,薄膜方块电阻由退火前的45.3Ω/减小到28.7Ω/,最后达到饱和,薄膜的品质因数提高了72.7%,薄膜的性能得到了增强;随醇溶剂沸点的增加,AgNW薄膜方块电阻的降低程度变小。以退火处理的AgNW薄膜为阳极的聚合物太阳电池的光电转换效率由退火前的0.94%增大到1.60%。退火3h可获得性能较好的AgNW薄膜。 展开更多
关键词 薄膜 薄膜性能 溶剂蒸发退火 银纳米线薄膜 方块电阻 聚合物太阳能电池
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银纳米线透明导电薄膜在触控单元的应用与挑战
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作者 张晓东 魏葳 +1 位作者 杨钊 田占元 《陕西煤炭》 2020年第S01期80-82,87,共4页
采用卷对卷涂布机湿法涂布制备的银纳米线薄膜,其薄膜方阻可低至40Ω/□以下,在400~700 nm可见光波段透过率89%以上,环境测试性能稳定,高温高湿及抗紫外(QUV)测试,方阻变化率小于15%,耐弯折性能优异,可满足触控设备的柔性化,大尺寸化的... 采用卷对卷涂布机湿法涂布制备的银纳米线薄膜,其薄膜方阻可低至40Ω/□以下,在400~700 nm可见光波段透过率89%以上,环境测试性能稳定,高温高湿及抗紫外(QUV)测试,方阻变化率小于15%,耐弯折性能优异,可满足触控设备的柔性化,大尺寸化的发展需求。同时研究发现,采用黄光湿法刻蚀银纳米线薄膜,传统刻蚀液无法有效刻蚀银线。采用激光干法刻蚀时,刻蚀沟道宽度与银线长度相当,则存在沟道阻抗变化较大的问题。这些问题阻碍了银纳米线薄膜的产业化应用,需尽快解决,使银纳米线薄膜真正成为柔性化可穿戴触控设备的重要透明导电材料。 展开更多
关键词 银纳米线薄膜 低阻高透 耐弯折 刻蚀沟道
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Dependence of Quantum Yields on Size of Ag Nano-particle Embedded in BaO Thin Film
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作者 CAIWu-de YANGYi-bing 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2002年第1期27-31,共5页
Theoretical dependence of the quantum yields on the size of Agnano-particle distribution from 0.8 nm to 37 nm embedded in BaOsemiconductor is discussed. The calculation results show that theincrease in Ag nano-particl... Theoretical dependence of the quantum yields on the size of Agnano-particle distribution from 0.8 nm to 37 nm embedded in BaOsemiconductor is discussed. The calculation results show that theincrease in Ag nano-particle diameter leads to the increase of thequantum yield threshold and the emergence of the rough Gaussian form,the results also shown that the greater increase in Ag nano-particlediameter causes the emergence of the exact Gaussian form and makesthe peaks rise up. 展开更多
关键词 quantum yield ag nano-prticles ultrafast nonlinear response
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