银辅助刻蚀单晶硅

结合高中化学原电池、氧化还原反应以及银镜反应等知识,介绍两种沉积银粒子辅助刻蚀单晶硅技术的基本原理,供一线高中化学教师用于扩展高中生的化学知识,帮助学生了解化学前沿.

银辅助化学刻蚀法制作硅纳米线的关键工序研究

本文通过实验发现,硅片表面的洁净度和合适的刻蚀液浓度是成功应用银辅助化学刻蚀法制作硅纳米线的关键。总结出针对该法的一种性能可靠的简单清洗工艺。通过配制不同浓度的刻蚀液发现AgNO3的浓度在0.008-0.016mol·L-1范围内,HF浓度从4.0-5.5mol·L-1范围内可以成功制作出硅纳米线。

化学刻蚀两步法制备硅纳米线(英文)

采用化学刻蚀两步法制备硅纳米线。在制作过程的不同阶段,通过金相显微镜,扫描电子显微镜及透射电子显微镜分别对其表面形态进行观察。结果表明,通过两步法制作的硅纳米线比传统刻蚀方法制作的样品具有更细的直径。光致发光的测量结果表明,两步法制备的硅纳米线在可见光领域有较强的红光发射。