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银辅助化学刻蚀法制作硅纳米线的关键工序研究
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作者 王圣坤 苑伟政 何洋 《化学工程师》 CAS 2013年第4期5-7,14,共4页
本文通过实验发现,硅片表面的洁净度和合适的刻蚀液浓度是成功应用银辅助化学刻蚀法制作硅纳米线的关键。总结出针对该法的一种性能可靠的简单清洗工艺。通过配制不同浓度的刻蚀液发现AgNO3的浓度在0.008-0.016mol·L-1范围内,HF浓... 本文通过实验发现,硅片表面的洁净度和合适的刻蚀液浓度是成功应用银辅助化学刻蚀法制作硅纳米线的关键。总结出针对该法的一种性能可靠的简单清洗工艺。通过配制不同浓度的刻蚀液发现AgNO3的浓度在0.008-0.016mol·L-1范围内,HF浓度从4.0-5.5mol·L-1范围内可以成功制作出硅纳米线。 展开更多
关键词 银辅助化学刻蚀法 化学刻蚀 硅纳米线
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