银键合丝力学性能对键合质量的影响

通过调节微合金元素的含量获得3种具有不同力学性能的银键合丝。利用拉伸试验、键合试验、焊线挑断力、焊球推力测试等手段,研究了银键合丝力学性能对键合质量的影响。结果表明,在延伸率相同的条件下,随着微合金元素含量的降低,3种键合丝的断裂负荷降低,初始模量先减小后增大,键合后焊线挑断力和焊球推力均降低,电极金挤出率先减小后增大。银键合丝初始模量较低时在超声和压力的作用下易于变形,焊线内残余应力较低且第二焊点与引线框架结合较好,因此挑断测试时第二焊点与框架材料界面处不易发生脱离,有利于获得更高的键合成功率。

电子封装用铜及银键合丝研究进展

随着电子封装高密度化、高速度化和小型化发展,金键合丝由于成本和性能等问题已不能满足要求。成本更加低廉的铜及银键合丝逐渐成为金丝替代品,但铜键合丝存在硬度高、易氧化、工艺复杂等问题,银键合丝存在抗拉强度低、Ag^+迁移和高温抗氧化抗性差等缺点。针对上述问题,广大学者进行了分析和研究,根据相关的文献、专利和产品,综述了铜及银键合丝的性能特点、成分设计、制备工艺、可靠性研究和性能改善方法,并对其发展前景进行了展望。

有机包覆抗硫化腐蚀的银键合丝研究

选取了纯银键合丝和有机包覆银键合丝,通过抗硫化腐蚀试验,分析对比其表面形貌、电学性能和键合性能。结果表明,表面包覆的有机膜有效减少了银键合丝表面由于Ag与S反应生成的Ag_(2)S,保障了银丝金属光泽和低电阻电学性能,保证了银丝在引线键合过程中的稳定性能,为解决银键合丝易硫化腐蚀的问题提供了可行性方案。

电子封装用铜及银键合丝研究进展

工业化建设进程在不断推进的同时,行业市场竞争愈演愈烈,其中作为电子封装的重要基础材料,在降低键合丝使用成本的同时优化其使用性能,对键合丝制备工艺进行不断优化现已迫在眉睫。在现阶段电子封装高密度和高速度化发展的产业时代背景下,铜及银键合丝逐渐取代金键合丝用以连接半导体芯片和引脚,但虽然两者在应用成本方面表现出了显著优势,但同时也存在一定的性能问题,为此本文主要就铜及银键合丝应用性能问题,对优化工艺展开了系统化剖析,以便于确保行业可持续发展目标的实现。

银丝键合烧球参数对键合质量的影响

经键合试验,测试焊线挑断力和焊球推力,观察焊球和电极界面形貌,研究了烧球电流和时间对银键合丝键合质量的影响。结果表明,随烧球电流增大、时间延长,键合无空气焊球(FAB)直径增大;FAB球颈晶粒尺寸是电流和时间共同作用的结果,晶粒尺寸越大、挑断力越小,18 mA-1.0ms烧球所得挑断力最小;在FAB尺寸相近的前提下随烧球电流减小,焊球推力降低,键合过程中电极易受损导致电极材料挤出率增大;高电流-短时间(23 mA-0.6 ms)烧球有利于银丝获得较好的键合质量。