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铼掺杂对碳化钍钨热电子阴极微观组织与力学性能的影响 被引量:1
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作者 葛春桥 王贤友 +1 位作者 王金淑 朱惠冲 《真空电子技术》 2020年第4期34-36,40,共4页
以铼酸铵为掺杂剂研究了铼掺杂对碳化钍钨阴极微观组织与力学性能的影响。利用金相显微镜研究了铼的掺杂量对碳化钍钨晶粒大小的影响,并用静压力计与冲击试验台测试分析了铼掺杂量对其力学性能的影响。研究结果表明,随着铼掺杂量的增加... 以铼酸铵为掺杂剂研究了铼掺杂对碳化钍钨阴极微观组织与力学性能的影响。利用金相显微镜研究了铼的掺杂量对碳化钍钨晶粒大小的影响,并用静压力计与冲击试验台测试分析了铼掺杂量对其力学性能的影响。研究结果表明,随着铼掺杂量的增加,碳化钍钨阴极晶粒逐渐减小,静压强度与抗冲击能量逐渐增加,当铼掺杂量超过0.5%时,晶粒大小与力学性能无明显变化。 展开更多
关键词 铼掺杂 热电子阴极 碳化钍钨 晶粒度 韧性
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