新型多量子阱锁模半导体激光器的实验研究

报道了一种主要用作超高速光纤通信系统的新型半导体光源,即超高速10 GHz、多量子阱、主被动混合锁模的半导体激光器,其输出光波长可精确稳定在1550 nm,这对实现光时分复用技术高质量超短相干脉冲光源具有重要意义。

超高速锁模半导体激光器光谱蓝移现象研究

本文对一种新型输出波长1.55μm、超高速10 GHz、多量子阱、锁模半导体激光器的自发辐射光谱的蓝移现象进行实验研究,得到随着对锁模半导体激光器增益区施加增益电流的增加(5 mA→70 mA),多量子阱半导体激光器自发辐射光谱存在明显的蓝移现象(1.550μm→1.500μm),以及输出中心波长向短波长方向移动50 nm的实验结果,这对深刻理解和实现光时分复用技术中高质量超短相干脉冲光源具有重要意义.

脉宽2.9 PS的超短被动锁模半导体激光器

本文报道了一种新型的被动锁模半导体激光器,采用了多量子阱技术、主被动混合锁模机制,并且在实验中已经成功产生了脉宽为2.9 ps,时间带宽积为0.43(非常接近高斯波形的变换极限值)的超短光脉冲,是光时分复用系统的一种理想光源.

新型多量子阱被动锁模半导体激光器噪声分析

对多量子阱被动锁模半导体激光器的噪声理论进行了系统的分析 ,并给出了半导体激光器腔内相位随载流子浓度变化的关系。研究表明 ,被动锁模半导体激光器 (MLLDs)的总噪声主要由散粒噪声、自发辐射放大噪声、频率调制噪声和量子噪声组成 ,分别由光场的振幅。

一种新型超高速多量子阱半导体激光器

报道了一种主要用作超高速光纤通信光时分复用(OTDM)系统的新型光源,即10GHz的被动外腔式锁模多量子阱半导体激光器,其具有脉冲宽度为2.9ps,波长调谐范围为1.53～1.57μm(40nm),输出光波长可精确稳定在1.55μm,锁模光脉冲的重复频率为10GHz,平均输出光功率为1mW及较小的时间抖动性(<0.6ps)等优点。

半导体激光器

介绍了单片机控制的半导体激光器的稳光强器,系统地阐述了其工作原理、硬件及软件设计。实验测得,在室温条件下,稳光强器6h输出光强的稳定度达到0.28%。

2μm GaSb基被动锁模激光器重复频率变化的研究(特邀)

半导体锁模激光器产生的高重复频率的光脉冲序列在众多领域都有着广泛的应用,而对于绝大多数应用,一个固定而准确的重复频率是必须的。由于此种激光器的重复频率主要由激光器波导的有效折射率和腔长来确定,激光器制成以及解理时的不确定性就可能会给其重复频率带来偏差。为了弄清此种激光器的各种工作条件会怎样影响其重复频率从而对上述的偏差进行补偿,设计并制成了一种2μm GaSb基单量子阱锁模激光器。激光器采用两段式结构(增益区,饱和吸收体区)并可以在高达60℃实现稳定的锁模工作模式。系统地记录了此激光器重复频率随偏置条件(增益区电流,饱和吸收体区电压)以及工作温度的变化规律,并且对产生这些变化的原因进行了分析。这些工作能够让人们更加清楚地认识锁模激光器的特性,从而更好地达到各种应用所需要的重复频率。

用于DWDM的等间隔波长的多波长激光器

介绍可用于DWDM光纤通信的等间隔波长的多波长激光源,它们是半导体锁模激光器基、 超连续光源基和半导体光放大器基多波长光源。

10kHz腔倒空锁模皮秒激光器研究

将半导体可饱和吸收体(SESAM)锁模技术与腔倒空技术结合,采用半导体端面抽运方式实现了具有高重复频率、大单脉冲能量的皮秒激光器的运转。从理论上分析了腔倒空锁模输出的机理,建立起腔倒空锁模激光器运行的物理图像,并对影响激光器倒空率的一些因素进行了研究。实验上,实现端面抽运Nd∶YVO4晶体的SESAM连续锁模后,在锁模腔内插入BBO电光调制晶体,获得10 kHz腔倒空皮秒锁模脉冲输出。当抽运光功率为14.1 W时,输出锁模脉冲的单脉冲能量为6.5μJ,脉冲宽度为10.4 ps。