掺锆氧化镍/硅化镍/硅微通道结构的三维超级电容器

本文制作了掺锆氧化镍/硅化镍/硅微通道板结构三维超级电容器。采用电化学刻蚀的方法制成硅微通道板(Si-MCP),并将其作为该三维电容器结构的骨架。采用无电镀的方法在硅微通道上均匀沉积一层掺锆镍金属层,通过将样品在氧气氛围中500℃退火,在硅微通道表面得到掺锆氧化镍层。用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和能量色散谱仪(EDX)以及X射线衍射(XRD)表征了此样品的结构和表面形貌,用循环伏安法(CV)和计时电位测试表征了电化学特性,结果表明掺Zr氧化镍/硅化镍/硅微通道结构电容性能有较大提升。