锆钛酸铅/高分子复合膜的吸声特性

以锆钛酸铅（ＰＺＴ）压电陶瓷微粒为填料，分别与丙烯酸酯共聚物和环氧树脂复合制得ＰＺＴ／高分子（ＰＺＴ／Ｐ）复合膜。用驻波管法测定了复合膜的吸声特性。用动态粘弹仪测定了复合膜的阻尼特性。实验结果表明，在声频３７５～２０００Ｈｚ范围内，在聚合物中加入ＰＺＴ微粒并使其极化产生压电性，可使其吸声性能增加。动态粘弹实验结果表明。

锆钛酸铅(PZT)纳米陶瓷粉体的液相制备技术

评述了Sol-gel法、共沉淀法和水热法制备锆钛酸铅(PZT)纳米陶瓷粉体的原理、工艺过程、技术特点及其优缺点。重点论述了水热合成PZT纳米陶瓷粉体的dissolution/precipitation和in-situ两种合成机制,详细分析了锆、钛、铅等反应物离子在水热条件下的存在形式、反应机理以及喊度、温度、干燥技术和铅含量等条件对水热合成PZT纳米陶瓷粉体的影响。讨论了液相法合成PZT纳米陶瓷粉体的研究热点与发展方向。

多次微量蒸发技术制取锆钛酸铅薄膜

介绍多次微量蒸发技术制取锆钛酸铅（ Ｐ Ｚ Ｔ） 薄膜． Ｘ Ｒ Ｄ 分析表明：经高温退火处理后的薄膜呈与源材料一致的钙钛矿结构，增加退火时间能减少残存 Ｐｂ３ Ｏ４ 的数量；电滞回线检测表明。

锆钛酸铅PZT压电陶瓷自动测试系统

为推广锆钛酸铅PZT压电陶瓷的应用,有必要对其性能进行研究,而传统的PZT压电陶瓷性能测试设备有着各种各样的缺点,文中采用导纳圆法研究了自动测试系统的测试原理。根据测试原理,建立了一套自动测试系统,详述了其中关键部分的实现。构建了自动测试系统的实验平台,试验结果表明,所设计的系统能够对PZT压电陶瓷进行测试,并具有一定的精度。

锆钛酸铅(PZT)陶瓷的应用与发展

一、引言 锆钛酸铅压电陶瓷于1955年由美国的B.Jaffe等人发现之后,由于它具有机械耦合系数高、温度特性好、居里温度高(～300℃)等优点,大大推进了压电陶瓷的实用化。用Sr、Ca、Mg等元素取代Pb或添加Nb、La、Sb、Cr、Mn、Fe、Co、Ni等元素进行改性,可以得到许多不同用途的 PZT系压电陶瓷,如PZT-4,PZT-5,PZT-6,PZT-7及PZT-8等,利用它们各自不同的效应可以应用在不同的方面。

聚合物含量对锆钛酸铅多层膜光学特性的影响

利用溶胶-凝胶法,由添加高分子聚合物聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的化学溶液制备了锆钛酸铅(Pb Zr0.4Ti0.6O3,PZT)多层膜,研究了溶液中聚合物PVP的含量对多层膜光学性能的影响.测试表明,PZT多层膜呈现出由致密层和多孔层交替排布的层状结构,在可见光区具有单一的高反射率带,且反射带中心波长在一定范围内随着溶液中PVP浓度的升高向长波方向移动.在PVP的相对摩尔比为x=1.0时,多层膜反射性能达到最优,室温绝对反射率高达89%,反射带宽为44 nm.

制备氧压对外延锆钛酸铅铁电膜疲劳行为的影响

:利用脉冲激光沉积方法 ,在外延的具有钙钛矿结构的 La0 .35 Nd0 .35 Sr0 .3Mn O3导电膜上生长外延的铁电薄膜 Pb( Zr0 .5 2 Ti0 .48) O3。通过改变制备氧压控制铁电膜中氧的空穴浓度 ,研究其对 Pt/ Pb( Zr0 .5 2 Ti0 .48) O3/La0 .35 Nd0 .35 Sr0 .3Mn

MEMS变形镜用PZT厚膜致动器阵列的制备及性能表征

提出了一种基于锆钛酸铅(PZT)压电厚膜致动器阵列驱动的MEMS微变形镜,建立了该微变形镜的结构模型,分析了其结构中各层厚度对其性能的影响.PZT压电厚膜是通过基于PZT压电陶瓷体材料的湿法刻蚀技术制备的,刻蚀液为1BHF∶2HCl∶4NH4Cl∶4H2O.以数字锁相方法测试了压电厚膜的介电性能,在100 kHz以下时,其介电常数和介质损耗分别优于2 400和3%.利用悬臂梁方法测试了压电厚膜的d31横向压电系数,约为-250 pm/V.制备了4×4阵列的压电致动器阵列.采用激光多普勒测试压电致动器的电压位移曲线,在100 V的电压驱动下致动器的变形量大约为2.2μm;测试了致动器的频率响应,其谐振频率高于100 kHz;致动器刚度大,带负载能力强.

PZT铁电厚膜声纳换能器阵列的研制

对8×8元阵列锆钛酸铅(PZT)厚膜声纳换能器芯片进行了设计,对PZT铁电厚膜的微图形的刻蚀工艺及其反应机理进行了深入的研究。最后成功地刻蚀出8×8元声纳换能器图形,为进一步研制PZT厚膜声纳换能器打下了良好的基础。

MEMS兼容丝网印刷PZT压电厚膜研究

对丝网印刷PZT压电厚膜制备工艺浆料配置、印刷技术、退火条件、上下电极的选择及极化方法等进行了研究 ,并采用扫描电子显微镜 (SEM )及与之配套的能谱分析仪对制备的PZT样品的微观结构、成分进行了测试分析。结果表明 ,PZT压电厚膜的膜厚可达 10 0 μm ,印制图形分辨率在5 0 0 μm以上 ,在 80 0℃经 1h退火就可获得良好的微晶结构 。

用于压电悬臂梁的PZT厚膜的溶胶-凝胶制备及表征

研究了一种用于制备硅基压电悬臂梁的PZT厚膜溶胶-凝胶工艺.该工艺通过采用交替旋涂法,将PZT溶胶与PZT纳米粉混合形成浆料,再和澄清PZT溶胶交替涂覆在Au/Cr/SiO2/Si的硅基悬臂梁结构上,当达到所需的厚度后再进行热处理.实验证明,热处理温度在650℃,处理时间15 min时,XRD结构表征显示PZT厚膜获得钙钛矿相结构,SEM中厚膜断面清晰,表面紧密、均匀、平整.铁电性能测试表明矫顽场为50kV/cm,饱和极化强度为54μC/cm2,剩余极化强度为30μC/cm2.同时,硅基悬臂梁结构采用典型的半导体光刻工艺,利用BHF/HCl溶液成功地刻蚀了PZT厚膜,并运用微机械加工技术刻蚀出硅悬臂梁结构.

PZT厚膜的电射流沉积研究

制备了锆钛酸铅(PZT)悬浮液,采用电射流沉积(EJD)技术,在硅衬底上沉积了PZT厚膜。研究了电射流沉积高度、流量及悬浮液混合条件对厚膜致密性的影响。结果表明:降低电射流沉积高度和流量有助于提高沉积PZT厚膜致密性;采用球磨方法充分混合PZT悬浮液,沉积的PZT厚膜致密性明显提高。采用优化的电射流沉积参数和球磨20 h的PZT悬浮液,制备了10μm无裂纹PZT厚膜,其压电常数d33为67 p C·N-1,相对介电常数εr为255。

电泳沉积法制备PZT厚膜及其性能

用电泳沉积技术制备了约70μm的PZT[Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O3]厚膜，分析了zeta电位、粘度及电泳沉积速率对PZT悬浮液的稳定性和电泳沉积质量的影响，并研究了烧结后PZT厚膜的结构和电学性能。实验结果表明：在pH=5.5～6.5时，悬浮液的zeta电位高达50 mV以上，此时悬浮液分散性好、粘度低，有最佳的沉积速率(≈31mg·cm^(-2)·min^(-1))和高达51％的相对沉积密度。在此条件下制备出的PZT膜厚均匀一致，无裂纹，经1 000℃保持30min烧结后，在1 kHz下测量得PZT厚膜的介电常数为1 050，介电损耗约为0.05，饱和极化值为20μC／cm^2，剩余极化值为12.9 μC／cm^2，矫顽场强为10.5 kV／cm。

锆钛酸铅陶瓷的烧结研究进展

综述了国内外锆钛酸铅 (PZT)压电陶瓷的烧结研究进展 ,介绍了各国研究者为获得烧结致密、性能优良的PZT陶瓷所采取的各种措施 。

压电微能量采集器PZT厚膜制备及其图形化研究

采用环氧树脂作为中间层的真空键合技术实现体材PZT与硅片键合,再利用机械化学抛光方法将PZT减薄到适当的厚度制备了PZT铁电厚膜,构成了SiO2/Si/SiO2/Epoxy/Ag/PZT/Cr/Cu形式的压电能量采集器悬臂梁结构。基于半导体光刻技术,通过湿法化学刻蚀和切片两种方法实现了PZT厚膜图形化问题,为基于体材PZT厚膜的高性能压电能量采集器的研制打下了良好的基础。

KOH对锆钛酸铅铁电微晶性质的影响

用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)等实验测试手段,研究了KOH浓度c(KOH)从1 mol/L变化到7 mol/L时,对锆钛酸铅(Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PZT)微晶体的晶粒度、晶体结构、晶粒形态、多晶颗粒形态的影响,同时对水热反应的机理进行了讨论。实验结果表明,当c(KOH)从3 mol/L增加到7 mol/L,均有效合成了四方晶相的钙钛矿结构的PZT微晶体;随着水热反应体系c(KOH)的增大,PZT微晶体的晶粒和颗粒尺寸增大、四方度(c/a)减小,晶粒和多晶颗粒均由立方体状变为球状;在浓强KOH水热反应液中,水合Zr(OH)4和Ti(OH)4在活化阳离子(K+)结构重构的作用下,吸附水合Pb(OH)2,经集结、脱水、结晶生成PZT微晶体。

PMN-PZT多层厚膜微致动器的制作与分析

研制了一种用于计算机磁头精确定位的'U'形压电微致动器。该致动器由流延法在不锈钢(SUS304)基体上制备镁铌酸铅一锆钛酸铅(PMN-PZT)多层膜,并由丝网印刷工艺制作Ag／Pd内电极。在此基础上,在多普勒干涉仪(LDV)上对封装了压电元件的'U'形微致动器进行了测试。结果表明,该致动器具有优异的位移／电压灵敏度、谐振频率等特点。此外,有限元仿真进一步验证了多层结构的压电元件可以有效地提高压电微致动器的驱动能力。

锆钛酸铅光学声子的虚晶近似研究

在虚晶近似框架上用刚性离子模型计算了铁电固溶体PbZrxTi1-xO3 (x =0 2 5～ 0 4 0 )布里渊区Г点的声子振动频率 .结果显示 ,随着Zr组份x的增加 ,光学横模向低频方向移动 。

硅基高度择优取向PZT厚膜的制备及性能研究

应用溶胶-凝胶法成功地在以SrTiO3(STO)为模板/阻挡层Si(001)基片上制备了La-Sr-Co-O/Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)/La-Sr-Co-O/STO/Si异质结,PZT的厚度为0.8μm。研究了异质结的结构和性能。实验发现,PZT结晶良好、具有(001)高度择优取向以及较高的极化强度和较小的极化强度对脉冲宽度的依赖性;当外加电压为50V时,电阻率仍>108Ω.cm。

PZT厚膜的制备及电性能研究

用溶胶-凝胶法制备出锆钛酸铅(PZT)粉体,与流延胶以一定配比混合后流延成型,坯膜于1 100℃高温烧结2h得到PZT厚膜。利用XRD和SEM研究其组织结构,同时测试其相关电性能。结果表明,以10mL流延胶中加入120g PZT粉的配比进行流延较合适;得到厚度约为200μm的钙钛矿结构压电厚膜无裂纹、晶粒尺寸小且分布均匀,其压电常数d33为109pC/N。在1kHz测试频率下,其介电常数为179,介电损耗为0.4。