在ITO玻璃衬底上制备锆钛酸铅铁电薄膜

利用射频反应性溅射沉积技术在掺Sn的In2 O3导电透明膜(ITO)衬底上制备了钙钛矿型Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜 .研究了沉积参量与热处理工艺对铁电薄膜结构和性能的影响 .运用X射线衍射、X射线光电子能谱和扫描电镜等技术 ,分析了薄膜的晶体结构、表面形貌和表面元素化学状态 .测量了不同处理条件下薄膜的铁电性能 .结果表明 :在掺Sn的In2 O3导电透明膜衬底上可以得到表面无裂纹、化学计量比符合要求的PZT薄膜 ;薄膜中晶粒均匀分布 ,平均尺寸约 2 50nm ,呈四方状和三角状 ;溅射气氛中氧含量和退火温度对薄膜结构、化学计量比和铁电性能都有明显影响 .

Pb用量对锆钛酸铅薄膜微观结构和铁电性能的影响

在Pt／Ti／SiO2/Si基片上,通过多次匀胶旋涂-预热处理工艺制备了PbTiO3(PT)无机薄层夹心的锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)薄膜,然后经650℃退火处理得到了所需的具有钙钛矿结构的PZT铁电薄膜。用X射线衍射、原子力显微镜表征了PZT铁电薄膜微观结构,并测试铁电性能。结果表明:制备PT层时的Pb用量对得到的PZT铁电薄膜的微观结构和铁电性能有重要影响。当Pb过量15%(摩尔分数)左右时,得到的PZT铁电薄膜不仅晶界清晰,晶粒尺寸分布均匀,具有纯钙钛矿结构,而且铁电性能优异,剩余极化强度P=21μC/cm2,矫顽场Ec=37kV/cm。

基于锆钛酸铅薄膜的变形镜微致动器

以锆钛酸铅(PZT)薄膜作为驱动材料,制备了变形镜的微致动器阵列.使用有限元软件对致动器进行了模拟仿真,得到了驱动器上电极尺寸、Si弹性层厚度等参数对致动器性能的影响,获得了最优化的致动器结构.以钙钛矿相的镍酸镧(LNO)作为PZT薄膜在Pt衬底上生长的缓冲层,增强了PZT薄膜的(100)取向,减小了PZT薄膜的内部应力,提高了致动器的驱动性能.最终制备出的1μm厚PZT薄膜驱动的变形镜微致动器,在10 V直流电压的激励下,具有2.0μm的变形量.以PZT薄膜作为驱动材料制备的变形镜微致动器阵列,对变形镜致动器的微型化和系统集成度的提高具有重要意义.

采用金属有机化合物热分解法研制锆钛酸铅薄膜

详细研究了采用金属有机化合物热分解法制备锆钛酸铅 Pb(Zr0 .5 3Ti0 .47) O3铁电薄膜的工艺 ,讨论了影响

钛酸铅和锆钛酸铅铁电薄膜的热释电效应的研究

本文测量了钛酸铅和锆钛酸铅铁电薄膜的热释电效应，在这些以钛薄片为衬底，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法制备的铁电薄膜上可测到明显的热释电响应．同时，对这些薄模的介电性质与Ｉ－Ｖ特性也进行了测试，对敏感元与衬底之间的热传导以及材料中发现的光电导效应对热释电响应的影响进行了分析和讨论．

锆钛酸铅(PZT)薄膜的自发极化与压电响应

用溶胶－凝胶法在 Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）基片上制备了近等原子比的压电 ＰＺＴ薄膜在准同型相界附近的ＰＺＴ薄膜的应变机制是受极化控制的压电效应、内电场导致薄膜的自发极化定向，使薄膜未经极化就具有明显的压电响应。

掺杂钴对锆钛酸铅铁电薄膜电性能的影响

采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Si衬底上制备了Pb(Zrx,Ti1-x)O3(PZT)与PbCoy(Zrx,Ti1-x)O3(PC-ZT)铁电薄膜,实验发现钴掺杂对PZT的铁电性能产生了很大的影响.不掺杂的PZT铁电薄膜剩余极化强度Pr=14.05μC/cm2,矫顽场Ec=26.35kV/cm,而钴的掺杂有效地提高了PZT薄膜的剩余极化强度,当掺杂钴达到12%时,Pr=36.26μC/cm2,矫顽场减小.同时,掺杂钴增强了PZT薄膜的介电性能并且减少了漏电流.

锆钛酸铅成分梯度薄膜的介电及铁电性能研究

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,通过快速热处理,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Pb(Zr,Ti)O3成分梯度薄膜。经俄歇微探针能谱仪(AES)对制备的上梯度薄膜进行了成分深度分析,结果证实其成分梯度的存在。经XRD分析表明,制备的梯度薄膜为四方结构和三方结构的复合结构,但其晶面存在一定的结构畸变。经介电温谱测试表明,随着温度的升高,梯度薄膜出现一个铁电-铁电相变点和两个居里点,同时出现一定的频率弥散现象。经-εV特性曲线测试表明,梯度薄膜的介电常数-电压(-εV)及介质损耗-电压(tan-δV)曲线呈现典型的双峰特性,并且左右不对称。经不同偏压下电滞回线的测试表明,梯度薄膜表现出良好的铁电性质。

多次微量蒸发技术制取锆钛酸铅薄膜

介绍多次微量蒸发技术制取锆钛酸铅（ Ｐ Ｚ Ｔ） 薄膜． Ｘ Ｒ Ｄ 分析表明：经高温退火处理后的薄膜呈与源材料一致的钙钛矿结构，增加退火时间能减少残存 Ｐｂ３ Ｏ４ 的数量；电滞回线检测表明。

直接感光法制备锆钛酸铅镧薄膜图形及其性能

采用化学修饰溶胶凝胶工艺,以PVP为薄膜开裂抑制剂,以苯酰丙酮为化学修饰剂,利用其与金属盐形成的配位螯合物结构,合成了具有紫外光感应特性的锆钛酸铅镧(Pb0.91La0.09(Zr0.65Ti0.35)O3,PLZT)前驱溶胶;对单次提拉得到的凝胶薄膜进行直接感光法图形制备;通过后续热处理,在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上得到了具有钙钛矿结构的PLZT薄膜图形,其最终热处理后的膜厚约为260nm,剩余极化强度约为6.7μC/cm2,矫顽场强约为77kV/cm,相对介电常数约为356,介电损耗约为0.02,漏电流密度小于10-2μA/cm2,极化疲劳特性可达107以上.

钇掺杂锆钛酸铅铁电薄膜的电性能研究

对采用 Sol- Gel法制备的钇掺杂锆钛酸铅铁电薄膜的电性能进行了研究。实验结果表明 ,由于钇离子(Y3+ )的引入造成晶格畸变 ,使掺钇后的 PZT铁电薄膜比未掺钇时具有更大的剩余极化强度、更小的矫顽场和漏电流。此外 ,钇掺杂锆钛酸铅铁电薄膜具有良好的介电性能 ,在室温和 10 k Hz频率下 ,其介电常数和介电损耗分别为 4 37和 0 .0 4

硅基锆钛酸铅铁电薄膜异质结构的研究进展

介绍了锆钛酸铅铁电薄膜异质结构的研究进展,举例说明了锆钛酸铅薄膜异质结构的特性,并进行了分析比较。氧化物电极结构将替代现有的金属电极结构,从而有效解决铁电性能的退化问题,是未来铁电薄膜异质结构的发展方向。

锆钛酸铅薄膜的生长与表征

研究了如何利用溶胶凝胶法制备锆钛酸铅(Pb(Zrx,Ti1-x)O3,PZT)薄膜,并对该薄膜的进行了表征测试。根据分子式设计了溶液的成分及配比,配制溶液后旋涂于钛(Ti)及铂/钛(Pt/Ti)基底上。利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对不同热处理温度和不同退火温度的PZT薄膜的形貌、成分进行了表征测试。在此基础上,采用微机电系统(MEMS)工艺,开发了可用于测试PZT薄膜材料特性的工艺流程与测试样品。然后,利用标准铁电测试仪对不同热处理温度和不同退火温度的PZT薄膜的极化强度进行了铁电特性测试。结果表明,在400℃进行热处理,650℃进行退火的条件下制备出的PZT薄膜其成分和形貌比较好,铁电特性较优,能够应用于MEMS器件与纳米器件的制造中。

金属有机物热分解法制备锆钛酸铅薄膜研究

采用金属有机物热分解（ＭＯＤ）法，通过对原料的提纯和合成工艺的优化，消除原料中的微量杂质，控制环境温度，从而获得了透明、稳定的锆钦酸铅先体溶液．锆铁酸铅先体溶液经过多次成膜，在Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基片上制备出厚度为０．６ｕｍ，均匀、无裂纹、无针孔的薄膜．经５５０℃保温处理后，得到假立方晶系的钙钦矿结构的薄膜．借助扫描电镜形貌分析表明，其晶粒大小约为２～３μｍ．

锆钛酸铅铁电薄膜的MOD工艺制备及其性能研究

致密、纯钙钛矿结构的ＰＺＴ（５０／５０）铁电薄膜已用ＭＯＤ工艺（金属有机物热分解工艺）获得．通过优化原料的提纯和合成工艺，消除了原料中微量杂质离子，控制ＰＺＴ先体溶液合成时的环境温度，制得透明、稳定的锆钛酸铅先体溶液．采用多次甩胶成膜法，经４００～５００℃热处理，在Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制得ＰＺＴ（５０／５０）薄膜，膜厚５２０ｎｍ，其介电常数为２７０，损耗角正切为０．０３５（１ｋＨｚ，０．０５Ｖ测试电压），其绝缘电阻率为１０～１００ＴΩ·ｃｍ，剩余极化强度为２０．６μＣ／ｃｍ２，饱和极化强度为２７．７μＣ／ｃｍ２。

锆钛酸铅铁电薄膜的制备及性能研究

本文用无机锆盐代替锆的醇盐，研究了溶胶－凝胶技术制备锆钛酸铅（简称ＰＺＴ）铁电薄膜的热处理工艺、结构和电性能。研究结果表明，在Ｓｉ单晶基片上制备的ＰＺＴ薄膜为钙钛矿型结构的陶瓷薄膜，其晶粒细小、致密，且具有良好的铁电性能，适合于制备铁电存贮器。

无铅锆钛酸钡功能陶瓷薄膜的湿化学法制备技术

本发明涉及一种简便而有效地制备锆钛酸钡（BZT）薄膜的湿化学制备技术，属于功能陶瓷薄膜领域。前驱液以醋酸钡、丙醇锆、钛酸丁酯为原料，以乙二醇甲醚为溶剂，乙酰丙酮和冰醋酸为稳定剂，按Ba∶Zr∶Ti=∶1∶X∶(1-X)克分子浓度配比（0≤X≤1）制备BZT功能薄膜的前驱液，浓度为0．2－0．3M，然后经过滤后成膜、甩胶、甩胶速度为3000－4000r/min，时间30s，然后预处理，经多次成膜－预处理－再成膜，达到需要厚度后于650－750℃氧气氛下退火制成。用本发明制备的无铅BZT功能薄膜具有良好的介电、铁电和压电性能，与传统有铅的铅基薄膜具有良好的介电、铁电和压电性能，与传统有铅的铅基薄膜相比具有明显的优点：成分无铅，适合环境保护要求。

铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究

采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变。铅过量为 10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能。

不锈钢衬底上锆钛酸铅膜的制备

以改性二氧化锆为过渡层，用溶胶－凝胶法在不锈钢衬底上成功制备了锆钛比为５２／４８的锆钛酸铅膜。扫描电镜分析表明，膜的表面平整，无裂纹。Ｘ射线分析结果说明，经６５０℃退火３０ｍｉｎ后．膜为纯的钙钛矿相。以衬底为下电极、直径为０．３２ｍｍ的金上电极，测量了０．８ｕｍ 膜的电滞回线及其它性能，膜的剩余极化为１８ｕＣ／ｃｍ２。

锆钛酸铅镧陶瓷光致微位移的闭环伺服控制

利用锆钛酸铅镧(PLZT)陶瓷的光致形变效应,提出了一种光控微位移伺服系统,并通过实验对其闭环伺服控制特性进行研究。建立PLZT陶瓷光致微位移闭环伺服系统的多物理场耦合数学模型,通过静态实验对光照与光停阶段PLZT陶瓷光致形变表达式进行了参数识别。搭建了PLZT陶瓷光致微位移闭环伺服控制实验平台,基于ON-OFF控制策略,在不同光照强度下对PLZT陶瓷的光致微位移进行了闭环伺服控制实验。结果表明,通过对紫外光源施加ONOFF控制,能够实现PLZT陶瓷输出位移的闭环伺服控制。PLZT陶瓷输出位移曲线在伺服控制阶段出现超调量之后,围绕目标值上下波动。光致微位移伺服系统的响应速度、超调量与波高随着光照强度的增强而增加;在400mW/cm2光照强度下,PLZT陶瓷输出位移到达目标值的时间仅为100mW/cm2光照强度下的20%。实验结果为PLZT陶瓷在微驱动方面的工程应用奠定了基础。