助熔剂法生长的锆钛锡酸铅镧(PLZST)晶体及生长余料的组分分析

以PbO -PbF2 复合体系作为助熔剂 ,采用助熔剂自发成核缓冷法率先制备出成分为 (Pb0 .94La0 .0 4) (Zr0 .37Ti0 .1 8Sn0 .45 )O3的弛豫型复合钙钛矿结构锆钛锡酸铅镧 (PLZST)晶体 .合适的生长工艺为 :助熔剂中PbO与PbF2 的摩尔比为 0 .5 5∶0 .45 ,原料与助熔剂的摩尔比为 1∶1,保温温度 12 5 0℃ ,保温时间 12h ,快降温速率为 5 0～ 10 0℃ /h ,慢降温速率为 1～ 5℃ /h ,快速降温与慢速降温的转变温度为 115 0℃ .本工作对晶体及晶体生长余料中的组分进行了分析 .结果表明 :对一定组成的初始配料 ,PLZST晶体组成相对富La,Ti和Zr ,生长后的余料相对富Sn ;PLZST晶体中存在两种包裹体缺陷 ,晶体除包裹体处以外各元素分布均匀 ;生长余料中各元素分布较均匀 。

铅基驰豫型复合钙钛矿结构PLZST的合成研究

采用传统陶瓷烧结工艺合成了单一复合钙钛矿结构的Ｐｂ１－ｘＬａｘ（ＺｒｙＴｉｚＳｎ１－ｙ－ｚ）Ｏ３体系陶瓷（简称ＰＬＺＳＴ其中０．０１≤ｘ≤０．０５；０．３５≤ｙ≤０．７０；０．０５≤ｚ≤０．２０）．研究表明：在选定的工艺条件下，立方相和正交相ＰＬＺＳＴ易合成为单一复合钙钛矿结构，而四方相ＰＬＺＳＴ的合成较困难；采用多次球磨、加适量过量ＰｂＯ（３％）、控制成型压力、选择合适的烧结温度（１３５℃）有助于合成单一复合钙钛矿结构的ＰＬＺＳＴ．

PLZST单晶的弛豫结构相变

采用复合助熔剂技术,生长了完整、尺寸为2 mm×2 mm×2 mm的锆钛锡酸铅镧(简称PLZST)单晶。X射线衍射分析结果表明:晶体属四方晶系结构,晶格常数为:a=b=4.062 nm,c=4.106 nm。Raman光谱分析确定了PLZST单晶的结构相变温度为175℃,且其顺电反铁电相变为可逆相变,具有弛豫特性。通过高分辨透射电镜(HRTEM)分析了晶体的微观结构,讨论了PLZST单晶的弛豫相变规律和相变行为。