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ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜的制备及其特性
被引量:
30
1
作者
黄佳木
董建华
张新元
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第11期7-10,13,共5页
笔者采用射频磁控溅射工艺、以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜,系统研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压、温度、射频功率和退火条件等对其结构和光电特性的影响。实验结果表明:在纯氩气中且衬底温度为300℃时制备的ZAO薄膜...
笔者采用射频磁控溅射工艺、以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜,系统研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压、温度、射频功率和退火条件等对其结构和光电特性的影响。实验结果表明:在纯氩气中且衬底温度为300℃时制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至8.7104 W·cm,可见光透过率在85%以上。X射线衍射谱表明ZAO晶粒具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。
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关键词
导电
薄膜
制备
射频磁控溅射
光电特性
锌氧铝薄膜
氧
化铎
氧
化
锌
铝
陶瓷
下载PDF
职称材料
题名
ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜的制备及其特性
被引量:
30
1
作者
黄佳木
董建华
张新元
机构
重庆大学B区材料科学与工程系
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第11期7-10,13,共5页
基金
重庆市科委攻关项目(2000-6214)
文摘
笔者采用射频磁控溅射工艺、以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜,系统研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压、温度、射频功率和退火条件等对其结构和光电特性的影响。实验结果表明:在纯氩气中且衬底温度为300℃时制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至8.7104 W·cm,可见光透过率在85%以上。X射线衍射谱表明ZAO晶粒具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。
关键词
导电
薄膜
制备
射频磁控溅射
光电特性
锌氧铝薄膜
氧
化铎
氧
化
锌
铝
陶瓷
Keywords
RF magnetron sputtering
ZAO thin film
structure
optical and electrical properties
分类号
TM28 [一般工业技术—材料科学与工程]
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜的制备及其特性
黄佳木
董建华
张新元
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2002
30
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职称材料
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