射频功率对MgO掺杂镓锌氧化物薄膜性能的影响（英文）

采用磁控溅射技术制备了MgO掺杂镓锌氧化物薄膜样品,通过X射线衍射(XRD)、电阻率、载流子浓度和Hall迁移率测试分析,研究了射频功率对薄膜样品微观结构和电学特性的影响.实验结果表明,所有样品均为六角纤锌矿结构并具有明显的c轴择优取向生长特点,其微观结构和电学特性与射频功率密切相关.当射频功率为125 W时,所制备薄膜的晶粒尺寸最大为52.1 nm、张应力最小为0.082 GPa、电阻率最低为1.54×10^-3Ω·cm、载流子浓度最大为5.26×10^20cm^-3、Hall迁移率最高为7.41 cm^2·V^-1·s^-1,具有最优的结晶性质和电学性能.

柠檬酸-凝胶法合成ZnGa_2O_4∶Mn^(2+)/Eu^(3+)及其发光性能的研究

采用柠檬酸 凝胶法合成了纯的ZnGa2 O4粉末以及ZnGa2 O4∶Mn2 + /Eu3 + 粉末 ,利用X射线衍射(XRD)、热重及差热分析 (TG DTA)、发光光谱等测试手段对ZnGa2 O4和ZnGa2 O4∶Mn2 + /Eu3 + 的结晶过程、发光性质进行了研究。XRD结果表明 ,柠檬酸 凝胶法合成的样品在 5 0 0℃时已开始结晶 ,在 70 0℃时可得到纯相的ZnGa2 O4多晶粉末 ,这比传统固相法的烧结温度低 5 0 0℃。发光光谱测试表明ZnGa2 O4∶Mn2 + 在4 5 0nm和 5 0 6nm处出现两个发射带 ,前者属于ZnGa2 O4基质的发射 ,后者属于Mn2 + 的4T1→6A1的跃迁发射。ZnGa2 O4∶Eu3 + 则呈现Eu3 + 的特征红光发射 ,最强峰位于 6 13nm ,属于Eu3 + 的5D0 →7F2 超灵敏跃迁。通过光谱分析进一步证实了ZnGa2 O4∶Mn2 + /Eu3 + 的发光机理是基质敏化 。

α-IGZO薄膜场效应晶体管的光敏特性

通过掩膜板制备源漏电极的方法,以非晶铟-镓-锌氧化物(α-IGZO)为有源层,制备了结构为ITO/SiO2(400nm)/α-IGZO(50nm)/Al的底栅顶接触型(BGTC)光敏薄膜场效应晶体管(TFT)并研究了其光敏特性。实验发现,在蒸镀Al电极作为源极和漏极,再在空气中及350℃的温度下退火1h后,器件的阈值电压Vth为15.0V,在栅源偏压VGS=30V时其有效场效应迁移率为0.57cm2/Vs,表现出良好的晶体管特性。当用强度为8.1mW/cm2的白光照射时,器件表现出明显的光敏特性,其Vth下降为-15.0V,在源漏电压VDS=20V且VGS=30V时其有效场效应迁移率上升为1.34cm2/Vs,在VGS=2.5V时其'明/暗'电流比达到一极大值,响应率达到1.11A/W,并具有良好的时间响应特性。