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2,5-二甲氧基对苯乙炔前聚物单体的合成
1
作者
汪雨明
曾繁涤
+1 位作者
刘贤德
赵鑫
《华中理工大学学报》
CSCD
北大核心
1996年第7期99-101,共3页
以对苯二酚为基本原料,通过甲氧基化、氯甲基化、锍化三个反应合成得到了单体双锍盐且产率达84%,并运用色谱/质谱联用仪和核磁共振仪对每步产物进行了表征.
关键词
Wessling合成
锍盐单体
PDMOPV
高聚物
苯乙炔
下载PDF
职称材料
MAPDST单体在EUV光刻胶制备过程中的应用
2
作者
李元壮
姜靖逸
肖国民
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第S02期32-37,共6页
极紫外(EUV)光刻胶的研发作为适配未来光刻技术的发展方向,现已成为超高精度集成电路制造的最高效工艺技术。其中,(4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐(MAPDST)作为一种含辐射敏感锍基功能的关键单体,现已广泛应用于极紫外(E...
极紫外(EUV)光刻胶的研发作为适配未来光刻技术的发展方向,现已成为超高精度集成电路制造的最高效工艺技术。其中,(4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐(MAPDST)作为一种含辐射敏感锍基功能的关键单体,现已广泛应用于极紫外(EUV)光刻胶的研发生产过程中。首先,简要阐述在制约光刻胶性能提升过程中存在的分辨率(R)、线边缘粗糙度(LER)、曝光灵敏度(S)之间的平衡制约关系,即RLS平衡制约关系;随后,对MAPDST单体的优越性能以及在推动光刻胶朝着高分辨率方向发展的应用现状进行综述;最后,对EUV光刻胶材料及MAPDST单体的未来发展做出展望。
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关键词
极紫外光刻技术
极紫外光刻胶
(4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基
锍
三氟甲磺酸
盐
单体
RLS平衡制约关系
二次电子
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职称材料
题名
2,5-二甲氧基对苯乙炔前聚物单体的合成
1
作者
汪雨明
曾繁涤
刘贤德
赵鑫
机构
华中理工大学化学系
出处
《华中理工大学学报》
CSCD
北大核心
1996年第7期99-101,共3页
文摘
以对苯二酚为基本原料,通过甲氧基化、氯甲基化、锍化三个反应合成得到了单体双锍盐且产率达84%,并运用色谱/质谱联用仪和核磁共振仪对每步产物进行了表征.
关键词
Wessling合成
锍盐单体
PDMOPV
高聚物
苯乙炔
Keywords
PDMOPV
Wessling's method
sulphonium salt Monomer
分类号
O632.17 [理学—高分子化学]
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职称材料
题名
MAPDST单体在EUV光刻胶制备过程中的应用
2
作者
李元壮
姜靖逸
肖国民
机构
东南大学化学化工学院
出处
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第S02期32-37,共6页
文摘
极紫外(EUV)光刻胶的研发作为适配未来光刻技术的发展方向,现已成为超高精度集成电路制造的最高效工艺技术。其中,(4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐(MAPDST)作为一种含辐射敏感锍基功能的关键单体,现已广泛应用于极紫外(EUV)光刻胶的研发生产过程中。首先,简要阐述在制约光刻胶性能提升过程中存在的分辨率(R)、线边缘粗糙度(LER)、曝光灵敏度(S)之间的平衡制约关系,即RLS平衡制约关系;随后,对MAPDST单体的优越性能以及在推动光刻胶朝着高分辨率方向发展的应用现状进行综述;最后,对EUV光刻胶材料及MAPDST单体的未来发展做出展望。
关键词
极紫外光刻技术
极紫外光刻胶
(4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基
锍
三氟甲磺酸
盐
单体
RLS平衡制约关系
二次电子
Keywords
extreme ultraviolet lithography
EUV photoresist
MAPDST monomer
RLS equilibrium restriction relation
secondary electron
分类号
TQ549 [化学工程—煤化学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
2,5-二甲氧基对苯乙炔前聚物单体的合成
汪雨明
曾繁涤
刘贤德
赵鑫
《华中理工大学学报》
CSCD
北大核心
1996
0
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职称材料
2
MAPDST单体在EUV光刻胶制备过程中的应用
李元壮
姜靖逸
肖国民
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
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