锑掺杂二氧化锡纳米导电浆料的制备与防静电应用

以锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米导电粉体为研究对象,以直径0.2 mm的氧化锆球作为研磨介质,采用卧式砂磨机对粉体进行湿法球磨,并添加分散剂促进纳米浆料的分散稳定化。通过优化试验获得了小尺寸、高稳定性、高固含量的锑掺杂二氧化锡纳米导电浆料。将该浆料加到环氧树脂中,添加量为1.5%时,涂层的电阻率为106Ω·cm,可见光透过率为87%。

锑掺杂二氧化锡(ATO)导电粉体的研究进展

介绍了锑掺杂二氧化锡(ATO)的特点、导电机理、制备方法研究现状及目前存在的问题。ATO具有良好的导电性、浅色透明性、稳定性、粒子纳米化及多功能性,指出氧空位和Sb5+在SnO2禁带形成施主能级并向导带提供n型载流子是ATO导电的两种主要机理,主要介绍了液相法中常用制备超细ATO粉体的方法:沉淀法、溶胶-凝胶法和醇盐水解法,最后指出了制备超细ATO粉体存在的问题及解决方法。

锑掺杂二氧化锡纳米新型导电材料的制备

介绍了锑掺杂二氧化锡 (ATO)纳米新型导电材料的性能及近年来国内外的研究应用进展 ,论述了其导电机理 ,并叙述了纳米ATO导电粉体和浆料的制备方法。

叶腊石基锑掺杂二氧化锡复合导电粉体的制备及电性能

通过化学共沉淀法制备了以叶腊石微粉为基体、表面包覆锑掺杂二氧化锡的复合导电粉体,采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)分别对该复合导电粉体晶体结构和微观形貌进行表征,并进一步研究了各反应条件对复合粉体体积电阻率的影响。实验结果表明,当水解温度60℃、水解pH值为1、SnCl4加入量100%、Sb掺杂量16%、600℃煅烧1 h时,可得到体积电阻率为26.cm的复合导电粉体。该复合导电粉体可作为填料广泛应用于导电塑料、橡胶等复合导电产品,同时为矿物基功能材料的低成本制备提供了新的思路。

锑掺杂二氧化锡(ATO)导电机理及制备方法研究现状

介绍了锑掺杂二氧化锡(ATO)的导电机理和该材料湿相制备方法的研究现状。晶格的氧缺位、5价Sb杂质在SnO_2禁带形成施主能级并向导带提供n-型载流子是ATO导电的2种主要机理,湿相制备超细ATO可分为均相沉淀和非均相沉淀方案,其中均相沉淀法的产品质量最佳。最后列举了ATO超细粉制备存在的问题。

锑掺杂二氧化锡薄膜的导电机理及其理论电导率

归纳总结了锑掺杂二氧化锡(ATO)的导电机理。晶格的氧缺位、5价Sb杂质在SnO2禁带形成施主能级并向导带提供n型载流子是ATO导电的两种主要机理。从材料的电导率公式出发,定性分析了二氧化锡中掺杂锑的含量存在理论最佳值,根据已有模型计算证明了锑掺杂二氧化锡电导率存在理论上限。掺杂二氧化锡中锑的最佳理论含量为1.49%(质量百分数),锑掺杂二氧化锡理论电导率最高为0.217×104(Ω·cm)-1,氧空位对ATO电导率的贡献为0.1506×104(Ω·cm)-1。

锑掺杂二氧化锡导电机理及制备方法研究现状

从二氧化锡的应用出发,总结了锑掺杂二氧化锡的导电机理和该材料湿相制备方法的研究现状。认为晶格的氧缺位、Sb^(5+)杂质在SnO_2禁带形成施主能级并向导带提供n型载流子是锑掺杂SnO_2导电的两种主要机理,将湿相制备超细锑掺杂SnO_2分为均相沉淀和非均相沉淀两个方案。最后列举了在制备锑掺杂SnO_2超细粉时存在的问题,并对今后工作提出了展望。

硬脂酸/钛酸四丁酯复合改性剂处理掺锑二氧化锡纳米粉体

用硬脂酸/钛酸四丁酯复合改性剂对掺锑二氧化锡(ATO)纳米粉体进行表面有机化改性处理。通过润湿性、分散稳定性测试研究处理温度、分散介质以及钛酸四丁酯与硬脂酸的量比对改性效果的影响。采用热重分析、透射电镜分析、红外光谱分析、X射线光电子能谱等测试方法对改性后粉体的表面包覆率、形貌、分散状态以及改性机理进行研究。研究结果表明,提高处理温度、适当增加复合改性剂中硬脂酸的量并选用极性弱的有机溶剂可达到比较理想的改性效果;钛酸四丁酯的作用是与粉体粒子表面的羟基以及吸附水反应产生偶联点,如M—O—Ti—OH,这些偶联点易于与羧酸反应;在低温时RCOO-与偶联点的Ti(IV)之间以配合物的形式发生作用,在回流温度下处理时,主要发生酯化反应,使硬脂酸更牢固地嫁接到粉体粒子表面,改性效果更好。

纳米锑掺杂二氧化锡水悬浮液性质的研究

为研制稳定性、分散性良好的纳米锑掺杂二氧化锡(ATO)水悬浮液,研究了纳米ATO在水中的稳定、分散行为,讨论了分散剂种类、ATO用量、pH值、分散剂用量对体系稳定性、分散性和流变性的影响。采用沉降实验、Zeta电位仪、激光粒度仪、透射电镜等测试方法对纳米ATO悬浮液的特性进行表征。实验结果表明,选用静电位阻型分散剂聚乙烯亚胺(PEI),ATO用量为8％,分散剂用量8％～10％,pH值>4时,7 d后悬浮液沉降体积分数小于16％,ATO的平均粒径100 nm左右,体系粘度小于2 mPa·s。

新型锑掺杂二氧化锡纳米颗粒的水热合成

将金属锡和氧化锑溶于硝酸,再与柠檬酸配位形成稳定的溶液,采用水热-热处理工艺制备了锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米粉体,研究锑掺杂浓度和热处理温度对ATO纳米颗粒的晶粒尺寸、晶格参数、比表面积和结晶度的影响。结果表明:水热-热处理工艺以及合成过程中无氯离子的参与都使得制备的ATO纳米粉体颗粒细小,粒度分布窄,分散性好;随着热处理温度的升高,ATO颗粒加速长大;ATO晶体中Sb5+与Sb3+的物质的量比随着锑掺杂量和煅烧温度的变化而变化,导致Sn O2的晶胞体积和导电性变化;Sb元素的掺杂限制了纳米粒子的生长,降低了Sn O2的结晶度。

锑掺杂二氧化锡薄膜的导电机理及其理论电导率

归纳总结了锑掺杂二气化锡(ATO)的导电机理,晶格的氧缺位、5价Sb杂质在SnO_2禁带形成施主能级并向导带提供n-型载流于是ATO导电的两种主要机理。从材料的电导率公式出发,定性分析了二氧化锡中掺杂锑的含量存在理论最佳值,根据已有模型计算证明了锑掺杂二氧化锡电导率存在理论上限。掺杂二氧化锡中锑的最佳理论含量为1.49％(质量分数),锑掺杂二氧化锡理论电导率最高为0.2×10~4(Ω·cm)^(-1),氧空位对ATO电导率的贡献为0.1392×10~4(n·cm)^(-1),大于掺杂电子对ATO电导率的贡献(0.061×10~4(Ω·cm)^(-1))。

纳米二氧化锡导电粉体的制备

以 Sn Cl4· 5 H2 O和 Sb Cl3 为原料 ,采用化学共沉淀的方法制备出纳米二氧化锡导电粉体。运用 TEM和 XRD对粉体进行了表征 ,结果显示 ,掺锑二氧化锡为四方相金红石结构 ,随着煅烧温度的升高 ,晶粒尺寸和平均原始粒径逐渐增加。研究了 p H值、反应温度、m( Sn Cl4·5 H2 O) / m( Sb Cl3 )、煅烧时间和煅烧温度对导电二氧化锡体积电阻率的影响。

化学共沉淀法制备镱掺杂二氧化锡纳米粉体

采用化学共沉淀法,以Yb(NO3)3·6H2O和SnCl4·5H2O为原料,氨水为沉淀剂,在掺杂浓度为nSn∶nYb=9∶1的条件下,合成了分散均匀的镱掺杂二氧化锡纳米粉体。利用SEM、XRD、TG-DTA、IR等分析方法对粉体的形貌、物相、结构等进行了表征。实验结果表明,当前驱体在600℃下煅烧3h时,可以获得晶化良好、四方晶相的镱掺杂二氧化锡纳米粉体。

锑掺杂二氧化锡涂覆型导电纤维力电行为研究

导电纤维作为一种功能纤维，具有电阻“正效拉力系数”效应，利用这一特性可将其制成应力传感器，以实现对道路或桥梁等结构的在线监测，具有很好的应用前景。以锑掺杂二氧化锡（ATO）为导电成分，聚己内酰胺（PA6）纤维为基体纤维，制备了ATO/PA6涂覆型导电纤维，讨论了ATO/PA6导电纤维体积比电阻随拉伸应力的变化，并建立了数学模型，为进一步研究其力电行为奠定了基础。

锑掺杂的二氧化锡纳米粉粒抗静电性能的探讨

介绍了锑掺杂的二氧化锡纳米粉粒的制备 ;研究了不同锑掺杂量的二氧化锡纳米粉粒及其不同混合比对制得抗静电剂性能的影响 ,这种抗静电剂有很好的抗静电性能。

锑掺杂纳米二氧化锡颗粒在乙二醇中的分散稳定性

开发了二次球磨湿法制备锑掺杂纳米二氧化锡(ATO)/乙二醇(EG)稳定体系的新方法;选用硅烷偶联剂KH 570,实现了ATO颗粒在EG溶液中的均匀分散和稳定性控制;研究了分散工艺参数对体系的影响,探讨了ATO颗粒的表面包覆改性机理。研究表明:分散剂KH 570的含量和体系的pH显著影响ATO在EG中的分散稳定性,在KH 570含量为1.5%,体系pH为8.5时,ATO/EG浆料的分散性能最佳。KH 570与ATO颗粒表面羟基发生的化学键结合,提高了颗粒表面的疏水性,改善了ATO颗粒与有机极性溶剂及高聚物之间的亲和力。

锑掺杂的二氧化锡纳米粉粒抗静电性能的探讨

介绍了锑掺杂的二氧化锡纳米粉粒的制备,研究了不同锑掺杂量的二氧化锡纳米粉粒及不同混合比对抗静电剂性能的影响,得出了用一定锑掺杂量的二氧化锡纳米粉粒及混合比制备的抗静电剂有很好的抗静电性能.

锑掺杂浓度对二氧化锡纳米微粉的影响

以无机盐为原料,采用共沉淀法制得了掺锑SnO2纳米级微粉.运用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和差热分析(DTA)等观测手段对微粉末进行了表征,比较系统地研究了掺锑浓度对物相、粉末颗粒度及电阻的影响规律.实验结果表明,低掺杂浓度样品(x≤0.462),Sb原子固溶于四方晶系SnO2中,高掺杂浓度样品(x≥0.519),Sb原子将从固溶体中脱溶并被氧化为Sb2O4相;掺杂Sb可以减小SnO2的晶粒度,在热处理时阻碍 SnO2晶粒长大,掺杂浓度>0.181时,进一步掺杂对粉末粒度没有明显的影响;SnO2粉末电导率随掺锑浓度的增大而提高,掺杂浓度为0.095时粉末电导率达到极大值,当掺杂浓度>0.245时,粉末电阻快速增大.兼顾掺杂浓度对粉末粒度和电阻的影响,合适的掺杂浓度x为0.181～0.230.

一种制备锑掺杂二氧化锡纳米粉体的方法

一种制备锑掺杂二氧化锡纳米粉体的方法，先将锑白溶解于酒石酸氢钠饱和溶液中，得到酒石酸锑钠溶液，同时配制一定浓度的锡酸钠溶液；根据ATO纳米粉末的锑掺杂量，将酒石酸锑钠溶液和锡酸钠溶液混合并加入酒石酸氢钠作为配合剂，同时加入双氧水作为氧化剂，用硫酸调节混合溶液的酸度；上述混合溶液在高压釜中反应一定时间，

热处理对掺锑二氧化锡纳米导电粉粒度和性能的影响

ＳｎＯ２超细粉用作透明导电膜和导电涂料具有广阔的应用前景．以ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ和ＳｂＣｌ３为原料,在掺杂浓度Ｓｂ２Ｏ３∶ＳｎＯ２＝９∶１００(重量比)的条件下,采用共沉淀法制得了纳米级的ＳｎＯ２超细粉．运用差示扫描量热法－失重分析(ＤＳＣ－ＴＧ)、Ｘ射线衍射(ＸＲＤ)、透射电镜(ＴＥＭ)和紫外可见光光谱分析(ＵＶ)等观测手段对微粉末进行了表征,比较系统地研究了热处理工艺(温度、时间)对粉末颗粒度和电阻的影响规律,探讨了掺锑ＳｎＯ２导电粉的显色特性．