Sb有序单晶纳米线阵列的制备

采用直流电沉积的方法在氧化铝模板(AAM)中成功地制备了Sb单晶纳米线阵列.X射线衍射(XRD)证明所制得的纳米线阵列为(110)取向的六方相Sb.透射电镜(TEM)显示Sb纳米线平滑而均匀,直径40～50nm,长径比大于1000.选区电子衍射(SAED)结果表明,所制得的纳米丝为Sb单晶丝.场发射扫描电镜(FE-SEM)显示Sb纳米线阵列规则,填充率接近100%.

Fe-Co-Ni合金纳米线有序阵列的模板合成与磁性

以二次阳极氧化的氧化铝膜为模板,用电化学沉积的方法成功地合成了Fe-Co-Ni三组份有序纳米线阵列.扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察表明纳米线表面光滑、有序、高长径比;磁性测量表明,其矫顽力较同组份的膜材料有较大的提高.将样品在惰性气体氛围中不同温度下退火,随着退火温度增加,其纵向矫顽力有一个极值,而对应的横向矫顽力没有类似的变化,关于这一现象的机理,本文进行了初步的讨论.

单晶Ni纳米线阵列的制备与磁性能

采用恒电流沉积方法,在多孔阳极氧化铝(AAO)模板中制备出了具有单晶结构的Ni纳米线阵列.采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)技术对制备的Ni纳米线阵列的形貌及结构进行了表征.利用振动样品磁强计(VSM)对单晶Ni纳米线阵列的磁性能进行了研究.结果表明,单晶镍纳米线阵列的易磁化方向为纳米线轴向,并且与多晶纳米线相比显示出了更高的矫顽力.直径为30nm的纳米线具有较高的矫顽力(8.236×104A/m)和较高的剩磁比(Mr=0.94Ms).

双槽法电沉积Cu/Ni多层纳米线有序阵列

以多孔阳极氧化铝(AAO)为模板,采用双槽法电沉积工艺制得高度有序的Cu/Ni多层纳米线阵列.利用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对Cu/Ni多层纳米线进行了表征,观察到纳米线表面平滑,多层结构清晰,各子层厚度均匀,直径约为100nm,与AAO模板孔径基本一致.由选区电子衍射(SAED)照片可知,多层纳米线中Cu层和Ni层均为单晶结构.振动样品磁强计(VSM)测试结果表明,Cu/Ni多层纳米线阵列具有明显的垂直磁各向异性,外加磁场垂直和平行于AAO模板表面时,磁滞回线的矩形比分别为0.701和0.101,矫顽力分别为589Oe和202Oe.通过控制铝阳极氧化工艺及电沉积时间,可获得不同直径、不同子层厚度的Cu/Ni多层纳米线阵列.

模板法合成Co纳米线有序阵列的偏光特性

Co nanowire arrays were prepared by anodic alumina oxide template,which formed during DC superposed pulse source anodization process. The structure of porous alumina template and properties of optical polarization of Co nanowire arrays are studied with the help of the scanning electron microscope, X ray diffraction and infrared spectroscopy. The results showed that Co nanowire arrays have an excellent polarization property in near infrared region in 2700nm. We also found that the properties of optical polarization can also be controlled by adulterating kinds of electrodepositing metal and its alloys, by controlling length of nanowire, and by changing incidence angle.

两步电沉积法制备单晶Au纳米线阵列

以多孔阳极氧化铝为模板,采用两步交流电脉冲沉积法制备具有单晶结构的有序金纳米线阵列.实验表明:在氧化铝模板中由交流电沉积制备的金属纳米线,其成核电压直接影响模板内纳米线的填充率,而生长电压则控制纳米线的结构和形貌均一性.在最佳沉积条件下得到的金纳米线阵列,其填充率高达95%,且具有单晶结构.

银纳米线有序阵列的光偏振的理论研究

报道了组装在氧化铝模板中的银纳米线有序阵列光偏振的数值计算结果.进一步分析了阵列在可见—红外波段上显示光偏振的原因.通过适当选择纳米线的直径与间距,可以获得较大的消光比和较小的插入损耗。

有序银纳米线阵列的表面增强拉曼光谱研究

本文通过模板法制备了一系列不同孔径的氧化铝模板 ,并通过交流电向模板中沉积银而制成有序银纳米线阵列。以SCN- 作为探针分子 ,用H3PO4溶解模板并用共焦显微拉曼系统现场检测SERS信号。结果表明 ,SERS信号的强度随露出表面纳米线的长度的增加而变大 ,到一定程度后又逐渐减弱。

用AAO模板制备有序硅纳米线阵列

利用二次氧化法制备了高度有序的多孔阳极氧化铝膜,以此膜为模板通过磁控溅射制备了多孔有序的Pt/Ag双层金属薄膜,将此金属薄膜转移到n型单晶硅片上,通过金属辅助化学刻蚀法刻蚀出有序单晶硅纳米线阵列.原子力显微镜和扫描电子显微镜观察发现,多孔阳极氧化铝膜及后续生长的多孔Pt/Ag双层金属薄膜都具有均匀分布、直径约45nm的纳米孔,以Pt/Ag双层金属薄膜为模板刻蚀得到的单晶硅纳米线具有与纳米孔同样的直径,且垂直硅衬底生长.

硅衬底上有序氮化铝纳米线阵列的生长

在450℃反应温度下，利用无水三氯化铝与叠氮化钠在25mL的不锈钢反应釜中直接反应，成功地在硅片衬底上制备了六方单晶氮化铝（h—AlN）纳米线有序阵列。这些纳米线呈长直线状，粗细均匀，直径约为100nm，长度均在几个微米以上。所有纳米线生长方向一致，而且与硅片衬底垂直。经过分析，纳米线由气液固机制生长而成.

有序Ni纳米线阵列的样模制备法及其磁单畴特性

研究以多孔氧化铝为样模通过电沉积制备金属 Ni的有序一维纳米线阵列 ,对其形貌和结构进行了表征 ,并测量了有序 Ni纳米线阵列的磁滞回线 .结果表明 :以多孔氧化铝为样模所制得的 Ni纳米线尺寸均匀、排列有序且直径和长度可在一定范围内任意调节 ;直径为 10 nm ,长达 8μm的 Ni纳米线阵列在磁性质上表现出显著的磁单畴特性 .

高性能二维钙钛矿单晶纳米线阵列光电探测器研究取得进展

有机-无机钙钛矿材料具有优异的光电性质,应用于制备高效率太阳能电池和发光二极管。钙钛矿具备较高的载流子迁移率、较长的寿命和扩散距离,也是一类较为理想的光电探测器材料。但三维钙钛矿暗电流对光电探测器的信噪比有较大影响,发展受到限制。基于多晶薄膜的光电二极管检测器,虽可抑制暗电流,但无法实现较大的光电导增益,器件灵敏度也不理想。近日,中国科学院理化技术研究所博士吴雨辰、中科院院士江雷课题组与天津大学教授付红兵,中科院外籍院士、美国加州大学伯克利分校教授张翔团队合作,制备出高质量的二维钙钛矿单晶纳米线阵列,首次发现二维钙钛矿纳米线的边缘态光电导效应,并实现了目前世界上最高灵敏度的钙钛矿光电探测器。

“一维纳米结构和纳米线有序阵列”

随着纳米材料研究的不断深入，对性能的研究愈来愈迫切。但研究无序随机排列的纳米材料性能却非常困难，既便能获得一些结果，却由于试样之间的不统一与不均匀，使不同研究者获得的同类实验结果没有对比性。为此，我们发展了基于有序多孔氧化铝模板的纳米线有序阵列制备技术，实现了纳米线直径可控、密度可调。为纳米材料性能的研究提供了保障，为纳米材料的应用奠定了基础。

我国纳米材料研究的开拓者——中国科学院固体物理研究所“一维纳米线及其有序阵列的制备研究”项日组记述

在机遇与挑战并存的21世纪,信息、生物技术、能源、环境、先进制造技术和国防的高速发展必然对材料提出新的需求。纳米材料以其优异的性能和实用性成为新材料研究领域的关键材料之一。10多年来,中科院固体物理研究所纳米材料和纳米结构研究小组始终坚持把国际最前沿的技术作为攻坚目标,系统开展了对纳米材料和纳米结构的深入研究,在纳米科技基础性研究领域取得了具有国际影响的科研成果;同时还积极探索纳米材料在市场上推广和转化模式,培养出许多优秀的科研人才,为中国纳米材料术研究进入国际先进行列做出了贡献。该研究项目“一维纳米线及其有序阵列的制备研究”获得了2006年度国家自然科学二等奖。

金属钨纳米线阵列的制备

用气相方法在较低的温度(900℃)下在单晶硅基片表面制备出金属钨的单晶纳米线阵列,用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X-ray衍射(XRD)等手段对其进行了分析和表征.结果表明:在900℃制备的阵列单晶钨纳米线沿〈111〉方向生长,具有bcc结构,直径约为150 nm,长度为10-30μm.

钴纳米线阵列的制备和磁性

在具有纳米孔洞的氧化铝模板上 ,用电化学的方法制备了钴纳米线有序阵列 ,磁性测量显示易磁化方向平行于纳米线 ,矫顽力较块材有很大提高 ,可作为垂直磁存储介质 ,理想的存储密度高达 2 .6× 10 10

氧化铝模板制备ZnO纳米有序阵列及其光致发光性能研究

介绍了在多孔氧化铝模板(AAM)中沉积Zn阵列后将其加热氧化，得到单晶六角纤锌矿结构的ZnO／AAM纳米线有序阵列体系。研究了不同的氧化温度对Zn向ZnO转化和ZnO纳米阵列光致发光性能的影响。

电沉积法制备纳米线阵列的研究进展

利用电沉积方法制备纳米线阵列具有方法简单、条件温和、调控简便等优点,具有广阔的应用前景。综述了近期利用电沉积法制备纳米线阵列的研究进展,通过分析目前技术现状探讨了其未来发展趋势。

CoPt_3纳米线阵列的制备及特性研究

在具有纳米级孔洞的多孔氧化铝模板上,用电化学方法成功地制备了CoPt3纳米线有序阵列复合膜。分别用透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)、振动样品磁强计(VSM)和SQUID对样品进行了测试与表征。形貌观察和物相分析表明,模板中的CoPt3纳米线构成的阵列,排列均匀有序,长约1.5微米,直径35纳米;而纳米线中的CoPt3为L12无序结构。磁性研究表明,纳米线的无序晶体结构决定了纳米线阵列弱的磁晶各向异性;同时纳米线中部分小晶粒在400K左右表现出顺磁性,导致纳米线阵列居里温度的下降。比较低温和室温下的磁滞回线,低温下有大的矫顽力,从另一方面证明纳米线中的小晶粒确实存在相转变。

In_2O_3纳米线阵列的合成及表征

采用SBA-15硬模板复制技术合成纳米In_2O_3样品,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱对样品的晶体结构、晶粒尺寸、形貌及带隙宽度进行测试,分析样品的纳米结构对气敏性能的影响机制.结果表明:样品为纳米线阵列结构,三维In_2O_3纳米线阵列结构由粒径约为15nm的单晶近球形In_2O_3颗粒规则有序排列组成,间距约为1nm,带隙宽度为3.63eV;当温度为320℃,乙醇气体在空气中的体积比为10^(-4)时,其灵敏度达42.3.该纳米结构样品明显优于相同级别纳米颗粒和纳米介孔材料的气敏性能.