固定化锑氧化菌K.aerogenes HC10去除水中Sb(Ⅲ)的效果及机制

针对水环境中Sb(Ⅲ)的毒性问题,采用包埋法制备了固定化锑氧化菌,研究其去除水中Sb(Ⅲ)的效果和机制。通过改变不同固定化锑氧化菌投加量、Sb(Ⅲ)初始浓度、初始pH探究不同因素对固定化锑氧化菌治理含锑废水的影响。结果表明:Sb(Ⅲ)的去除率随着固定化锑氧化菌投加量及初始pH的增大而增大,随着Sb(Ⅲ)初始浓度的增大而减小,在固定化锑氧化菌投加量为2%,Sb(Ⅲ)初始浓度为0.1 mmol/L、初始pH为8.5条件下,培养72 h,Sb(Ⅲ)去除率达到74.31%。通过扫描电子显微镜和傅里叶变换红外光谱对固定化锑氧化菌进行了表征,发现固定化锑氧化菌内部呈多孔三维网状结构,为锑氧化菌的生长繁殖提供营养和场所,而且对Sb(Ⅲ)有较好的吸附作用;官能团—OH、—C—O、—C=C对锑的结合起着主要作用。

锑氧化菌Pseudomonas sp.AO-1的分离鉴定及其对Sb(III)的氧化性能

采用抗性筛选法从锡矿山筛选出一株锑氧化菌,并利用分子生物学技术对其进行鉴定;考察了其氧化Sb()Ⅲ的性能和氧化次生矿物的特征.结果表明:锑氧化菌属于假单胞菌属(Pseudomonas),将其命名为Pseudomonas sp.AO-1(简称:AO-1);影响AO-1氧化Sb(Ⅲ)的因素主要有溶液pH值、溶解氧和铁锰氧化物(单质铁、FeCl_(3)和MnO_(2))等;AO-1在好氧和缺氧条件下均能氧化Sb(Ⅲ),好氧氧化Sb(Ⅲ)的米门常数Km和最大氧化速率Vmax值分别为393.05µmol/L和0.271µmol/(L·min),体现了较强的锑氧化性;AO-1和铁锰氧化物的耦合作用能促进Sb(Ⅲ)的氧化,且铁锰氧化物促进AO-1氧化Sb(Ⅲ)的速率依次为:FeCl_(3)>MnO_(2)>单质铁;AO-1和铁锰氧化物耦合氧化Sb(Ⅲ)生成含Sb(Ⅴ)的次生矿物,次生矿物会加速Sb(Ⅲ)的氧化以及影响锑在环境中的迁移转化.菌株AO-1的锑氧化性能良好,对于锑的生物化学转化和土壤微生物修复的应用有重要意义.

制备低团聚掺锑氧化锡超细粉体的新方法

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,用醇盐水解法制备了纳米掺锑氧化锡(ATO)导电粉体。用正丁醇—二甲苯的混合溶剂共沸蒸馏、有机脱水剂以及其它方法对前驱体胶态沉淀进行脱水处理,以消除粉体团聚。运用XRD、TEM、BET等手段对粉体进行表征,比较了各种脱水处理方法对ATO纳米导电粉体的粒度、团聚度、晶粒生长以及电阻率的影响。结果表明,混合溶剂共沸蒸馏处理以及有机脱水剂是比较有效的脱水方法,可以用来制备比表面积大(85.32m2·g—)、团聚小、电阻率低1的纳米ATO导电粉体。

自掺杂型锑氧化物材料的制备、表征及其对Sr(Ⅱ)的吸附性能

90Sr是核电站放射性废液中需要重点去除的核素之一,水合锑氧化物Sb2O5·mH2O可以在酸性条件下选择性吸附脱除90Sr.本文在以醇为溶剂的无水体系中,以化学性能较稳定且毒性低的SbCl3为原料,以紫外线照射辅助双氧水氧化及控制水解两步法制备出自掺杂型锑氧化物Sb(Ⅲ)/Sb2O5.文中采用X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和傅里叶变换红外(FTIR)光谱对材料结构进行结构表征,并采用批量实验方法研究不同Sb(Ⅲ)/Sb(total)比例与Sr(Ⅱ)吸附性能的相关性,以及溶液pH值对Sr(Ⅱ)吸附性能的影响.实验结果表明:Sb(Ⅲ)可在较大的比例范围内共存于立方烧绿石型Sb2O5晶格内,形成良好的固溶体Sb(Ⅲ)/Sb2O5;制备过程中通过控制醇溶剂的类型、氧化剂的添加方式以及两步反应温度,可以获得具有不同氧化率,即不同Sb(Ⅲ)/Sb(total)比例的Sb(Ⅲ)/Sb2O5材料;其中Sb(Ⅲ)/Sb(total)比例为49.8%的锑氧化物材料吸附性能最好,在纯水体系下对Sr(Ⅱ)的分配系数为6.6×107mL·g-1,在pH=3-13范围内对Sr(Ⅱ)具有良好的吸附性能,并且在本文实验条件下,Sr(Ⅱ)在锑氧化物材料上的吸附更好地符合Langmuir吸附模型.

煅烧温度对掺锑氧化锡粉体性能的影响

探讨了煅烧对掺锑氧化锡粉体性能的影响。用X射线衍射进行粉体晶粒尺寸和物相检测,表明粉体晶粒随煅烧温度升高而长大,粉体保持了SnO2的四方相结构。透射电镜结果表明颗粒为球形,随温度升高粒度增加。比较Sb2O5和Sb2O3的标准生成自由能,认为较低温度下Sb的掺杂应为Sb5+。

共沉淀法制备掺锑氧化锡粉体及其性能

以SnCl4.5H2O和SbCl3为原料,采用共沉淀法制备出掺锑氧化锡纳米粉体,用X射线衍射、透射电镜、热重-差示扫描量热分析(TG-DSC)对粉体进行表征。结果表明,粉体晶粒中没有明显的择优取向,其(110),(101)和(211)面峰较强。Sb的掺入没有产生新的相,Sb取代氧化锡晶格中的Sn,保持了良好的四方相SnO2特征。粉体粒子呈单分散状态且为球形或类球型,粒径在10～15nm的范围内。可见光区的透光率超过90%。ATO纳米粉体在液体中分散很好,可稳定存放10月以上。

有机酸酐在纳米掺锑氧化锡粉体制备中的应用

以SnCl_4·5H_2O，SbCl_3为原料，用醇盐水解法制备了掺锑氧化锡(antimony doped tin oxide，ATO)纳米粉体。为了消除粉体团聚，采用有机酸酐作脱水剂，对前驱体胶态沉淀进行脱水处理，并与其它处理方法进行了比较。用XRD，TEM，BET等方法对粉体进行表征，研究了处理方法对ATO纳米导电粉体的粒度、团聚度、晶粒生长以及电阻率的影响。结果表明：有机酸酐处理可以有效地脱除ATO前驱体胶态沉淀中的H_2O和粒子表面的—OH，具有很好的抗团聚效果，可以用来制备比表面积大(≈85.32 m^2／g)、团聚小、电性能好的纳米粉体。

掺锑氧化锡纳米晶体的制备及性能研究

以SnCl4.5H2O和SbCl3乙醇溶液为原料,用离子交换除氯水解法制备得到无氯离子的前驱体掺锑氢氧化锡胶体沉淀。采用了乙酸异戊酯有机溶剂作脱水剂以消除掺锑氢氧化锡胶体干燥过程中硬团聚的形成,并和常用的正丁醇共沸溶剂进行了粉体性能的比较。用BET、XRD和TEM等方法对前驱体和掺锑氧化锡纳米粉体进行表征。结果表明,乙酸异戊酯溶剂比正丁醇溶剂更有效防止了粉体干燥过程中硬团聚的形成;将乙酸异戊酯干燥所得掺锑氢氧化锡干粉经热处理后得到了高比表面积的掺锑氧化锡纳米粉体,并对晶粒的生长过程进行了研究。

超临界流体干燥法制备纳米掺锑氧化锡粉体

以SnCl4.5H2O和SbCl3乙醇溶液为原料制备前驱体掺锑氢氧化锡胶体沉淀,采用乙醇超临界流体干燥法干燥前驱体;用TG-DTA、XRD、TEM、BET等方法对粉体的结构、物相、形貌进行表征。结果表明,采用乙醇超临界流体干燥法可得到高比表面积的掺锑氧化锡纳米粉体。

钛基锡锑氧化物涂层电极制备及其在化工废水处理中的应用

概述了Ti/SnO_(2)-Sb电极的性质、制备方法及其存在的优缺点,并对近10年来不同方法改性处理前后电极电催化活性与电化学稳定性的变化情况及其在化工废水处理中的应用进行了综述。

纳米掺锑氧化锡粉末的制备及表征

以SnCl4.5H2O和SbCl3乙醇溶液为原料,采用离子交换除氯水解法得到无氯离子的掺锑氢氧化锡胶体沉淀,以正丁醇作脱水剂对胶体进行共沸干燥处理,所得的掺锑氢氧化锡干微粉经热处理后得到了四方形金红石结构的掺锑氧化锡纳米粉末。用TG-DTA、IR、BET、BJH、XRD、TEM等方法对粉体的结构、物相、形貌进行了表征。

掺锑氧化锡材料制备方法研究进展

综述掺锑氧化锡制备方法的研究进展。溶胶-凝胶法、喷雾热分解法、水热法、化学沉淀法都是良好的制备方法,但工业应用都存在一定的不足。溶胶-凝胶法制备的粉体分散性好、纯度高但工艺控制困难。喷雾热分解法简单方便但不能排除Cl-。水热法团聚低,纯度高但设备昂贵。化学沉淀法成本低但容易产生团聚现象。

纳米掺锑氧化锡粉末的制备和性能研究

采用阴离子交换除氯水解法和不同干燥法制备了掺锑氧化锡纳米粉末,用XRD,TEM和BET对粉末的物相、形貌、比表面积进行了表征.结果表明,用乙酸异戊酯共沸蒸馏干燥是比较有效的脱水方法,可以用来制备比表面积大(82.665 m2/g)的纳米掺锑氧化锡粉末.

一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性(英文)

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜(TAO).根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb原子比处于0.22～0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的.光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(～3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜,p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.

掺锑氧化锡纳米粉末的制备和表征

以SnCl4·5H2O和SbCl3乙醇溶液为原料,用阴离子交换除氯水解法制备得到了无氯离子的掺锑氢氧化锡胶体沉淀.为了消除粉体团聚,首次采用了乙酸异戊酯有机溶剂作脱水剂,用TG-DTA、IR、XPS、BET、XRD、TEM等方法对粉体的结构、成分、形貌、物相进行表征.结果表明,乙酸异戊酯溶剂是一种非常理想的共沸干燥有机溶剂,其有效防止了粉体的硬团聚的形成;将乙酸异戊酯干燥所得的掺锑氢氧化锡微粉经热处理后得到了四方形金红石结构、团聚少、分散性好、导电性好的掺锑氧化锡纳米粉末.

掺杂比与热处理温度对锡锑氧化物结构与电性能的影响

采用水热法制备锡锑氧化物(ATO)纳米粉,利用XRO方法研究不同Sb—Sn掺杂比及热处理温度对ATO结构和电性能的影响。实 验结果显示:掺杂摩尔分数n(Sb):n(Sn)=4％～8％时达到最佳导电性能,随温度升高,电阻率降低。

低团聚掺锑氧化锡纳米微粉的制备

以SnCl4?5H2O和SbCl3乙醇溶液为原料,用阴离子树脂交换除氯水解法制得无Cl–的掺锑氢氧化锡胶体沉淀。并用乙酸异戊酯作脱水剂。结果表明,用乙酸异戊酯共沸蒸馏干燥法能有效防止粉体的硬团聚,得到了比表面积为284.43m2/g掺锑氢氧化锡微粉。热处理后得到了低硬团聚、电阻率为0.405?·cm的掺锑氧化锡纳米晶体。

乙酸异戊酯共沸干燥法制备低团聚掺锑氧化锡纳米微粉

以SnCl4·5H2O和SbCl3乙醇溶液为原料,用阴离子树脂交换除氯水解法制备得到无氯离子的前驱体掺锑氢氧化锡胶体沉淀。首次对以含氧官能团为主的系列憎水有机溶剂进行了共沸干燥脱水研究,并对所得粉体团聚程度进行比较。实验发现掺锑氧化锡共沸脱水干燥效果与有机溶剂分子结构之间有密切关系,提出了选择共沸有机溶剂的3个原则,在一系列有机溶剂中选择了最符合的乙酸异戊酯进行干燥实验,与常用的正丁醇共沸溶剂进行了消除粉体团聚效果的比较。运用IR、BET、TEM、XRD等方法对掺锑氢氧化锡粉体的结构、比表面积、形貌、物相进行表征。结果表明,乙酸异戊酯溶剂是理想的共沸干燥有机溶剂,其干燥所得掺锑氢氧化锡蓬松粉体的比表面积为284.44m2/g,比用正丁醇处理的增大了22%。将乙酸异戊酯干燥所得的掺锑氢氧化锡微粉经热处理后得到了低团聚的掺锑氧化锡纳米微粉。

锡锑氧化物中间层对钛基阳极氧化MnO_2电极性能的影响

将锡锑氧化物用作钛基MnO2电极的中间层可改善电极性能,目前在钛基锡锑氧化物中间层上多采用热分解法制备MnO2层制成电极,而很少采用电化学方法。为此,先在钛片上涂覆SbOX+SnO2中间层,然后在其上在MnSO4溶液中阳极氧化制备MnO2层,最终制成Ti/SbOX+SnO2/MnO2电极,通过暂态和稳态动电位极化探讨了中间层对MnO2成膜过程的影响,并利用电化学阻抗谱、极化曲线等电化学方法研究了中间层对钛基MnO2电极的催化性能和稳定性能的影响。结果表明:锡锑氧化物中间层的添加没有改变锰离子的阳极氧化机理,但提高了锰离子的氧化速度,降低了Ti基体和MnO2层之间的接触电阻,促进了MnO2与Ti基体间的电荷传递,降低了电极的析氧电位,提高了电极析氧催化性能和稳定性能。

铅锑氧化渣的综合利用工艺研究

以铅锑氧化渣为原料,采用HCl-NaCl浸出等湿法为主的工艺分别回收Sb和Pb。重点介绍了回收Sb和Pb的工艺过程和条件。结果表明,HCl-NaCl浸出液冷却结晶后的结晶母液经锑粉还原、水解、除杂、超声中和工艺可得到立方晶型Sb_2O_3,浸出液冷却后过滤得到粗PbCl_2经精制、前驱物PbCO_3的制备及前驱物的煅烧工艺可得到β-PbO或Pb_3O_4。