锑铋合金薄膜的光学常数

锑铋合金薄膜是一种新型超分辨光学功能材料,了解它的基本光学性质对其在光学信息存储及光子器件应用方面具有重要意义。用磁控溅射法制备了不同成分的锑铋合金薄膜(Sb1-XBiX,X=0,0.1,0.2,0.3,0.88,1),用椭圆偏振法测量了薄膜的光学常数(折射率n和消光系数k)。研究表明,在可见光波段(300～850nm),锑铋合金膜的折射率和消光系数都随着铋含量的增加而减小,且薄膜折射率和消光系数同时随波长的增加而增加,折射率呈现反常色散特性。用原子力显微镜、X射线衍射仪研究了成分变化对薄膜表面形貌和微结构的影响。研究表明,锑铋合金薄膜的微观结构呈现多晶态,晶化程度随着铋含量的增加而增加,这可能是影响其光学常数变化的主要因素。

铋锑合金中Weyl费米子的磁输运性质研究

铋锑合金(Bi1-xSbx)的能带结构随x而变化,在拓扑绝缘体和拓扑半金属的研究中具有重要的地位。对Bi0.96Sb0.04的研究表明,该合金的电阻率随温度的升高先升后降,具有典型的半金属特点。在极低温度下可以观察到纵向磁电阻和横向霍尔电阻随外磁场的Shubnikov de Haas振荡,且两者的振荡相位正好相反。随磁场增加的不饱和线性磁电阻可以解释为在具有无能隙或极小能隙材料中,费米面附近电子线性色散关系带来的量子效应。在低温下,通过外加磁场可使简并的Dirac锥电子,分离成不同手性的Weyl电子,在磁场方向与电流方向一致时观察到了手性反常引起的负磁电阻效应。

熔体过热对Sb-Bi合金凝固组织的影响

以Sb - 4.6 %Bi合金为研究对象 ,在限定其它因素保持不变的情况下 ,考察了熔体过热温度对凝固过程的影响 .实验结果发现 ,随着熔体过热温度的提高 ,合金形核过冷度增大 ,凝固组织显著细化 .研究表明 ,熔体过冷倾向是熔体结构状态的一个必然反映 ,熔体结构状态随温度发生变化是导致合金结晶过冷度发生明显变化的原因 ;随着过热温度的提高 ,Sb - 4.6 %Bi合金晶粒显著细化 。

Ag_2Te掺杂对p型Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3块状合金热电性能的影响

采用真空熔炼、机械球磨及放电等离子烧结技术（SPS）制备得到了（Ag2Te）x（Bi0.5Sb1.5Te3）1-x（x=0,0.025,0.05,0.1）系列样品,性能测试表明,Ag2Te的掺入可以显著改变材料的热电性能变化趋势,掺杂样品在温度为450-550K范围内具有较未掺杂样品更优的热电性能.适当量的Ag2Te掺入能够有效地提高材料的声子散射,降低材料的热导率.在测试温度范围内,（Ag2Te）0.05（Bi0.5Sb1.5Te3）0.95具有最低的晶格热导,室温至575K范围内保持在0.2-0.3W/（m·K）之间,在575K时,（Ag2Te）0.05（Bi0.5Sb1.5Te3）0.95试样具有最大热电优值ZT=0.84,相较于未掺杂样品提高了约20%.

从对铅笔芯的探究荣获诺贝尔奖谈起——石墨烯的发现、物理特性和应用前景

介绍安德烈·海姆和科斯塔亚·诺沃肖洛夫进行科学探究，研制成功卓越的二维新材料——石墨烯。荣获20lO年诺贝尔物理学奖的生动历程，论述了石墨烯膜的物理特性和应用前景。还简略的介绍了几种微电子基础材料——硅晶体、石墨烯和锑铋合金膜对于信息技术发展的重要意义。

半导体制冷材料的发展

从二元固溶体、三元固溶体、Ｂｉ－Ｓｂ合金、Ａｇ１－ｘＣｕ（ｘ）ＴｉＴｅ和ＹＢａＣｕＯ超导材料五个方面，较全面地介绍了现今性能较好的半导体制冷器材料的情况，并简单总结了提高材料优值系数的方法。

Bi0.96Sb0.04单晶体的量子振荡及输运性质

铋锑(Bi1-xSbx)合金在拓扑绝缘体的研究中具有重要的意义,Bi0.96Sb0.04单晶体的体电子具有类似狄拉克锥型的电子结构,具有特别的研究价值.通过对Bi0.96Sb0.04单晶体输运性质的测量发现其电阻率在温度高于120 K呈现出类半导体材料的性质,而在低于120 K呈现出类金属材料的性质.外加磁场后,其输运性质在低温和低场时观察到明显的弱反局域化特点.样品的磁电阻在高场下表现出了舒勃尼科夫-德哈斯(Shubnikov de Hass,SdH)振荡,且这一量子振荡在样品的霍尔电阻上表现得更加清晰,霍尔效应和量子振荡实验数据推算的载流子迁移率相互吻合.通过旋转被测样品在磁场中的角度,可以推测出输运过程主要由体电子承担,并得到费米面的大致形状近似为长短轴之比约为1.36∶1的椭球面.