锑锡氧化物掺杂碳纳米管导电膜的制备及电氧化性能研究

塑料添加剂双酚A(BPA)作为典型激素/干扰内分泌的化学物质(EDCs)在环境中无处不在,为实现BPA的高效去除,采用抽滤的方式制备了锑锡氧化物掺杂碳纳米管的导电膜(SnO_(2)-Sb@CNTEM),并通过膜过滤和电氧化过程的耦合去除BPA。通过SEM、XPS、XRD对膜电极的表面性质进行了表征,并通过LSV、CV、EIS对SnO_(2)-Sb@CNTEM的电化学性质进行了表征。以BPA为目标污染物,考察了膜电极的电氧化性能、稳定性,以SMX、DCF、CIP、TC为目标污染物,考察了膜电极的通用性。研究表明,成功制备了SnO_(2)-Sb@CNTEM;SnO_(2)-Sb@CNTEM的电氧化性能优于CNTEM;BPA在本研究条件下更容易被降解;SnO_(2)-Sb@CNTEM具有较高的稳定性和通用性。

掺杂比与热处理温度对锑锡氧化物结构和导电性能的影响

采用水热法制备锑锡氧化物(ATO)粉体,运用差热–热重分析(DTA-TGA)、X射线衍射(XRD)等测试手段对粉体进行了表征。研究了掺杂比、热处理温度等工艺条件对ATO粉体结构和导电性能的影响。实验结果显示:粉体仍为四方相的金红石结构;锑锡掺杂比(摩尔比)为11%时达到最佳导电性能,随掺杂量增加,粉体晶粒度变小;随热处理温度升高,电阻值降低,粉体晶粒度变大。

浓硫酸掺杂的单壁碳纳米管透明膜的制备及其导电性能

以浓硫酸(S)为掺杂剂,通过超声法制备了S掺杂的单壁碳纳米管(SWCNTs/S)。用羧甲基纤维素钠(CMCNa)对其进行分散,分散液经线棒涂布法制得SWCNTs/S/CMCNa透明导电膜(F)。用TGA和XPS研究了掺杂前后SWCNT的分散性和导电性变化。结果表明,S掺杂使SWCNTs具有更好的分散性和透明导电性。当S的用量为5 wt%时所制备的F在透光率80%时,其方块电阻为858Ω·sq-1,较未掺杂S的F(1 264Ω·sq-1)下降了406Ω·sq-1。

碳纳米管导电薄膜让手机触摸屏更轻柔

随着手机的普及，大众对手机的要求也越来越高，对手机屏幕的体验也越来越高。而手机触摸屏的奥秘，都在一张薄薄的导电膜上。目前，市场上广泛使用的透明导电薄膜多采用铟锡氧化物（ITO）薄膜，但钢是一种稀有金属，其可开采储量不断减少。碳纳米管（CNT）导电薄膜作为性能更好的替代品，近年来逐渐得到人们的关注。

薄膜光学理论与膜系设计

O484.1 2002064323透明导电薄膜最佳掺杂含量的理论计算=Theoreticalcalculation of optimum doping content for oxidesemiconductor films[刊,中]/范志新(河北工业大学应用物理系.天津(300130))∥半导体学报.—2002,23(6).—589-592分析了几种氧化物半导体透明导电薄膜材料的掺杂改性的实验结果,建立了薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系。

石墨烯基多功能复合材料的制备研究进展

从石墨烯/金属(氧化物)复合材料、石墨烯/导电聚合物复合材料、石墨烯/杂原子掺杂复合材料、石墨烯/碳纳米管复合材料,以及多元化石墨烯复合材料这几个方面对石墨烯复合材料的制备方法进行了综述,并对石墨烯复合材料的发展前景进行展望。