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锗/多孔硅和锗/氧化硅薄膜光致发光的比较研究
被引量:
4
1
作者
孙小菁
马书懿
+1 位作者
魏晋军
徐小丽
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期2033-2037,共5页
采用磁控溅射技术,以锗为溅射靶,在多孔硅上沉积锗薄膜,沉积时间分别为4,8和12min,及以锗-二氧化硅复合靶为溅射靶,在n型硅衬底上沉积了含纳米锗颗粒的氧化硅薄膜,锗与总靶的面积比分别为5%,15%,30%。各样品在氮气氛中分别经过300,600及...
采用磁控溅射技术,以锗为溅射靶,在多孔硅上沉积锗薄膜,沉积时间分别为4,8和12min,及以锗-二氧化硅复合靶为溅射靶,在n型硅衬底上沉积了含纳米锗颗粒的氧化硅薄膜,锗与总靶的面积比分别为5%,15%,30%。各样品在氮气氛中分别经过300,600及900℃退火30min。对锗/多孔硅和锗/氧化硅薄膜进行了光致发光谱的对比研究,用红外吸收谱分析了锗/多孔硅的薄膜结构。实验结果显示,锗/多孔硅薄膜的发光峰位于517nm附近,沉积时间对发光峰的强度有显著影响,锗层越厚峰强越弱。锗/氧化硅薄膜的发光峰位于580nm附近,锗与总靶的面积比对发光峰的强度影响较大,锗/氧化硅薄膜中的锗含量越高峰强越弱。不同的退火温度对样品的发光峰强及峰位均没有明显影响。可以认为锗/多孔硅的发光峰是由多孔硅与孔间隙中的锗纳米晶粒两者界面的锗相关缺陷引起的,而锗/氧化硅的发光峰来自于二氧化硅的发光中心。
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关键词
锗/
多孔硅
锗/氧化硅
光致发光
红外吸收
下载PDF
职称材料
Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致发光机制研究
被引量:
1
2
作者
陈彦
马书懿
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期142-143,147,共3页
用射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层膜,在室温下测量了Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致发光。利用位形坐标模型分析了锗/氧化硅纳米多层膜的发光中心,并用量子限制-发光中心模型对该纳米结构的电致发光过程作了研究,研究...
用射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层膜,在室温下测量了Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致发光。利用位形坐标模型分析了锗/氧化硅纳米多层膜的发光中心,并用量子限制-发光中心模型对该纳米结构的电致发光过程作了研究,研究表明锗/氧化硅纳米多层膜的电致发光主要来自SiO2层的发光中心。
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关键词
锗/氧化硅
纳米多层膜
电致发光
位形坐标
量子限制
发光中心
下载PDF
职称材料
锗/氧化硅纳米多层膜的电致黄光发射研究
3
作者
马书懿
马自军
+1 位作者
张开彪
陈海霞
《西北师范大学学报(自然科学版)》
CAS
2004年第4期35-37,共3页
通过射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层薄膜.测量到了来自Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致黄光发射,并发现该纳米结构具有整流特性.
关键词
锗/氧化硅
纳米多层膜
电致发光
射频磁控溅射
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职称材料
题名
锗/多孔硅和锗/氧化硅薄膜光致发光的比较研究
被引量:
4
1
作者
孙小菁
马书懿
魏晋军
徐小丽
机构
西北师范大学物理与电子工程学院
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期2033-2037,共5页
基金
国家自然科学基金项目(60276015)
教育部科学技术研究项目(204139)
+1 种基金
甘肃省高分子材料重点实验室开放基金项目(KF-05-03)
甘肃省自然科学基金项目(0710RJZA105)资助
文摘
采用磁控溅射技术,以锗为溅射靶,在多孔硅上沉积锗薄膜,沉积时间分别为4,8和12min,及以锗-二氧化硅复合靶为溅射靶,在n型硅衬底上沉积了含纳米锗颗粒的氧化硅薄膜,锗与总靶的面积比分别为5%,15%,30%。各样品在氮气氛中分别经过300,600及900℃退火30min。对锗/多孔硅和锗/氧化硅薄膜进行了光致发光谱的对比研究,用红外吸收谱分析了锗/多孔硅的薄膜结构。实验结果显示,锗/多孔硅薄膜的发光峰位于517nm附近,沉积时间对发光峰的强度有显著影响,锗层越厚峰强越弱。锗/氧化硅薄膜的发光峰位于580nm附近,锗与总靶的面积比对发光峰的强度影响较大,锗/氧化硅薄膜中的锗含量越高峰强越弱。不同的退火温度对样品的发光峰强及峰位均没有明显影响。可以认为锗/多孔硅的发光峰是由多孔硅与孔间隙中的锗纳米晶粒两者界面的锗相关缺陷引起的,而锗/氧化硅的发光峰来自于二氧化硅的发光中心。
关键词
锗/
多孔硅
锗/氧化硅
光致发光
红外吸收
Keywords
Ge/PS
Ge/SiO2
Photoluminescence
FTIR
分类号
O484.41 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致发光机制研究
被引量:
1
2
作者
陈彦
马书懿
机构
西北师范大学物理与电子工程学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期142-143,147,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(60276015)
教育部科学技术研究项目(204139)
+1 种基金
甘肃省教育厅科研资助项目(0501-04)
甘肃省高分子材料重点实验室开放基金资助项目(KF-05-03)
文摘
用射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层膜,在室温下测量了Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致发光。利用位形坐标模型分析了锗/氧化硅纳米多层膜的发光中心,并用量子限制-发光中心模型对该纳米结构的电致发光过程作了研究,研究表明锗/氧化硅纳米多层膜的电致发光主要来自SiO2层的发光中心。
关键词
锗/氧化硅
纳米多层膜
电致发光
位形坐标
量子限制
发光中心
Keywords
Ge/silicon oxide nanometer multilayer films
eleetroluminescenee
configuration coordinate
quantum confinement
luminescence centers
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
O484.4 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
锗/氧化硅纳米多层膜的电致黄光发射研究
3
作者
马书懿
马自军
张开彪
陈海霞
机构
西北师范大学物理与电子工程学院
出处
《西北师范大学学报(自然科学版)》
CAS
2004年第4期35-37,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(60276015)
教育部科学技术研究项目(204139)
+1 种基金
甘肃省自然科学基金资助项目(ZS021-A25-031-C)
西北师范大学科技创新工程资助项目(NWNU-KJCXGC-214)
文摘
通过射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层薄膜.测量到了来自Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致黄光发射,并发现该纳米结构具有整流特性.
关键词
锗/氧化硅
纳米多层膜
电致发光
射频磁控溅射
Keywords
Ge/silicon oxide nanometer multilayer films
electroluminescence
r.f. magnetron sputtering
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
锗/多孔硅和锗/氧化硅薄膜光致发光的比较研究
孙小菁
马书懿
魏晋军
徐小丽
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
下载PDF
职称材料
2
Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致发光机制研究
陈彦
马书懿
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
下载PDF
职称材料
3
锗/氧化硅纳米多层膜的电致黄光发射研究
马书懿
马自军
张开彪
陈海霞
《西北师范大学学报(自然科学版)》
CAS
2004
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
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