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硅锗合金氧化层中纳米结构的量子受限分析(英文)
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作者 黄伟其 祝亚 +1 位作者 蔡绍洪 刘世荣 《贵州大学学报(自然科学版)》 2003年第1期24-27,共4页
在硅锗合金氧化层中发现锗纳米表层结构 ,并分析了其时应的PL谱结构。提出相对应的量子受限模型计算公式和算法 ,理论分析结果与实验结果拟合较好。
关键词 合金 氧化 纳米结构 PL谱 量子受限分析 量子受限模型
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硅纳米图形诱导生长分布均匀的锗纳米岛
2
作者 李阳娟 黄凯 +1 位作者 赖虹凯 李成 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期975-979,共5页
采用阳极氧化铝模板的方法在硅衬底上制备出分布均匀的硅纳米图形,研究了在硅纳米图形衬底上自组装生长锗纳米岛的演化.发现在500℃下,硅纳米图形对自组装生长锗岛起到诱导作用,获得尺寸和分布均匀的Ge纳米岛,岛的尺寸为35nm,密度达到5&... 采用阳极氧化铝模板的方法在硅衬底上制备出分布均匀的硅纳米图形,研究了在硅纳米图形衬底上自组装生长锗纳米岛的演化.发现在500℃下,硅纳米图形对自组装生长锗岛起到诱导作用,获得尺寸和分布均匀的Ge纳米岛,岛的尺寸为35nm,密度达到5×1010 cm-2.当温度较低和较高时,硅纳米图形的诱导作用变得不明显.最后探讨了纳米图形诱导锗纳米岛生长可能的机理. 展开更多
关键词 阳极氧化铝模板 纳米图形衬底 纳米
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半导体锗纳米团簇和纳米层的生成与结构研究 被引量:1
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作者 祝亚 黄伟其 +1 位作者 刘世荣 祖恩东 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期358-363,共6页
我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟... 我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱(RBS)中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟,测量并计算出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布,并且反馈控制加工过程,优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件。我们测量出样品横断面锗纳米团簇和纳米层的PL发光谱。我们在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点组成的几个纳米厚的盖帽膜结构,我们首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧化温度匹配公式的理论模型与实验结果拟合得很好。 展开更多
关键词 纳米团簇 纳米 合金 分子束外延 纳米氧化
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半导体锗纳米团簇和纳米层的生成结构与PL谱研究
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作者 黄伟其 刘世荣 《贵州教育学院学报》 2003年第4期34-38,共5页
在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辩率扫描透射电子显微镜(HR—STEM)测量样品的纳米结构,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件进行精细结... 在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辩率扫描透射电子显微镜(HR—STEM)测量样品的纳米结构,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件进行精细结构模拟,并测量出样品横断面锗纳米团簇和纳米层的PL谱。在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点组成的几个纳米厚的盖帽膜结构,首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧化温度匹配公式的理论模型与实验结果拟合得很好。 展开更多
关键词 纳米团簇 纳米 合金
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SiGe合金氧化层中的纳米结构 被引量:1
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作者 黄伟其 蔡绍洪 +1 位作者 龙超云 刘世荣 《贵州大学学报(自然科学版)》 2002年第3期202-207,共6页
在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品 ,用高精度椭偏仪 (HPE)、卢瑟福背散射谱仪 (RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜 (HR -STEM)测量样品的纳米结构 ,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢... 在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品 ,用高精度椭偏仪 (HPE)、卢瑟福背散射谱仪 (RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜 (HR -STEM)测量样品的纳米结构 ,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱 (RBS)中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟 ,测量并计算出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布 ,并且反馈控制加工过程 ,优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件 .在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点组成的纳米盖帽薄膜 ( 2nm) 。 展开更多
关键词 SiGe合金氧化 纳米结构 纳米团簇 纳米 合金薄膜 光电特性 半导体材料
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SiGe合金氧化层中的纳米结构(英文)
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作者 黄伟其 刘世荣 《贵州科学》 2003年第1期31-36,共6页
 我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和三维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢...  我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和三维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱(RBS)中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟,计算且测量出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布,并且反馈控制加工过程,优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件。我们在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点和量子层结构,我们首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧化温度的匹配公式和理论模型与实验结果拟合得很好。 展开更多
关键词 合金 SIGE合金 纳米氧化 纳米结构 纳米薄膜 半导体材料 量子点
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硅基低维材料的可见光发射机理探讨 被引量:2
7
作者 彭英才 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期146-151,共6页
Si的可见光发射是半导体发光材料研究中的一个新课题。文中从能带工程的角度出发,着重讨论了SiGe应变层异质结、Si量子细线、Si纳米团簇以及Si-O化合物年维体系的可见光发射机理,并进而探讨了提高这些娃基低线材料发光效率的可能途径。
关键词 应变异质结 量子细线 纳米团簇
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半导体纳米晶体在薄膜晶体管中的应用 被引量:3
8
作者 栾庆彬 皮孝东 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第21期1-7,共7页
以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料。近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到... 以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料。近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注。利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,同时在其制备过程中可以在较低温度下大面积成膜,能够使用塑料等柔性衬底,因而具有明显的成本优势,发展前景广阔。着重介绍了几种颇具潜力的半导体(如硒化镉、碲化汞、硒化铅、锗、硅)纳米晶体在制备薄膜晶体管方面的应用。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 有源 半导体 纳米晶体 硒化镉 碲化汞 硒化铅
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Effect of inter-layer strain interaction on the optical properties of Ge/Si(001) island multi-layers
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作者 M. De Seta G. Capelllini +5 位作者 F. Evangelisti C. Ferrari L. Lazzarini G. Salviati R. W. Pengs S.S.Jiang 《Optoelectronics Letters》 EI 2007年第3期173-176,共4页
In this paper we present a study on the influence of the number and the thickness of silicon spacer layer on the optical properties of single-and multi-layers of self assembled Ge/Si(001) islands performed by means of... In this paper we present a study on the influence of the number and the thickness of silicon spacer layer on the optical properties of single-and multi-layers of self assembled Ge/Si(001) islands performed by means of cathodoluminescence spectroscopy,high resolution X-ray diffraction and transmission electron microscopy. In single-layer sample,we do not evidence dependence of the island no-phonon emission peak position on the silicon cap-layer thickness. In multi-layer samples having a thin(33 nm) silicon spacer layer the no-phonon emission energy value progressively blue-shifts for an increasing number of island layers. This is interpreted as an enhanced intermixing driven by the strain interaction existing between island layers. On the contrary,island emission energy position is independent on the number of layers in the sample series having a thicker spacer layer(60 nm) . These findings are consistent with the X-ray diffraction observation that islands belonging to different layers have the same composition. As a consequence we can conclude that multilayers with 60-nm spaced islands layer are more homogeneous and ordered. 展开更多
关键词 间应变作用 锗/(001)多层纳米 光学性能 自组装
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