新型锗中心多孔芳香材料的设计合成和表征

采用四(4-溴苯基)锗烷作为基块,以1,4-苯二硼酸和4,4'-联苯基二硼酸作为桥联,合成了两种锗中心的多孔芳香材料(Ge-PAFs).通过FTIR,MAS NMR,TGA,PXRD,SEM,TEM及N2吸附对该化合物的结构及性质进行表征.Ge-PAF-1和Ge-PAF-2具有优良的热稳定性(420℃失重5%)及化学稳定性.另外,该材料成功地在聚合物中引入锗元素为其在半导体等方面的应用提供了可能[1].

光纤材料锗缺氧中心与环结构特性研究

利用密度泛函理论(DFT)研究光纤材料中锗缺氧中心(Ge-DDC)与环结构特性,建立基于三环结构的Si-O-Si结构模型和Ge-ODC模型;同时,通过紫外可见光(UV-Vis)吸收与拉曼测试分析研究光纤材料的微结构特性。理论分析结果表明:对于未掺杂Ge的光纤材料,其带隙为8.36eV左右;而对于掺杂Ge元素的光纤材料,其带隙为5.0eV左右,会在242nm波长处形成一个吸收中心,并且它与Ge-ODC缺陷中心的吸收中心相对应。在Ge-ODC缺陷结构中,其三环Si-O-Si结构与Ge原子之间存在紧密联系。当掺Ge的光纤材料经辐照处理后,光纤材料中容易产生GeE′和SiE′缺陷中心。光纤材料受到不同剂量辐照后,光纤材料中的三环结构数量随着剂量的增加而减少。研究结果表明,石英材料中Ge-ODC缺陷结构容易产生于环结构周围,并容易受到外界能量的影响。Ge-ODC与环结构特性的理论研究,对超低损耗石英光纤的制备与设计具有重要的实际应用意义。