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用锗二极管演示接通和切断电路时的瞬间电流
1
作者
Γ.А.扎比洛夫
孟宪慈
《物理》
CAS
1963年第7期337-337,共1页
图1是教学当中演示接通和切断时的瞬间电流的线路图。线圈L是用1毫米的漆包线繞在横截面积为64平方厘米的电焊变压器的棒状铁心上做成的。线圈分别繞在两个支架上,总计6000匝,电阻是60欧姆。连接平面锗二极管7时要使下面分路中的电流只...
图1是教学当中演示接通和切断时的瞬间电流的线路图。线圈L是用1毫米的漆包线繞在横截面积为64平方厘米的电焊变压器的棒状铁心上做成的。线圈分别繞在两个支架上,总计6000匝,电阻是60欧姆。连接平面锗二极管7时要使下面分路中的电流只能沿着从A到B的方向通过,相反地,上面分路中的电流只能沿着从B到A的方向通过。让小灯泡1,2,4和5的电压为13.5伏特,电流为0.15安培,而小灯泡3的电压为6.3伏特,电流为0.
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关键词
电流
锗二极管
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职称材料
超结硅锗功率二极管电学特性的研究
被引量:
1
2
作者
马丽
高勇
+1 位作者
王冬芳
张如亮
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期333-337,共5页
超结SiGe功率开关二极管可以克服常规Si功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降也将增大,反向恢复时间也变长。该新型功率二极管有两个重要特点:一是由轻掺杂的p型柱和n型柱相互交替形成超结结构,代替传统功率二...
超结SiGe功率开关二极管可以克服常规Si功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降也将增大,反向恢复时间也变长。该新型功率二极管有两个重要特点:一是由轻掺杂的p型柱和n型柱相互交替形成超结结构,代替传统功率二极管的n-基区;二是p+区采用很薄的应变SiGe材料。该器件可以同时实现高阻断电压、低正向压降和快速恢复的电学特性。与相同器件厚度的常规Si功率二极管相比较,反向阻断电压提高了42%,反向恢复时间缩短了40%,正向压降减小了约0.1V(正向电流密度为100A/cm2时)。应变SiGe层中Ge含量和器件的基区厚度是影响超结SiGe二极管电学特性的重要参数,详细分析了该材料参数和结构参数对正向导通特性、反向阻断特性和反向恢复特性的影响,为器件结构设计提供了实用的参考价值。
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关键词
硅
锗二极管
超结
电学特性
基区厚度
锗
含量
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职称材料
柔性单晶锗PIN二极管在关态下的建模研究
3
作者
王飞
秦国轩
《电子测量技术》
2016年第6期1-4,共4页
介绍了柔性单晶锗纳米薄膜(GeNM)PIN二极管的制备方法和反向偏置下对应不同弯曲状态下的射频特性。为了定量研究在反向偏置下机械弯曲对柔性PIN二极管射频特性的影响,分别搭建了不同弯曲半径下的等效电路模型。通过研究不同机械应力作...
介绍了柔性单晶锗纳米薄膜(GeNM)PIN二极管的制备方法和反向偏置下对应不同弯曲状态下的射频特性。为了定量研究在反向偏置下机械弯曲对柔性PIN二极管射频特性的影响,分别搭建了不同弯曲半径下的等效电路模型。通过研究不同机械应力作用下模型中的各个参数的变化得到二极管内部电阻,寄生电感,p+p-结的电阻以及p-n+结的电容为影响其射频特性的主要因素,机械弯曲使这些参数值单调变化,导致柔性单晶锗PIN二极管关态下的射频特性变好。这在应变测量领域显示出很大的发展应用潜力。
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关键词
锗二极管
柔性
弯曲
关态
等效电路模型
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职称材料
锗-雪崩光电二极管对快速光脉冲响应时间的测量
被引量:
1
4
作者
周炎辉
王宇青
《实验室研究与探索》
CAS
2005年第5期20-22,89,共4页
基于P+n平面结构Ge APD的工作原理,介绍了采用Ge APD作为光电转换器件,并配以微带电路和取样技术来测量Ge APD对快速光脉冲响应时间的方法。
关键词
锗
-雪崩光电
二极管
微带电路
取样
响应时间
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职称材料
锗-雪崩光电二极管对快速光脉冲响应时间的研究
5
作者
郑贵金
张艳鹏
+1 位作者
苏宝林
冷廷武
《德州学院学报》
2010年第4期15-18,共4页
基于P+n平面结构Ge-APD的工作原理,介绍了采用Ge-APD作为光电转换器件,并配以微带电路和取样技术来测量Ge-APD对快速光脉冲响应时间的方法.
关键词
锗
-雪崩光电
二极管
微带电路
取样
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职称材料
锗(Ge)——金属在现代军事上的应用(十八)
被引量:
3
6
作者
余克章
《金属世界》
1997年第5期18-19,共2页
俄罗斯化学家门捷列夫在排列元素周期表时,位于第32号位的元素尚未发现,他根据元素周期律预言了这个尚未发现的元素性质,并称它为“亚硅”。15年以后,即1885年德国化学家文克列尔用光谱分析法发现了这个元素,测定的元素性质与门氏预言...
俄罗斯化学家门捷列夫在排列元素周期表时,位于第32号位的元素尚未发现,他根据元素周期律预言了这个尚未发现的元素性质,并称它为“亚硅”。15年以后,即1885年德国化学家文克列尔用光谱分析法发现了这个元素,测定的元素性质与门氏预言的“亚硅”完全一致,这就是锗。1930年德国生产出二氧化锗,1941年美国开始了工业规模生产。
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关键词
锗
锗二极管
半导体材料
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职称材料
SiGeC异质结功率二极管通态特性研究
7
作者
马丽
高勇
+1 位作者
刘静
王彩琳
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期455-459,共5页
研究了一种大功率低功耗p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管结构,分析了Ge、C含量对器件正向通态特性的影响。结果表明:与常规的Si p-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000 A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降有明显的降低。当...
研究了一种大功率低功耗p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管结构,分析了Ge、C含量对器件正向通态特性的影响。结果表明:与常规的Si p-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000 A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降有明显的降低。当电流密度为10 A/cm2时,Si p-i-n二极管的压降为0.655 V,而SiGeC异质结二极管的压降只有0.525 V,大大降低了器件的通态功耗。在相同正向电流密度的条件下,SiGeC异质结二极管在n-区存储的载流子比Si二极管的减少了1个数量级以上,这导致前者的关断时间远小于后者。
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关键词
硅
锗
碳/硅异质结功率
二极管
正向通态特性
大功率
低功耗
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职称材料
有关“二极管特性曲线测定”实验的讨论
8
作者
翟林华
方林瑞
+2 位作者
尹杰
胡金平
陈立高
《安徽教育学院学报》
1994年第1期46-49,共4页
常用普通物理实验教材对“二极管特性曲线测定”实验未加讨论直接采用了 I_d=I_e(exp(ev/kT)-1)的解析公式,要求由实验结果求出指数系数 e/kT,从而求出电子电荷或波尔兹曼常数并和理论值比较考察实验误差.这种要求由于实际实验结果偏离...
常用普通物理实验教材对“二极管特性曲线测定”实验未加讨论直接采用了 I_d=I_e(exp(ev/kT)-1)的解析公式,要求由实验结果求出指数系数 e/kT,从而求出电子电荷或波尔兹曼常数并和理论值比较考察实验误差.这种要求由于实际实验结果偏离解析公式较大因而不尽合理.本文讨论了有关实验结果并对上述结论作了必要的说明.最后建议对该实验的要求作合理的调整,即主要考察V—A 的一般关系.
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关键词
锗二极管
特性曲线
实验结果
解析公式
实验方案
实验误差
不同类型
反向电流
回归系数
电子电荷
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职称材料
半超结SiGe高压快速软恢复开关二极管
被引量:
7
9
作者
马丽
高勇
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期529-535,共7页
将SiGe材料的优异性能与半超结结构的优势相结合,提出了一种半超结SiGe功率二极管,可适应高频化电力电子电路对功率二极管低通态压降、高击穿电压、较小的反向漏电流以及快而软的反向恢复特性的要求,显著提高器件的各种特性.
关键词
半超结
硅
锗二极管
高压
快速软恢复
原文传递
n,p柱宽度对超结SiGe功率二极管电学特性的影响
10
作者
高勇
马丽
+1 位作者
张如亮
王冬芳
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期633-639,共7页
结合SiGe材料的优异性能与超结结构在功率器件方面的优势,提出了一种超结SiGe功率二极管.该器件有两个重要特点:一是由轻掺杂的p型柱和n型柱相互交替形成超结结构,取代传统功率二极管的n-基区;二是阳极p+区采用很薄的应变SiGe材料.该二...
结合SiGe材料的优异性能与超结结构在功率器件方面的优势,提出了一种超结SiGe功率二极管.该器件有两个重要特点:一是由轻掺杂的p型柱和n型柱相互交替形成超结结构,取代传统功率二极管的n-基区;二是阳极p+区采用很薄的应变SiGe材料.该二极管可以克服常规Sip+n-n+功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降随之增大,反向恢复时间也变长.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析得到以下结论:与相同结构尺寸的常规Si功率二极管相比较,20%Ge含量的超结SiGe功率二极管,反向阻断电压提高了1.6倍,正向压降减小了约60mV(正向电流密度为10A/cm2时).虽然反向恢复时间没有明显减少,但反向峰值电流密度降低了17%,软恢复特性也显著提高,后者的软度因子是前者的2倍多.超结部分的p型柱和n型柱宽度是器件设计中的重要结构参数,本文重点讨论了该参数对器件电学特性的影响:柱区宽度越小,阻断电压越高,漏电流越小,但同时正向压降有所增加.柱区宽度对反向恢复特性的影响没有明显的单调性,柱区宽度过小时会出现硬恢复现象.通过对该结构参数进行优化设计可以同时获得低通态压降、高阻断电压、快速恢复的特性.
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关键词
超结
锗
硅
二极管
n
p柱宽度
电学特性
原文传递
题名
用锗二极管演示接通和切断电路时的瞬间电流
1
作者
Γ.А.扎比洛夫
孟宪慈
出处
《物理》
CAS
1963年第7期337-337,共1页
文摘
图1是教学当中演示接通和切断时的瞬间电流的线路图。线圈L是用1毫米的漆包线繞在横截面积为64平方厘米的电焊变压器的棒状铁心上做成的。线圈分别繞在两个支架上,总计6000匝,电阻是60欧姆。连接平面锗二极管7时要使下面分路中的电流只能沿着从A到B的方向通过,相反地,上面分路中的电流只能沿着从B到A的方向通过。让小灯泡1,2,4和5的电压为13.5伏特,电流为0.15安培,而小灯泡3的电压为6.3伏特,电流为0.
关键词
电流
锗二极管
分类号
TM9 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
超结硅锗功率二极管电学特性的研究
被引量:
1
2
作者
马丽
高勇
王冬芳
张如亮
机构
西安理工大学应用物理系
西安理工大学电子工程系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期333-337,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(50877066)
陕西省教育厅专项科研计划资助课题(09JK640)
文摘
超结SiGe功率开关二极管可以克服常规Si功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降也将增大,反向恢复时间也变长。该新型功率二极管有两个重要特点:一是由轻掺杂的p型柱和n型柱相互交替形成超结结构,代替传统功率二极管的n-基区;二是p+区采用很薄的应变SiGe材料。该器件可以同时实现高阻断电压、低正向压降和快速恢复的电学特性。与相同器件厚度的常规Si功率二极管相比较,反向阻断电压提高了42%,反向恢复时间缩短了40%,正向压降减小了约0.1V(正向电流密度为100A/cm2时)。应变SiGe层中Ge含量和器件的基区厚度是影响超结SiGe二极管电学特性的重要参数,详细分析了该材料参数和结构参数对正向导通特性、反向阻断特性和反向恢复特性的影响,为器件结构设计提供了实用的参考价值。
关键词
硅
锗二极管
超结
电学特性
基区厚度
锗
含量
Keywords
SiGe diode
super junction
electrical characteristics
base region thickness
Ge content
分类号
TN313.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
柔性单晶锗PIN二极管在关态下的建模研究
3
作者
王飞
秦国轩
机构
天津大学电子信息工程学院
出处
《电子测量技术》
2016年第6期1-4,共4页
基金
国家自然科学基金(61376082)
天津自然科学基金(13JCZDJC25900)资助项目
文摘
介绍了柔性单晶锗纳米薄膜(GeNM)PIN二极管的制备方法和反向偏置下对应不同弯曲状态下的射频特性。为了定量研究在反向偏置下机械弯曲对柔性PIN二极管射频特性的影响,分别搭建了不同弯曲半径下的等效电路模型。通过研究不同机械应力作用下模型中的各个参数的变化得到二极管内部电阻,寄生电感,p+p-结的电阻以及p-n+结的电容为影响其射频特性的主要因素,机械弯曲使这些参数值单调变化,导致柔性单晶锗PIN二极管关态下的射频特性变好。这在应变测量领域显示出很大的发展应用潜力。
关键词
锗二极管
柔性
弯曲
关态
等效电路模型
Keywords
germanium diode
flexible
bending
off state
equivalent circuit model
分类号
TN315.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
锗-雪崩光电二极管对快速光脉冲响应时间的测量
被引量:
1
4
作者
周炎辉
王宇青
机构
上海交通大学物理系
出处
《实验室研究与探索》
CAS
2005年第5期20-22,89,共4页
文摘
基于P+n平面结构Ge APD的工作原理,介绍了采用Ge APD作为光电转换器件,并配以微带电路和取样技术来测量Ge APD对快速光脉冲响应时间的方法。
关键词
锗
-雪崩光电
二极管
微带电路
取样
响应时间
Keywords
Ge-APD
micro band circuit
sample
response time
分类号
TN312.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
锗-雪崩光电二极管对快速光脉冲响应时间的研究
5
作者
郑贵金
张艳鹏
苏宝林
冷廷武
机构
绥化学院物理系
出处
《德州学院学报》
2010年第4期15-18,共4页
基金
绥化学院科学技术研究项目(K1002001)
文摘
基于P+n平面结构Ge-APD的工作原理,介绍了采用Ge-APD作为光电转换器件,并配以微带电路和取样技术来测量Ge-APD对快速光脉冲响应时间的方法.
关键词
锗
-雪崩光电
二极管
微带电路
取样
Keywords
Ge-APDI micro band circuit
sample
分类号
TN710 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
锗(Ge)——金属在现代军事上的应用(十八)
被引量:
3
6
作者
余克章
出处
《金属世界》
1997年第5期18-19,共2页
文摘
俄罗斯化学家门捷列夫在排列元素周期表时,位于第32号位的元素尚未发现,他根据元素周期律预言了这个尚未发现的元素性质,并称它为“亚硅”。15年以后,即1885年德国化学家文克列尔用光谱分析法发现了这个元素,测定的元素性质与门氏预言的“亚硅”完全一致,这就是锗。1930年德国生产出二氧化锗,1941年美国开始了工业规模生产。
关键词
锗
锗二极管
半导体材料
分类号
TN304.11 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
SiGeC异质结功率二极管通态特性研究
7
作者
马丽
高勇
刘静
王彩琳
机构
西安理工大学应用物理系
西安理工大学电子工程系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期455-459,共5页
基金
国家自然科学基金(50477012)
高等学校博士学科点专项科研基金(20050700006)
陕西省教育厅专项科研计划资助(05JK268)
文摘
研究了一种大功率低功耗p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管结构,分析了Ge、C含量对器件正向通态特性的影响。结果表明:与常规的Si p-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000 A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降有明显的降低。当电流密度为10 A/cm2时,Si p-i-n二极管的压降为0.655 V,而SiGeC异质结二极管的压降只有0.525 V,大大降低了器件的通态功耗。在相同正向电流密度的条件下,SiGeC异质结二极管在n-区存储的载流子比Si二极管的减少了1个数量级以上,这导致前者的关断时间远小于后者。
关键词
硅
锗
碳/硅异质结功率
二极管
正向通态特性
大功率
低功耗
Keywords
SiGeC/Si heterojunctlon power diodes
forward conduction characteristics
high-power
low-loss
分类号
TN313.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
有关“二极管特性曲线测定”实验的讨论
8
作者
翟林华
方林瑞
尹杰
胡金平
陈立高
出处
《安徽教育学院学报》
1994年第1期46-49,共4页
文摘
常用普通物理实验教材对“二极管特性曲线测定”实验未加讨论直接采用了 I_d=I_e(exp(ev/kT)-1)的解析公式,要求由实验结果求出指数系数 e/kT,从而求出电子电荷或波尔兹曼常数并和理论值比较考察实验误差.这种要求由于实际实验结果偏离解析公式较大因而不尽合理.本文讨论了有关实验结果并对上述结论作了必要的说明.最后建议对该实验的要求作合理的调整,即主要考察V—A 的一般关系.
关键词
锗二极管
特性曲线
实验结果
解析公式
实验方案
实验误差
不同类型
反向电流
回归系数
电子电荷
分类号
G65 [文化科学—教育学]
C55
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职称材料
题名
半超结SiGe高压快速软恢复开关二极管
被引量:
7
9
作者
马丽
高勇
机构
西安理工大学应用物理系
西安理工大学电子工程系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期529-535,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:50477012)
高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050700006)
陕西省教育厅专项科研计划(批准号:05JK268)资助的课题~~
文摘
将SiGe材料的优异性能与半超结结构的优势相结合,提出了一种半超结SiGe功率二极管,可适应高频化电力电子电路对功率二极管低通态压降、高击穿电压、较小的反向漏电流以及快而软的反向恢复特性的要求,显著提高器件的各种特性.
关键词
半超结
硅
锗二极管
高压
快速软恢复
Keywords
semi-super junction,SiGe diode,high voltage,fast and soft recovery
分类号
TN313.4 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
n,p柱宽度对超结SiGe功率二极管电学特性的影响
10
作者
高勇
马丽
张如亮
王冬芳
机构
西安理工大学电子工程系
西安理工大学应用物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期633-639,共7页
基金
陕西省教育厅专项科研项目(批准号:09JK640)资助的课题~~
文摘
结合SiGe材料的优异性能与超结结构在功率器件方面的优势,提出了一种超结SiGe功率二极管.该器件有两个重要特点:一是由轻掺杂的p型柱和n型柱相互交替形成超结结构,取代传统功率二极管的n-基区;二是阳极p+区采用很薄的应变SiGe材料.该二极管可以克服常规Sip+n-n+功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降随之增大,反向恢复时间也变长.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析得到以下结论:与相同结构尺寸的常规Si功率二极管相比较,20%Ge含量的超结SiGe功率二极管,反向阻断电压提高了1.6倍,正向压降减小了约60mV(正向电流密度为10A/cm2时).虽然反向恢复时间没有明显减少,但反向峰值电流密度降低了17%,软恢复特性也显著提高,后者的软度因子是前者的2倍多.超结部分的p型柱和n型柱宽度是器件设计中的重要结构参数,本文重点讨论了该参数对器件电学特性的影响:柱区宽度越小,阻断电压越高,漏电流越小,但同时正向压降有所增加.柱区宽度对反向恢复特性的影响没有明显的单调性,柱区宽度过小时会出现硬恢复现象.通过对该结构参数进行优化设计可以同时获得低通态压降、高阻断电压、快速恢复的特性.
关键词
超结
锗
硅
二极管
n
p柱宽度
电学特性
Keywords
super junction
SiGe diode
n
p pillars width
electrical characteristics
分类号
O472.4 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用锗二极管演示接通和切断电路时的瞬间电流
Γ.А.扎比洛夫
孟宪慈
《物理》
CAS
1963
0
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职称材料
2
超结硅锗功率二极管电学特性的研究
马丽
高勇
王冬芳
张如亮
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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职称材料
3
柔性单晶锗PIN二极管在关态下的建模研究
王飞
秦国轩
《电子测量技术》
2016
0
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职称材料
4
锗-雪崩光电二极管对快速光脉冲响应时间的测量
周炎辉
王宇青
《实验室研究与探索》
CAS
2005
1
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职称材料
5
锗-雪崩光电二极管对快速光脉冲响应时间的研究
郑贵金
张艳鹏
苏宝林
冷廷武
《德州学院学报》
2010
0
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职称材料
6
锗(Ge)——金属在现代军事上的应用(十八)
余克章
《金属世界》
1997
3
下载PDF
职称材料
7
SiGeC异质结功率二极管通态特性研究
马丽
高勇
刘静
王彩琳
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
下载PDF
职称材料
8
有关“二极管特性曲线测定”实验的讨论
翟林华
方林瑞
尹杰
胡金平
陈立高
《安徽教育学院学报》
1994
0
下载PDF
职称材料
9
半超结SiGe高压快速软恢复开关二极管
马丽
高勇
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
7
原文传递
10
n,p柱宽度对超结SiGe功率二极管电学特性的影响
高勇
马丽
张如亮
王冬芳
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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