SiGe HBT中雪崩击穿效应对电流电压特性的影响

本文分析和计算了基区不同Ge含量的器件在碰撞电离和雪崩击穿效应下的电流和电压特性，结果表明，在其它参数相同的条件下，基区Ge含量越高的器件，虽然直流增益得到很大提高，但伴随着器件更容易发生载流子碰撞电离引起的基极电流反向和大注入下的基区push-out效应，同时器件共射击穿电压BVCEO也会大大的降低．由于在不同的电路中对器件的性能要求是不同的。

Si_(1-X)Ge_X/Si红外光电探测器

本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的 Si1- XGe X/ Si异质结 pin型红外探测器。其波长范围为0 .70～ 1.5 5 μm,峰值波长为 0 .96～ 1.0 6 μm,暗电流密度低达 0 .0 3μA/ mm2 ( - 2 V) ,在 1.30 μm处的响应度高达 0 .15 A/ W( - 5 V) ;讨论了 Ge组分、外延层厚度。