锗晶片化学机械抛光的条件分析

在不同条件下(不同助剂比例和不同研磨液浓度),通过对锗化学机械抛光速率变化的研究,探讨了锗片在SiO2胶体磨料与H2O2混合液加抛光助剂条件下的化学机械抛光过程,分析了助剂比例对抛光速率的影响。

锗晶片磨削用砂轮研究

针对锗晶片磨削工艺中使用的#4000砂轮,进行了不同磨削砂轮粘结剂配比对锗晶片表面粗糙度影响的试验,并对晶片磨削原理进行了简要分析;实验表明锗晶片表面粗糙度好坏和砂轮的自锐功能是否正常有明显的相关性,而影响砂轮自锐功能的最大因素在于砂轮粘结剂的配比。

锗晶片表面清洗研究进展

论述了锗晶片的表面氧化机理及锗晶片表面清洗的不同方法,其中,锗晶片的清洗主要包括干法清洗和湿法清洗两种,不同清洗方法对锗表面的影响采用了XPS,AFM进行了表征。并对未来锗清洗技术的发展进行了展望。

红外光学用Ge双面抛光片抛光工艺条件研究

分析了不同抛光条件下,Ge双面抛光片的表面状况,通过抛光压力、抛光液中氧化剂的比例、抛光机转速和转速比等条件的改变,阐述了这些因素对抛光速率、抛光片正反面质量的影响,得到了相应的关系图表。根据实验结果,确定了Ge双面抛光工艺条件,采用该工艺条件对Ge片进行双面抛光,抛光片的几何参数指标和表面质量均能满足红外光学应用对抛光片的要求。