氢空位簇调控锗烷的电子结构和分子掺杂

锗烷因其合适的带隙、较高的电子迁移速率、较好的环境稳定性、较小的电噪声和超薄的几何结构,有望取代现有硅基或锗基材料成为下一代半导体器件的理想载体.基于密度泛函理论和非平衡格林函数的第一性原理方法,研究了不同构型和浓度的氢空位簇对锗烷电子结构及锗烷中四硫富瓦烯(tetrathiafulvalene,TTF)分子掺杂性能的影响.计算结果表明,不同构型氢空位簇的引入可诱导Germanane Dehydrogenated-x H(GD-xH)体系产生不同性质的磁性,且磁矩大小亦与Lieb定理的预测结果相符,并能在G_(D-x H)(x=1,4,6)体系自旋向下的能带结构中实现由缺陷态引起的类p型半导体掺杂效应,其电子激发所需的能量则会随着体系脱氢浓度的升高而不断降低.吸附TTF分子后,G/TTF和G_(D-xH)/TTF(x=1,2,6)体系表现出分子掺杂效应,且G_(D-x H)/TTF(x=1,6)体系因分子轨道与缺陷态的杂化作用,可在自旋向上与自旋向下的能带结构中形成不同的掺杂类型.进一步的量子输运计算还表明,Armchair和Zigzag类型的锗烷基器件表现为明显的各向同性,且TTF分子吸附所导致的载流子掺杂可大幅提高其I-V特性.

锗烷浓度对非晶/微晶相变区硅锗薄膜结构及光电特性的影响

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了一系列从非晶到微晶相变区硅锗合金薄膜,研究了锗烷浓度对相变区及相变边缘硅锗薄膜微观结构和光电特性的影响.结果表明,锗烷的加入抑制了晶态硅的生长,使硅锗合金薄膜发生从晶态到非晶结构的转变.相变区硅锗薄膜为富硅合金薄膜,表现为纳米硅晶粒镶嵌于非晶硅锗网络的微观结构.随着锗烷浓度增加,合金薄膜光学带隙Eopt逐渐减小,表征薄膜结构有序性的结构因子F,呈先减小后增加趋势.当锗烷浓度为9%时,硅锗合金薄膜处在非晶/微晶相变边缘,薄膜具有较高的致密性,光敏性接近104,适用于叠层薄膜太阳能电池器件吸光层应用.

芳基硅烷、锗烷、锡烷的合成与表征

In this paper,aryl silane,germane,stannane were synthesized from 1,4dibromobenzene and organometallic dichloride and characterized by 1HNMR spectra and mass spectra.

锗烷分子(3000)局域模振动态的高分辨光谱研究

锗烷在其伸缩振动泛频态上会出现局域模振动,这不仅对研究分子在激发态上的行为有重要意义,而且它所揭示的形成局域模振动的机制普遍适用于任何分子,从而为选键化学带来新希望。在0.005cm^-1分辨率上记录了锗烷的6040～6420cm^(-1)区域的泛频光谱。它们是(3000)和(2100)伸缩振动泛频带。其中,(3000)谱带具有对称陀螺分子平行谱带的K结构,并分辨出4种同位素分子的谱线。采用简正模和局域模两种图象对这一光谱进行了解释和分析,并讨论了其局域模振动的行为。

锗烷钢瓶的爆炸

1984年，在日本发生了一起锗烷钢瓶爆炸事故。随后，日本有关部门对这次事故进行了全面的调查，并写出了调查报告。为了引以为戒，把调查报告的有关内容介绍如下。

锗烷的分解爆炸──爆炸火焰的传播及爆炸极限压力

锗烷的分解爆炸──爆炸火焰的传播及爆炸极限压力堀口贞兹，近藤重雄，浦野洋吉１序言在半导体工业中，使用的气体种类很多，其中有的气体毒性和爆炸危险性很高，处理时必须注意。锗烷（ＧｅＨ４）是其中的一种。在硅系半导体制造中，它被用于ＣＶＤ过程、外延过程、扩散...

锗烷合成工艺及用途概述

锗烷主要用于半导体、光伏太阳能和集成电路行业,是制造高纯锗和各种硅锗合金的重要原材料。主要介绍了锗烷的合成方法:化学还原法、电化学反应法、等离子合成法。同时介绍了锗烷的性质和用途。

锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法

申请（专利）号：201380043627.9 公开（公告）日：2015-05-13 申请（专利权）人：奥瑟亚新材料股份有限公司摘要：本发明涉及一种锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法。

甲硅烷与甲锗烷的定量质谱分析

定量质谱分析的主要任务是确定主要物质与杂质的质谱特性线强度之间的关系。为此，通常使用两种方法:(1)比较法；（2）灵敏度法。这两种方法及其计算，在文献中都有说明。不论哪种方法，都能确定质谱仪对该杂质的灵敏度系数。本文使用的是比较法。

二维气相色谱法快速分析高纯锗烷中杂质

采用二维气相色谱技术与脉冲氦离子化检测器相结合,测定高纯锗烷中杂质,并探讨了不同阀事件时间程序对分析结果的影响。该方法实现了通过一次进样完成锗烷中微量氢、氧(氩)、氮、一氧化碳、二氧化碳和甲烷杂质分析,结果表明该方法的重复性和准确性好。

预测硅烷、锗烷、锡烷同系物沸点的经验方程

本文揭示了硅烷、锗烷、锡烷同系物的沸点和分子结构之间的关系，建立了一组经验方程，可用于预测未知物的沸点。

硅烷、锗烷和锡烷的沸点与其分子结构间的关系

本文首次用图论方法探讨了硅烷、锗烷和锡烷的沸点与其分子结构之间的关系，提出一结构基础明确的、普遍适用于硅烷、锗烷和锡烷的定量关系。计算结果表明，沸点预测值都接近实验值。应用本文定量关系，不仅能够预测硅烷、锗烷和锡烷的沸点，而且有助于揭示物质结构性能关系之间的奥秘。

锗烷(GeH_4)的高压超导相

通过从头算演化理论的结构预测方法,文章作者提出了GeH4的一个高压金属相结构(单斜C2/c).这一结构包含奇特的"H2"单元.焓的计算结果表明,GeH4在压力低于196GPa时分解为单质Ge和H2,而在高于这一压力时C2/c结构稳定存在.在220GPa压力下,线性响应微扰理论的计算结果表明,C2/c结构的电子-声子相互作用参数为1.12,其超导转变温度达到64K.

锗烷(4000)、(3100)、(5000)局域模振动吸收带——强度异常和理论解释

记录了锗烷局域模振动吸收带(4000)、(3100)和(5000)的高分辨光谱,观察到其强度异常现象,并用提出的键耦合模型计算,得到与实验相一致的结论.

电感耦合等离子体原子发射光谱法研究锗的氢化反应机理

采用氢化物连续发生-ICP-AES法研究了锗的氢化反应中各反应物之间的摩尔关系及其与锗烷产率之间的关系,提出锗的氢化反应是由中和反应所诱导或催化的反应机理,确定获得最大锗烷产率的酸碱浓度匹配原则。

锗与人类

锗（Ｇｅ）是地球上一种非常重要的分散元素，它在半导体工业、光学元件和催化剂等方面均有十分广泛的应用。近年来，由于锗与人体健康具有密切的关系，因而日益引起人们的注意。本文仅就锗元素的发现，物理及化学性质，分布、提炼和用途，锗的重要化合物及其合成，以及锗与人体健康的关系作一简要介绍。

新有机锗倍半氧化物的合成研究

以三氯锗烷与三种含碳碳双键的化合物作用，合成了三种未见报导的新型有机锗倍半氧化物（Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ），通过红外光谱、元素分析、核磁共振的测试确定了这三种有机锗倍半氧化物的结构。

由糠醛制备1,1,2-乙烷三羧酸

提出了一种合成 1,1,2 乙烷三羧酸的新方法。以糠醛为原料 ,先制得顺丁烯二酸 ,用顺丁烯二酸与三氯锗烷在酸性条件下加成 ,然后水解得到 1,1,2 乙烷三羧酸 ,收率为 71%。

β-三氯锗基丙酸及β-三苯锗基丙酸与苯基溴化镁的反应

三氯锗基丙酸(1a)和三苯锗基丙酸(2a)与过量苯基溴化镁起反应时,这两个分子中的羧基表现出一些奇特性质。当1a和2a与不同浓度的苯基溴化镁起反应时,都能生成相应的酮(3a)和醇(4a)。在稀盐酸作用下,4a极易脱水生成1,1-二苯基-3-三苯锗基丙烯-1(5a)。当1a与苯基溴化镁起反应,然后再用稀盐酸处理也同样得到5a。5a的Ge—C键能被LiAlH_4高选择性地切断,生成三苯基锗烷(6a)和1,1-二苯基丙烯(6b)。

GeH/π层间弱相互作用调控锗烯电子结构的机制

锗烯是继石墨烯、硅烯发现以来最重要的二维纳米材料之一,以其优异的物理化学性质迅速得到人们的广泛关注.然而,锗烯具有的零带隙能带特点(狄拉克点)极大程度地限制了其在微电子纳米材料方面的应用.本文采用范德华力修正的密度泛函计算方法,研究了锗烯、锗烷、锗烯/锗烷的几何和电学性质.研究发现,锗烯和锗烷可以通过弱相互作用形成稳定的双层结构,并在锗烯中打开一个85 me V的带隙.电子结构分析表明,Ge—H/π的存在破坏了锗烯子晶格的对称性,从而在狄拉克点上打开一个带隙.差分电荷密度图分析表明有部分电荷从H原子的s轨道转移至Ge的pz轨道.该电荷转移机制增强了锗烯与锗烷之间的相互作用力,是形成锗烯/锗烷双层二维纳米结构的主要原因.进一步研究还发现,锗烷/锗烯/锗烷的三明治结构无法在锗烯中打开带隙.这是由于两侧的锗烷对夹层的锗烯作用力等价,无法破坏锗烯的子晶格对称性,所以无法打开锗烯带隙.最后,所有计算结果都在高精度杂化密度泛函HSE06计算精度下得到进一步验证.因此,本文从理论上提出了一种切实可行的打开锗烯狄拉克点的方法,为锗烯在场效应管和其他纳米材料中的应用提供了理论指导.