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多结太阳电池辐射损伤的电致发光研究 被引量：2
1
作者 牛振红 郭旗 +3 位作者 任迪远 高嵩 刘刚 戴康 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期1-3,共3页
建立了电致发光测试方法,对一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池1MeV电子辐照后各子电池的辐照特性进行了研究,并与光谱响应结果进行了比较。讨论了GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的辐射损伤机理。
关键词 多结太阳电池 镓铟磷/砷化镓/锗 电子辐照 电致发光 损伤机理
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高能P^+注入硅和N+Zn双注入GaAsP热退火过程中的分形生长
2
作者 吴瑜光 张通和 《中国科学（E辑）》 CSCD 1997年第4期304-309,共6页
研究了高能P^+注入硅和Zn+N双注入GaAsP热退火过程中分形生长过程与退火温度和注入杂质电激活率的关系.分析了2种注入条件下分形生长各自的特点,讨论了分形生长和生长的机理.
关键词 分形生长 离子注入 硅 锗砷磷 砷
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