一种SiGe低噪声放大器测试基座的研究

对SiGe低噪声放大器(LNA)的测试技术进行了探索,开发出适合SiGe低噪声放大器的可插拔测试基座。通过对商业样品的增益G(S21)、增益平坦度、带宽、回波损耗(S11和S22)、反向隔离度(S12)1、dB压缩点(P1dB),三阶互调节点(IP3)和噪声系数(NF)等参数的测试,验证了测试系统的准确性。对所开发的单片SiGe低噪声放大器进行了测试,获得了准确的测试数据,准确表征了SiGe低噪声放大器的性能。

低噪声X波段再生式分频组件研究

采用低噪声再生式分频技术,设计了低噪声X波段再生式分频组件。首先研究讨论了再生式分频的噪声理论,分析了有源器件对于近载波噪声和远载波噪声性能的影响。接着设计制作了两级锗硅HBT放大器、混频器、微带结构带通、带阻滤波器和功率分配器,其中低1/f锗硅HBT放大器首次应用于低噪声再生式分频器的设计。最后对分频组件进行了测试,测试结果良好,在近载波相位噪声性能改善6dB;在远载波白噪声段,噪声小于-165dBc/Hz。测试结果与理论计算结果吻合良好,达到了低噪声的设计要求。