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锗硅超晶格和多孔硅中的分波发光
1
作者
薛舫时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期228-238,共11页
锗硅超晶格和多孔硅的大量实验分析表明,其发光性能既不能用间接带隙来解释,也不同于直接光跃迁。本文通过波函数的谐波分析和表面化学键诱生的能带混合研究得出这两种材料中都可能产生出直接带隙分波,从而得到直接光跃迁。运用这种...
锗硅超晶格和多孔硅的大量实验分析表明,其发光性能既不能用间接带隙来解释,也不同于直接光跃迁。本文通过波函数的谐波分析和表面化学键诱生的能带混合研究得出这两种材料中都可能产生出直接带隙分波,从而得到直接光跃迁。运用这种分波发光模型,解释了锗硅超晶格和多孔硅的大量实验结果。最后比较了这两种材料能带工程中的物理效应和化学效应,提出了综合此两效应优化设计新发光材料的新方法。
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关键词
锗硅超晶格
多孔
硅
分波发光
量子限制效应
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职称材料
掠入射荧光XAFS研究(Ge_4/Si_4)_5/Si(001)超晶格的结构
2
作者
韦世强
HiroyukiOyanagi
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期356-360,共5页
本文用掠入射荧光XAFS研究 (Ge4/Si4) 5 /Si(0 0 1 )形变超晶格的局域结构 .超晶格中的Ge Ge和Ge Si第一配位键长分别为RGe Ge =0 .2 43nm和RGe Si =0 .2 38nm ,与晶态Ge(RGe Ge =0 .2 45nm)和共价Ge Si键长RGe Si =0 .2 40nm相比 ,其...
本文用掠入射荧光XAFS研究 (Ge4/Si4) 5 /Si(0 0 1 )形变超晶格的局域结构 .超晶格中的Ge Ge和Ge Si第一配位键长分别为RGe Ge =0 .2 43nm和RGe Si =0 .2 38nm ,与晶态Ge(RGe Ge =0 .2 45nm)和共价Ge Si键长RGe Si =0 .2 40nm相比 ,其配位键长缩短了 0 .0 0 2nm ,表明Ge原子周围的晶格产生了扭曲 ,Ge Ge配位数为 1 .8和Ge Si配位数为 2 .2显然偏离了理论的配位数Ge Ge为 3和Ge Si配位数为 1 .我们提出Ge和Si原子的位置交换模型来解释 (Ge4/Si4) 5
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关键词
荧光XAFS
局域结构
锗
/
硅
超
晶格
半导体
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职称材料
形变的SiGe合金中的深能级
3
作者
乔皓
徐至中
张开明
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1996年第3期313-317,共5页
该文对生长在Si、Ge及其合金衬底上形变的Si1-xGex合金中由替位原子或空位缺陷产生的深能级进行了研究.其中形变合金的电子结构用经验的紧束缚方法进行计算,缺陷能级采用格林函数法进行计算.结果表明,晶格中的形变使原...
该文对生长在Si、Ge及其合金衬底上形变的Si1-xGex合金中由替位原子或空位缺陷产生的深能级进行了研究.其中形变合金的电子结构用经验的紧束缚方法进行计算,缺陷能级采用格林函数法进行计算.结果表明,晶格中的形变使原来类p的T2能级发生分裂.形变还造成合金的价带顶有较大的上升,从而使某些杂质的缺陷能级由深能级变为共振能级.
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关键词
替拉缺陷
深能级
形为
硅
/
锗
超
晶格
替位杂质
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职称材料
题名
锗硅超晶格和多孔硅中的分波发光
1
作者
薛舫时
机构
北京半导体超晶格国家重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期228-238,共11页
基金
国家自然科学基金
文摘
锗硅超晶格和多孔硅的大量实验分析表明,其发光性能既不能用间接带隙来解释,也不同于直接光跃迁。本文通过波函数的谐波分析和表面化学键诱生的能带混合研究得出这两种材料中都可能产生出直接带隙分波,从而得到直接光跃迁。运用这种分波发光模型,解释了锗硅超晶格和多孔硅的大量实验结果。最后比较了这两种材料能带工程中的物理效应和化学效应,提出了综合此两效应优化设计新发光材料的新方法。
关键词
锗硅超晶格
多孔
硅
分波发光
量子限制效应
Keywords
Ge/Si Superlattices
Porous Silicon
Subwave Luminescence
Quantum Confinement
Banding Mixing
分类号
O471.4 [理学—半导体物理]
TN203 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
掠入射荧光XAFS研究(Ge_4/Si_4)_5/Si(001)超晶格的结构
2
作者
韦世强
HiroyukiOyanagi
机构
中国科学技术大学国家同步辐射实验室
ElectrotechnicalLaboratory
出处
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期356-360,共5页
基金
中国科学院"百人计划"
国家自然科学基金!(196040 11)资助项目
文摘
本文用掠入射荧光XAFS研究 (Ge4/Si4) 5 /Si(0 0 1 )形变超晶格的局域结构 .超晶格中的Ge Ge和Ge Si第一配位键长分别为RGe Ge =0 .2 43nm和RGe Si =0 .2 38nm ,与晶态Ge(RGe Ge =0 .2 45nm)和共价Ge Si键长RGe Si =0 .2 40nm相比 ,其配位键长缩短了 0 .0 0 2nm ,表明Ge原子周围的晶格产生了扭曲 ,Ge Ge配位数为 1 .8和Ge Si配位数为 2 .2显然偏离了理论的配位数Ge Ge为 3和Ge Si配位数为 1 .我们提出Ge和Si原子的位置交换模型来解释 (Ge4/Si4) 5
关键词
荧光XAFS
局域结构
锗
/
硅
超
晶格
半导体
Keywords
fluorescence XAFS
(Ge_4Si_4)_5 superlattice
local structure
分类号
TN304.1 [电子电信—物理电子学]
O722.8 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
形变的SiGe合金中的深能级
3
作者
乔皓
徐至中
张开明
机构
复旦大学
出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1996年第3期313-317,共5页
文摘
该文对生长在Si、Ge及其合金衬底上形变的Si1-xGex合金中由替位原子或空位缺陷产生的深能级进行了研究.其中形变合金的电子结构用经验的紧束缚方法进行计算,缺陷能级采用格林函数法进行计算.结果表明,晶格中的形变使原来类p的T2能级发生分裂.形变还造成合金的价带顶有较大的上升,从而使某些杂质的缺陷能级由深能级变为共振能级.
关键词
替拉缺陷
深能级
形为
硅
/
锗
超
晶格
替位杂质
Keywords
substitutional defect
deep level
strain
Green's function method
分类号
O471.4 [理学—半导体物理]
TN304.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
锗硅超晶格和多孔硅中的分波发光
薛舫时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995
0
下载PDF
职称材料
2
掠入射荧光XAFS研究(Ge_4/Si_4)_5/Si(001)超晶格的结构
韦世强
HiroyukiOyanagi
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2000
0
下载PDF
职称材料
3
形变的SiGe合金中的深能级
乔皓
徐至中
张开明
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1996
0
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职称材料
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