期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
错位相移技术研究 被引量:6
1
作者 史红民 陆耀东 方竟 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 1998年第2期124-126,共3页
本文在充分总结错位技术与相移技术的基础上,提出了一种基于偏振的错位技术和相移技术,并将二者结合起来,实现了错位与相移的结合,制作出了错位相移器。最后将错位相移器应用于集成电路硅片薄膜应力分布测试仪及错位电子散斑干涉仪... 本文在充分总结错位技术与相移技术的基础上,提出了一种基于偏振的错位技术和相移技术,并将二者结合起来,实现了错位与相移的结合,制作出了错位相移器。最后将错位相移器应用于集成电路硅片薄膜应力分布测试仪及错位电子散斑干涉仪之中。 展开更多
关键词 错位相移 错位电子散斑 干涉仪
原文传递
Si-SiO_2薄膜的翘曲度及应力分布测试分析
2
作者 廖秀英 杨晓波 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期209-211,共3页
应用BGS 6341型电子薄膜应力分布测试仪,对硅薄膜翘曲度及应力进行了测试,结合生产工艺对其测试结果加以分析,找出应力产生的各种因素,并加以改进,有效地提升工艺生产水平及稳定性。
关键词 错位相移 薄膜 翘曲度 应力
下载PDF
光的偏振与色散
3
《中国光学》 EI CAS 2000年第1期16-17,共2页
O436.3 2000010095错位相移技术研究=Study of phase-sheargraphy[刊,中]/史红民,王昊,陆耀东,方竟(北京光电技术研究所.北京(100010))//光电子·激光.—1998,9(2).—124-126在充分总结错位技术与相移技术的基础上,提出了一种基于... O436.3 2000010095错位相移技术研究=Study of phase-sheargraphy[刊,中]/史红民,王昊,陆耀东,方竟(北京光电技术研究所.北京(100010))//光电子·激光.—1998,9(2).—124-126在充分总结错位技术与相移技术的基础上,提出了一种基于偏振的错位技术和相移技术,并将二者结合起来,实现了错位与相移的结合,制作出了错位相移器。最后将错位相移器应用于集成电路硅片薄膜应力分布测试仪及错位电子散斑干涉仪之中。图3参3(郑锦玉)O436.3 2000010096偏振光矢量的双复数表示=Description of polariza- 展开更多
关键词 相移技术 偏振模式 技术研究所 光电子 错位相移 偏振光矢量 相移 激光 电子散斑 应力分布
下载PDF
Primary and secondary modes of deformation twinning in HCP Mg based on atomistic simulations 被引量:3
4
作者 徐泓鹭 苏小明 +1 位作者 袁广银 金朝晖 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第12期3804-3809,共6页
Deformation twinning, i.e., twin nucleation and twin growth (or twin boundary migration, TBM) activated by impinged basal slip at a symmetrical tilt grain boundary in HCP Mg, was examined with molecular dynamics (M... Deformation twinning, i.e., twin nucleation and twin growth (or twin boundary migration, TBM) activated by impinged basal slip at a symmetrical tilt grain boundary in HCP Mg, was examined with molecular dynamics (MD) simulations. The results show that the {1^-1^-21}-type twinning acts as the most preferential mode of twinning. Once such twins are formed, they are almost ready to grow. The TBM of such twins is led by pure atomic shuffling events. A secondary mode of twinning can also occur in our simulations. The {112^-2} twinning is observed at 10 K as the secondary twin. This secondary mode of twinning shows different energy barriers for nucleation as well as for growth compared with the {1^-1^-21}-type twining. In particular, TBMs in this case is triggered intrinsically by pyramidal slip at its twin boundary. 展开更多
关键词 MAGNESIUM atomistic simulation deformation twinning twin boundary migration dislocation-grain boundary interaction
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部