基于错误位分布的可逆逻辑综合算法

可逆逻辑综合是指根据可逆函数构造可逆电路的过程.真值表变换法是一种常见的可逆逻辑综合算法,其易懂并易实现,但生成的电路含较多冗余逻辑门,有待进一步的优化.为实现一种无需优化便可接近最优解的真值表变换法,给出关于真值表错误位的定义,提出并证明了NOT门、CNOT门以及Toffoli门的在减少错误位上的数量判定,以错误数和错误位分布情况为特征从全部三元可逆逻辑函数的真值表中提炼出79种错误分布模式,并将模式分为两类.为第一类模式直接确定在综合过程中用于减少错误数的规则,为第二类模式制订试探方案,并确定在试探失败的情况下向其他模式(错误数与原模式相同,但更易处理)的转换规则.以扩展广义Toffoli门为门库,提出一种基于错误位分布模式识别和转换的可逆逻辑综合算法,该算法通过不断识别模式并应用启发式规则,使得错误较多的模式尽快尽早地转换成错误较少的模式,直至真值表中无错误位存在为止.该算法在最坏情况下需要3*n*2^(n-2)次迭代,算法的时间复杂度为O(n*2~n),空间复杂度为O(n*2~n),与具有代表性的同类算法比较,时间复杂度和空间复杂度都具有一定优势.采用代表性文献中选用的Benchmark函数和全部三元可逆函数进行实验,结果表明,该算法不仅在Benchmark函数上优于同类算法,而且由全部三元函数生成电路的平均门代价比同类较好算法优化后的结果降低6.19%.

躯体化障碍患者错误相关负电位和睡眠脑电图的变化分析

躯体化障碍(somatization disorders,SD)是以各种各样经常变化的躯体症状为主要特征,而没有相应可证实的器质性病变的一种神经症[1],是精神科和综合性医院心理门诊的常见病。研究发现,认知功能和睡眠障碍是SD核心症状[2],而错误相关负电位(error related negativity,ERN)和睡眠脑电图(stereoelectroencephalography,SEEG)均是反映其核心症状的新工具[3-8]。本研究拟探讨SD患者ERN和SEEG的变化,现报道如下。

强迫症与精神分裂症错误相关负电位的比较研究

目的比较强迫症和精神分裂症患者的错误相关负电位(error-related negativity,ERN)。方法检测21例强迫症患者和19例首发精神分裂症患者的ERN和正确相关负电位(correct-related negativity,CRN),并与23名正常对照进行比较。结果与正常对照组相比,强迫症组ERN波幅增高(Z=-2.60,P<0.01),精神分裂症组ERN波幅降低(Z=-2.16,P<0.05)而潜伏期延长(t=3.60,P<0.01)。与强迫症组相比,精神分裂症组的ERN波幅降低(Z=-3.75,P<0.01)而ERN潜伏期延长(t=2.70,P<0.05)。CRN波幅和潜伏期在三组间差异无统计学意义(P>0.05)。无论是强迫症组,还是精神分裂症组,其ERN/CRN指标与临床精神症状之间均未见相关(P>0.05)。结论强迫症和精神分裂症的ERN均存在异常但方向相反,提示ERN可能作为二者鉴别诊断的参考。

首发抑郁症患者的错误相关负电位

抑郁症除了有情绪低落、兴趣减退、思维阻滞等三大核心症状之外，认知功能的减退也是一个值得关注的方面，其中包括执行功能受损m。行为监控是反映执行功能的重要方面。研究表明，个体内在的行为监控过程与错误反应的事件相关电位（even—related potential，ERP）关系密切，例如错误相关负电位（error—relatednegativity，ERN）。

事件相关电位中错误相关负电位神经发生源的研究

目的研究健康个体事件相关电位中错误相关负电位（ERN）的神经发生源。方法以24名健康志愿者为被试，采用高密度事件相关电位记录技术，由修改后的视觉Eriksen Flanker任务引出ERN，经LORETA技术对ERN差异波顶点前后125ms时间窗口内的神经发生源进行研究。结果被试者的错误反应率为（10．29±5．91）％，错误反应次数与ERN差异波平均波幅呈正相关（r=0．53，P〈0．01）；与正确判断反应相比，错误判断反应引出的ERN波幅明显增大（P〈0．001），潜伏期延迟（P〈0．05）；差异波顶点后25—74ms时ERN激活的脑功能区主要为额上回、额中回、额内侧回（Brodmann6区），差异波顶点后75—124ms时ERN激活的脑功能区位于中央后回（Brodmann2区）。结论ERN神经发生源位于额叶（Brodmann6区）及顶叶中央后回。

错误相关负电位(ERN)及其理论解释

错误动作发生后,在个体额叶中部可观察到一个明显的负相电位偏移,这称为"错误相关负电位"(error related negativity,ERN)。有研究者提出了"强化学习理论",认为ERN反映了当前行为结果与预期之间的差异。与此不同的是"冲突监控理论",认为ERN与反应冲突有关。还有研究者提出了"失匹配理论",强调实际反应的神经表征(错误反应)与当前任务所要求的反应表征的差异产生了ERN。在阐述ERN的理论解释基础上,对三者之间的关系进行了分析与整合。

双相抑郁与首发抑郁障碍患者错误相关负电位的对照研究

目的:比较双相抑郁与首发抑郁障碍患者错误相关负电位(ERN)的差异及其影响因素。方法:给予42例双相抑郁障碍患者(双相组)、41例首发抑郁障碍患者(首发组)相应药物治疗8周;治疗前后分别给予汉密尔顿抑郁量表17项(HAMD-17)、汉密尔顿焦虑量表(HAMA)、杨氏躁狂量表(YMRS)评估及错误相关负电位(ERN)检测;ERN波幅及潜伏期与40名性别、年龄、受教育年限相匹配的健康对照者(对照组)比较;分析治HAMD-17、HAMA评分与ERN波幅及潜伏期的关系。结果:基线期3组间ERN波幅差异有统计学意义(P<0.05);双相组ERN波幅明显低于对照组及首发组(P均<0.05);双相组和首发组ERN潜伏期及波幅治疗前后比较差异无统计学意义,但双相组治疗前后ERN波幅的差值明显小于首发组(P<0.05)。基线期双相组和首发组HAMD-17评分与ERN潜伏期呈正相关,与ERN波幅呈负相关(P均<0.05);HAMA评分与ERN波幅呈正相关(P均<0.05)。结论:双相抑郁障碍患者对错误信息监控能力受损,且治疗后难以恢复;伴有中度焦虑的抑郁发作患者错误监控功能增强;ERN指标或可以作为双相抑郁识别及疗效预测的生物学标记。

错误相关负电位在精神科临床上推广——附50例正常成人分析

目的：应用引进的德国仪器及新技术探讨并建立健康成人错误相关负电位（ERN）的正常值。方法：应用德国Brain Products公司的ERP记录与分析系统，对50例21~55岁健康成人右利手受试者，作了ERN检测。结果：（1）32个头皮记录点皆在约100～150ms处出现了一个负波，健康成人ERN波形较稳定。（2）在Cz、Fz、Pz、C3、C45个脑区，建立了健康成人ERN潜伏期和波幅均值。（3）左右侧比较及男女性别比较差异无统计学意义（P〉0．05）。结论：健康成人ERN较稳定和可靠。ERN可作为一个有临床推广应用价值的ERP而用于神经精神科临床。

错误相关负电位与内化心理障碍

错误相关负电位(ERN)是事件相关电位的一个负成分,出现在大脑错误反应后50～100m s,产生于大脑前扣带回皮质(ACC),可以反映大脑的错误检测、冲突监控、强化学习等功能。已有研究发现无论是内化心理障碍还是外化心理障碍均存在ERN活动异常,提示ERN可能属于内化和外化心理障碍的内表型,或许能作为心理障碍早期诊断或预测的客观指标。本文通过国内外文献回顾,试图了解抑郁症、焦虑症和强迫症等内化心理障碍的ERN特点及相关机制,并在此基础上对未来的研究提出一些不成熟的想法。

品管圈活动降低康复科住院患者良肢位摆放的错误率

目的降低康复科住院患者良肢位摆放的错误率,并预防和减轻患侧肢体痉挛姿势的出现与加重,以及保持患侧肢体良好的功能位,从而减少并发症,提高患者生活质量。方法成立品管圈,通过头脑风暴方法,选定"降低康复科住院患者良肢位摆放的错误率"为主题,通过现状把握及要因分析,找出真因,针对真因制定出相关的护理对策并进行实施,最后进行效果评价。结果实施品管圈后康复科住院患者良肢位摆放的错误率由活动前的37.2%降低至活动后的15.9%,差异有统计学意义。结论对我院康复科住院患者开展品管圈活动,可有效降低良肢位摆放的错误率,提升专科护理技能。

重离子辐照下SDRAM存储器“固定位”错误研究

对65nm SDRAM存储器进行重离子试验,分析其出现“固定位”错误的地址分布规律性,并研究错误数量与辐射能量以及注量之间的关系。对辐照后样品采用不同温度和时长退火,分析不同参数设定对“固定位”错误恢复的影响。根据试验现象,围绕微剂量效应,分析“固定位”错误的产生机理。提出一种方法,通过三维堆叠的方式在SDRAM存储芯片下叠封一个加热芯片,利用加热退火使“固定位”错误消失,可有效解决SDRAM存储器在宇航环境下出现“固定位”错误却无法维修器件的问题。

精神分裂症与强迫症错误监控功能改变的比较研究

目的:探讨精神分裂症和强迫症患者错误相关负电位(ERN)变化特征及与临床症状的相关性。方法:对64例精神分裂症和59例强迫症患者及56名健康成人进行ERN检测、阳性与阴性症状量表(PANSS)及耶鲁-布朗强迫量表(Y-BOCS)评估,并对结果进行相关分析比较。结果:精神分裂症组和强迫症组ERN的正确反应率明显低于正常对照组;正确反应和错误反应的反应时明显长于正常对照组(P均<0.01)。与正常对照组相比,精神分裂症组ERN波幅降低、潜伏期延长,强迫症组ERN波幅增高(P<0.05或P<0.01)。ERN潜伏期和波幅变化与精神分裂症阳性症状及PANSS总分(r=0.088,P>0.05)、强迫症组ERN波幅与Y-BOCS评分之间不相关(r=0.117,P>0.05)。结论:精神分裂症的ERN波幅降低及强迫症的ERN波幅增高可能反映两组患者内在错误监控机制存在缺陷。

轻度认知功能障碍患者不同频率重复经颅磁刺激康复治疗效果研究

目的:观察不同频率重复经颅磁刺激(rTMS)对老年轻度认知功能障碍(MCI)患者精神行为症状的影响以及康复治疗效果评价。方法:采用随机数字表法,将90例伴有精神行为症状的MCI患者随机分为3组,分别给予5 Hz、10 Hz和15 Hz的rTMS治疗6周(30次),分别于治疗前后测定并比较患者简易精神状态检查(MMSE)分值、P300、错误相关负电位(ERN)的潜伏期和波幅。结果:与治疗前相比:(1)10 Hz组患者rTMS治疗后MMSE量表分值明显增高(P<0.05),而5 Hz和15 Hz组MMSE量表分值无明显改善;(2)10 Hz组患者rTMS治疗后P300和ERN波幅提高(P均<0.05);潜伏期两组差异无统计学意义(P>0.05),其余两组治疗前后P300和ERN潜伏期和波幅均未见明显变化。(3)10 Hz患者组MMSE分值的改善状况与患者年龄及病程有关。结论:高频10 Hz的rTMS对MCI患者精神行为症状具有明显缓解作用,同时能改善患者认知功能,该高频疗法值得临床进一步推广。P300和ERN可用于随访评估。

适用于扫描测试中的测试响应压缩电路设计

测试向量响应压缩电路分为组合压缩电路和时序压缩电路两种.提出一种新的时序压缩电路:锥-压缩器.由于该电路是单输出的,所以总能保证最大压缩率.根据扫描测试中故障出现的特点,通过引入等价概念和两条设计规则来保证该响应压缩电路能够避免2,3和任何奇数个错误位抵消的情况.这两条设计规则同样适用于处理测试响应中出现未知位的情况.提出的基于随机选取生成算法可以自动生成该压缩电路.最后用实验数据从性能和代价两方面分析了锥-压缩器的适用性.

不同临床特征对抑郁症首次发病患者错误相关负电位的影响

目的探讨抑郁症首次发病患者治疗前后错误相关负电位（elTol-relatednegativity，ERN）的变化及其不同临床特征对ERN的影响。方法对80例首次发病未治疗的抑郁症患者（抑郁症组），根据HAMD。总分将其分为重度抑郁组（34例）和中度抑郁组（46例），根据HAMA总分将其分为重度焦虑组（43例）和中度焦虑组（37例），根据HAMD。，中的阻滞因子总分将其分为重度阻滞组（30例）和中度阻滞组（50例），于艾司西酞普兰（10～20mg／a）单药治疗前和治疗8周后分别检测各组ERN，比较抑郁症组与健康对照（对照组，60名）、抑郁症组治疗前后及抑郁症不同临床特征亚组间ERN的差异。结果（1）抑郁症组基线ERN波幅【-5．38（-4．62，-8．14）μV】高于对照组[-4．26（-3．01，-6．23）μV，Z=-2．081，P〈0．05】；（2）抑郁症组治疗前后ERN潜伏期和波幅差异均无统计学意义；（3）重度抑郁组、中度抑郁组和对照组间ERN波幅差异有统计学意义（Z=7．648，P〈0．05），重度焦虑组、中度焦虑组和对照组间ERN波幅差异有统计学意义（z=8．097，P〈0．05），重度迟滞组、中度迟滞组和对照组间ERN潜伏期和波幅差异有统计学意义（F=7．437，Z=7．896，P〈0．05）。结论抑郁症患者的ERN波幅增高，焦虑和迟滞症状的严重程度可能影响ERN的变化情况。

一种基于提升小波变换和矩阵编码的音频隐写算法

以提高隐秘信息嵌入量与隐蔽性为主要目的,利用人耳听觉系统(HAS)的掩蔽效应,提出一种结合提升小波变换和矩阵编码的嵌入隐秘信息的音频隐写算法。该算法利用MPEGI心理声学模型1来控制嵌入帧,选用宿主音频提升小波变换的中低频系数,利用能够大幅提高嵌入效率、减小修改比例的矩阵编码来实现隐秘信息的嵌入。经实验仿真证明,该算法不仅具有很好的隐蔽性和嵌入容量,还兼顾了鲁棒性,对于加噪、滤波、重采样、MP3压缩、同步攻击等常见操作具有较强的抵抗力。同时,该算法能够实现盲检测。

高清图像处理芯片串行差分输出接口测试研究

本文提供了平板显示屏连接接口信号LVDS的测试方案及FPD-Link接口的多种格式数据的支持。主要讨论了满足TIA/EIA标准的测试,信号质量测试方法中的眼图测试和位错误率测试法及多种并串映射方式的测试。针对三方面的测试从原理、方法和测试参数都做深入的探讨。

注意缺陷多动障碍儿童的错误相关负电位的检测

目的探讨注意缺陷多动障碍(ADHD)患儿的错误相关负电位(ERN)的变化特点。方法应用事件相关脑电位仪,对30例ADHD患儿和30名健康儿童做ERN检测并比较。结果与健康儿童相比,ADHD患儿的正确反应率明显降低、正确反应和错误反应的反应时明显延长;ERN潜伏期(Cz、Fz、C3和C4)明显延迟、波幅(Cz、C3、Fz和Pz)降低。结论 ADHD患儿的ERN潜伏期和波幅异常,可能反映了患者内在错误监控机制存在缺陷。

广泛性焦虑障碍患者的错误相关负电位研究

目的 探讨广泛性焦虑障碍（generalized anxiety disorder,GAD）患者错误相关负电位（errorrelated negativity,ERN）的变化特点.方法 符合DSM-Ⅳ诊断标准的广泛性焦虑障碍患者30例（GAD组）,同时入组年龄、性别、受教育情况与之匹配的健康受试者30例（NC组）.评定2研究组受试者的汉密尔顿焦虑量表（HAMA）和状态-特质焦虑问卷（STAI）,采用视觉Eriksen Flanker刺激模式诱发ERN,记录被试头皮60导EEG信号及应答行为数据,应用Brain Analyzer软件对EEG信号进行离线分析.结果 2组在年龄、性别构成、利手、受教育情况方面均无显著差异（P＞0.05）;广泛性焦虑障碍组的HAMA评分、SAI评分、TAI评分[（22.29±10.30）分,（41.00±15.44）分,（56.14±14.35）分]均高于正常对照组[（1.61±1.58）分,（27.77±6.14）分,（33.87±7.66）分],差异有显著性（t=8.225,P＜0.01;t=4.093,P＜0.01;t=6.742,P＜0.01）;两研究组的应答行为指标比较,广泛性焦虑障碍组的无应答率[（15.29±18.18）%]高于正常对照组[（7.23±7.99）%],差异具有显著性（t=2.184,P=0.035）,其他指标无显著差异（P＞0.05）;广泛性焦虑障碍组的ERN波幅[FCz：（-8.76±5.74）μV]高于正常对照组[FCz：（-6.91±3.07）μV],差异有显著性（F=6.924,P=0.012）,两组的ERN潜伏期无显著差异（P＞0.05）;广泛性焦虑障碍患者的ERN波幅和ERN潜伏期与HAMA评分之间缺乏显著性相关（-0.3＜r＜0.3）.结论 广泛性焦虑障碍患者的ERN波幅异常增高,可能反映了他们内在错误监控机制过度活跃.