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题名高可靠微处理器结构与实现(英文)
被引量:3
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作者
彭和平
赵元富
高德远
于立新
陈雷
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机构
西北工业大学航空微电子设计中心
北京微电子技术研究所
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2006年第7期78-81,85,共5页
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文摘
文章介绍了抗单粒子翻转容错处理器NBHARK的结构与实现,采用了改进的优化奇权重列编码方法纠检寄存器文件的瞬时错误。提出了多种有效方法提高整个处理器可靠性,如三模冗余内部临时寄存器,三模冗余时钟,片上EDAC,奇偶校验,强制cache缺失等。该芯片在smic0.18μmCMOS工艺投片。辐射试验表明,粒子注入(>50,000)引起的单粒子翻转错误均成功纠正。试验采用252Cf辐射源,3.5uCi,以及43MeV.cm2/mg平均LET进行。
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关键词
容错
三模冗余(TMR)
错误纠一检二(sec-ded)
可靠性
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Keywords
Fault-tolerance, Triple Modular Redundanee(TMR), EDAC, Reliability.
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分类号
TN431
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名基于CPLD的容错存储器的设计实现
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作者
汪友宝
马佩军
郝跃
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机构
西安电子科技大学微电子研究所
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出处
《现代电子技术》
2004年第4期4-6,共3页
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基金
国防预先研究和基金项目 ( 4 1 32 30 60 1 0 7)
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文摘
分析了存储器产生错误的原因 ,提出了提高其可靠性的有效途径。结合航天计算机可靠性增长计划 ,给出了一套利用纠检错芯片对其进行容错的方案 ,并给出了通过 CPL D器件实现的仿真结果。最后对容错存储器的可靠性进行了分析。
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关键词
容错
纠一检二
瞬态错误
最佳奇权码
复杂可鳊程逻辑器件
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Keywords
fault tolerant
SECDED
SEU
optimal oddweightcolumm code
CPLD
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分类号
TP333
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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