锡点炉炉温控制设定曲线的确定

在大量试验的基础上 ,整定出两条锡点炉炉温程序控制设定温度曲线。试验结果表明 ,用这两条设定温度曲线可获得良好的控制效果。实验中还总结出一套调整设定温度曲线的规则 。

在纳晶薄膜上原位生长铜锌锡硫量子点的研究

采用连续离子层吸附反应法在TiO_(2)纳晶薄膜上直接生长铜锌锡硫量子点,进一步组装“三明治”结构的铜锌锡硫量子点敏化太阳能电池,研究连续离子层吸附反应沉积次数对量子点沉积的影响。通过透射电子显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、X射线光电子能谱、电化学阻抗谱和光电流-电压曲线等测试对铜锌锡硫量子点的微观形貌、晶体结构、元素组成和光电性能进行了分析。结果表明,最佳连续离子层吸附反应法循环沉积次数为5次,在最佳条件下,所得到的铜锌锡硫量子点晶粒尺寸均匀、大小适宜,能有效减少载流子复合,有利于电荷传输,提高铜锌锡硫量子点敏化太阳能电池的光电转换效率。

锡量子点制备及其电催化还原二氧化碳产甲酸性能

锡基材料在自然界含量丰富、价格低廉,在电催化还原CO_(2)制液体燃料反应中具有巨大潜力。但是较低的产物选择性和较差的稳定性限制了其应用。本工作制备的锡量子点电催化剂(Sn-QDs),具有高效、高稳定性和高选择性的电催化还原CO_(2)产HCOOH活性。Sn-QDs的平均颗粒尺寸仅为2~3nm,结晶性良好。小的颗粒尺寸增大了电化学活性面积(ECSA),Sn-QDs的ECSA约为锡颗粒的4.4倍。ECSA增大以及CO_(2)还原反应动力学加速,促进了CO_(2)电化学转化。在–1.0V(vsRHE)下,Sn-QDs/CN催化剂的HCOOH法拉第效率(F_(EHCOOH))达到95%,并且在宽约0.5 V的电势范围内能够保持在83%以上。此外,Sn-QDs/CN可以在24 h内保持良好的电化学稳定性。

化学镀Ni-P在纯锡凸点的应用及界面研究

采用化学镀Ni-P作UBM阻挡层,利用电镀的方法制备了面阵列和周边排布的无铅纯锡凸点,凸点高度为85±2μm,一致性良好。研究了不同回流温度下纯锡焊球的剪切强度、断裂模式和与Ni-P层反应生成的金属间化合物。结果表明,纯锡凸点回流时与Ni-P生成针状Ni3Sn4,凸点剪切强度达到92MPa以上。剪切断裂为韧性断裂,随着回流温度提高及回流时间延长,Ni3Sn4相由针状向块状转变,Ni-P层与Ni3Sn4层间生成层状Ni3P相,粗化的Ni3Sn4相受压应力向焊球内部脱落。

超小晶粒锡掺杂CsPbBr_(3)蓝光量子点的合成及其光学性能研究

近年来,铅卤钙钛矿CsPbX_(3)(X=Cl,Br或I)因其具有荧光波段可调、荧光量子产率高(Photoluminescence quantum yield,PLQY)以及荧光半峰宽窄等优点而被广泛应用于光电器件领域.然而,与PLQY接近于100%的绿光和红光相比,蓝光卤素钙钛矿的PLQY仍比较低.在此,采用过饱和结晶的方法在室温下合成了粒径低于4 nm的超小晶粒锡(Sn)掺杂CsPbBr_(3)量子点,并对其结构特性和光学特性进行了研究.结果表明:随着SnBr_(2)添加量的增大,量子点晶粒的粒径略微减小,荧光发射峰发生蓝移,粒径由3.33 nm(SnBr_(2)为0.03 mmol)减小到2.23 nm(SnBr_(2)为0.06 mmol时),对应的荧光发射峰由490 nm蓝移至472 nm.当SnBr_(2)添加量为0.05 mmol时合成的超小晶粒锡掺杂CsPbBr_(3)量子点显示出最优的光学性能,其粒径约为2.91 nm,对应的XRD各晶面衍射峰强度最强,荧光发射峰位于472 nm处,PLQY最高,达到了53.4%,在空气中存放15 d后,其荧光发射峰位置不发生明显改变,荧光PLQY仍保留最初的80%,为42.7%.证明适量添加SnBr_(2)对CsPbBr_(3)进行锡掺杂可有效提高超小晶粒量子点的结晶性能和光学性能.

最新300mm晶圆锡铅凸点生产线

先进封装半导体设备联合体(SECAP)是在2001年成立的IC封装设备制造业商会，宗旨定为：对倒装芯片和晶圆级封装业提供最佳的制程设备和有关技术专利。

微型双温度固定点容器研制

基准固定点传递技术应用于现场温度校准已成为提高工业温度测量水平的一种重要途径。采用多孔石墨坩埚半包围结构,内部对称填充了高纯铟(In)和锡(Sn)2种金属,研制了一种应用于现场校准的微型双温度固定点容器。实验结果表明,In点熔化温坪持续时间约为2 h,Sn点熔化温坪持续时间约为3 h,In和Sn的温坪复现的扩展不确定度分别为4.0 mK和4.4 mK(k=2),可满足工业现场对精密铂电阻温度计的校准需求。

锡掺杂CsPbBr3量子点的合成及其光电性能研究

采用热注入法合成了锡掺杂CsPbBr_(3)量子点。透射电子显微镜和X射线衍射仪(XRD)的表征结果显示,少量锡掺杂可以部分替代铅,对量子点有钝化作用,减少了量子点的表面缺陷,提高了量子点的光致发光量子效率(PLQY)。当掺杂铅和锡的物质的量比为9\:1时,量子点的PLQY从未掺杂时的21.0%提高到了40.4%。随着锡掺杂量的增加,XRD谱中出现了杂相,光致发光减弱,PLQY由少量锡掺杂(铅和锡的物质的量比为9\:1)量子点的40.4%降低到CsPb_(0.6)Sn_(0.4)Br_(3)的10.4%。少量锡掺杂的CsPb_(0.9)Sn_(0.1)Br_(3)具有最强的光致发光和电致发光,其光致发光峰位为511 nm,PLQY为40.4%,电致发光峰位为512 nm,电致发光亮度为343.0 cd/m2,是未掺杂CsPbBr_(3)量子点发光二极管亮度的2.5倍。本实验证明了采用少量锡掺杂CsPbBr_(3)(CsPb_(0.9)Sn_(0.1)Br_(3))可以降低量子点的表面缺陷,提高量子点的光致发光与电致发光性能。