Zn_2SnO_4气敏材料的水热合成及其掺杂改性

采用分析纯的ZnAc2.2H2O和SnCl4.5H2O作为起始原料,控制适当的pH值和离子浓度,在200℃温度条件下水热法反应24 h得到Zn2SnO4微粉;通过浸渍法制备了Pd、Au、La掺杂的Zn2SnO4粉体;利用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)对合成材料的结构、尺寸和形态进行了表征;采用静态配气法测试了材料的气敏性能。结果表明:在200℃水热条件下可直接合成Zn2SnO4,所得材料是比较规整的立方晶型,粒径大约为200 nm,纯Zn2SnO4对H2S、乙醇蒸气、乙醇汽油等有机蒸气具有较好的灵敏度,通过金属离子掺杂能明显提高材料对乙醇蒸气、乙醇汽油等气体的灵敏度和选择性。

在乙二醇甲醚溶液中合成前驱体水解法制备Zn_2SnO_4超细粉末

在无隔膜电解槽中，加入0．15mol／L（Bu4N）Br的乙二醇甲醚溶液，保持电解温度30℃、电流密度20mA·cm^-2时，先电解锡片4h，再电解锌片4h，制得锌、锡醇盐配合物，电流效率为90．3％。采用红外、拉曼光谱对其进行了表征。结果表明，前驱体结构为Zn2Sn（OCH2CH2OCH3）8，可以有效克服团聚现象。水解、真空干燥24h后所得干凝胶在450oC煅烧2h制得纳米Zn2SnO4粉体。经X-射线衍射、电子透射显微镜测试表明，干凝胶粒径为20—30nm，锡酸锌Zn2SnO4粒径在25—35nm，纯度较高。

原位聚合法制备Co2SnO4/聚苯胺负极材料

采用原位聚合法制备锡酸钴（Co2SnO4）/聚苯胺（PANI）复合负极材料,用XRD、SEM分析物相结构与形貌,对复合材料进行恒流充放电、循环伏安及电化学阻抗谱测试。添加PANI可缓解Co2SnO4在充放电过程中的体积膨胀效应,使Co2SnO4/PANI体系的电子导电率与循环性能得到改善。以100 m A/g的电流在0.01--3.00 V循环,Co2SnO4/PANI复合材料的首次放电比容量为1 234.11 m Ah/g,第80次循环的放电比容量为817.36 m Ah/g。

立方锡酸镁/氧化锡复合氧化物的合成及其气敏性能

采用水热法制备MgSn（OH）6前驱体,经过高温煅烧得到了Mg2SnO4/SnO2复合氧化物立方纳米颗粒。采用XRD、SEM、EDS对煅烧前后样品的物相、形貌、组分进行了表征。在不同温度下测试了Mg2 SnO4/SnO2复合氧化物气敏元件对甲醇气体的敏感性能。结果表明,该复合氧化物对甲醇气体具有良好的灵敏度和选择性。在最佳工作温度为300℃时对50×10^-6~5000×10^-6浓度范围内的甲醇气体具有良好的线性关系,2000×10^-6时气敏元件的响应、恢复时间分别为12 s和8 s。

Zn掺杂La_2CuO_4热电势和磁化率研究

测量了La2 CuO4 掺Zn样品在不同降温速率下 (330K保温 0 5h ,然后分别以 6K h ,0 2K s的速度降到 8K)的直流磁化率和热电势 .实验结果表明 ,反铁磁温度TN 不随降温速率变化而变化 ,其直流磁化率也未受很大影响 .高温热电势弱的温度依赖关系表明为极化子气体的贡献 .热电势在转折温度Tdrop之下的快速降低是由于二维反铁磁涨落的贡献 .热电势在更低温度的拐点TS 与载流子的局域化有关 .降温速率变化时 ,Tdrop和TS 都有明显的变化 .Zn掺杂对Tdrop和TS 没有明显影响 ,但导致了更强的载流子局域化 .