用于Rb原子冷却系统的半导体激光放大(TPA)装置

报道了我们最近研制的780 nm半导体激光放大装置。激光放大管采用Eagleyard公司生产的(EYP-TPA-0780-01000)半导体锥形放大器,当输入的种子源激光功率为25 mW时,放大器输出的激光功率达600mW左右,该光束经过透镜整形,声光调制器频移,然后耦合到单模保偏光纤后,输出功率达110 mW。该激光放大装置可很好的用于高密度冷原子的俘获。

1.3W单频、宽调谐锥形半导体激光放大系统

报道了最大输出功率为1.3W,波长为910～930nm的单频、可调谐锥形半导体激光放大系统,研究了锥形半导体放大系统输出功率随注入电流和种子光功率的变化。功率为13.6mW、波长为920nm的单频种子光经隔离器和聚焦透镜后,功率减小为12.4 mW;入射到注入电流为4 A的锥形放大器中时,输出激光的功率可达1300mW,增益达到20.21dB,线宽为660fm。当种子光功率从0增大到13.6mW时,放大功率随之增大。该系统获得的激光可以用于四倍频后窄线宽连续可调谐中(深)紫外激光的研究。